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標(biāo)簽 > 柵極驅(qū)動器
柵極驅(qū)動器是一個(gè)用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下,例如驅(qū)動用于數(shù)字信號傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí),使用微控制器輸出不會損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中,微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動功率較大的晶體管。
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使用ADuM4136隔離式柵極驅(qū)動器和LT3999 DC/DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動1200V SiC電源模塊
電動汽車、可再生能源和儲能系統(tǒng)等電源發(fā)展技術(shù)的成功取決于電力轉(zhuǎn)換方案能否有效實(shí)施。電力電子轉(zhuǎn)換器的核心包含專用半導(dǎo)體器件和通過柵極驅(qū)動器控制這些新型半導(dǎo)...
2020-02-04 標(biāo)簽:DC-DC轉(zhuǎn)換器電源模塊半導(dǎo)體器件 4359 0
采用高度集成的柵極驅(qū)動器節(jié)省電機(jī)控制設(shè)計(jì)空間
柵極驅(qū)動器是一個(gè)高度集成的模塊化解決方案,能夠消除分立設(shè)計(jì)所帶來的諸多復(fù)雜性,但仍需要做一些設(shè)計(jì)來打造能夠充分發(fā)揮其作用的系統(tǒng)。該參考設(shè)計(jì)為設(shè)計(jì)人員展示...
車用柵極驅(qū)動器涵蓋所有應(yīng)用 助力汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)
飛兆半導(dǎo)體汽車柵極驅(qū)動器產(chǎn)品組合的最新成員將HVIC產(chǎn)品線擴(kuò)展到逆變器和電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用所需的高峰值電流范圍。
2013-06-07 標(biāo)簽:混合動力汽車汽車系統(tǒng)功率半導(dǎo)體 4340 0
關(guān)于SiC MOSFET的新的電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
碳化硅(SiC)MOSFET提供了巨大的新特性和功能,但同時(shí)也帶來了新的挑戰(zhàn)。ROHM半導(dǎo)體器件使工程師能夠充分利用SiC MOSFET,同時(shí)克服了驅(qū)動...
2021-04-02 標(biāo)簽:MOSFET半導(dǎo)體器件柵極驅(qū)動器 4235 0
GaN和SiC器件將成為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的新型解決方案
基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等材料的新型功率開關(guān)技術(shù)的出現(xiàn)促使性能大幅提升,超越了基于MOSFET和IGBT技術(shù)的傳統(tǒng)系統(tǒng)。
2019-01-05 標(biāo)簽:功率開關(guān)柵極驅(qū)動器 4227 0
如何提高永磁同步電機(jī)制造自動化系統(tǒng)的能源效率
?Stefan Hacker ADI公司系統(tǒng)專家 圍繞現(xiàn)代生產(chǎn)工廠的能源效率問題,目前有許多討論,系統(tǒng)解決方案制造商不斷推出新的概念來應(yīng)對這個(gè)問題。其中...
2021-03-08 標(biāo)簽:永磁同步電機(jī)信號轉(zhuǎn)換器柵極驅(qū)動器 4083 0
調(diào)整MOSFET柵極驅(qū)動器以用于GaN FETs
氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管已經(jīng)徹底改變了電力電子行業(yè),具有比傳統(tǒng)硅MOSFETs更小的尺寸、更快的開關(guān)速度、更高的效率和更低的成本等優(yōu)勢。然而,GaN...
在逆變器、電機(jī)驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中,碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。
介紹 電機(jī)控制和驅(qū)動器在許多應(yīng)用中都是基本的,因?yàn)樗鼈冊试S獲得很高的精度,進(jìn)而轉(zhuǎn)化為更低的成本和更高的效率。電動機(jī)控制電路執(zhí)行的重要功能是確保轉(zhuǎn)子在不同...
2021-03-30 標(biāo)簽:機(jī)器人電機(jī)控制驅(qū)動系統(tǒng) 3921 0
選擇合適的柵極驅(qū)動器來解決碳化硅(SiC)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
Balogh還指出了其他需要考慮的問題,例如保護(hù)功能、欠壓鎖定、更高頻率的工作、更快的開關(guān)速度和裸片上的熱點(diǎn),這些都會對功耗、EMI和尺寸產(chǎn)生影響。
碳化硅JFET助推功率轉(zhuǎn)換電路的設(shè)計(jì)方案
對于可再生能源設(shè)備,如太陽能逆變器和儲能設(shè)備,我們的碳化硅器件具有極低的RDS(on)特性,可將散熱量保持在最低水平。
基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)
工程師對電磁干擾,并行化和布局非常熟悉,但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r(shí),需要多加注意。 芯片顯示,基于硅(Si)的半導(dǎo)體比寬帶隙(WBG...
將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來過長開/關(guān)延遲方案
本文重點(diǎn)而又全面地介紹了三種將dv/dt從45V/ns降至5V/ns而不帶來過長開/關(guān)延遲時(shí)間的方法:使用外部柵漏電容器、對器件增加RC緩沖電路,以及使...
高共模噪聲是汽車系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)實(shí)用,可靠的動力總成驅(qū)動系統(tǒng)時(shí)必須克服的重要問題。當(dāng)高壓電源逆變器和其他電源中存在高頻開關(guān)時(shí),系統(tǒng)內(nèi)自然會產(chǎn)生共模噪聲...
BLDC電機(jī)的結(jié)構(gòu)和控制及其三種換向方法
三相永磁無刷直流(以下簡稱“BLDC”)電機(jī)控制需要一個(gè)電子換向電路,而傳統(tǒng)的有刷直流電機(jī)是采用機(jī)械自換向的方式。與有刷直流電機(jī)不同,BLDC電機(jī)沒有電...
2023-07-17 標(biāo)簽:電機(jī)控制無刷直流電機(jī)BLDC電機(jī) 3546 0
集成柵極驅(qū)動器的GaN ePower超快開關(guān)
氮化鎵場效應(yīng)晶體管在許多電力電子應(yīng)用中持續(xù)獲得關(guān)注,但氮化鎵技術(shù)仍處于其生命周期的早期階段【1】。雖然基本FET性能品質(zhì)因數(shù)還有很大的提升空間,但GaN...
TI柵極驅(qū)動器提供大量設(shè)計(jì)支持工具幫助簡化設(shè)計(jì)
過去,牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而,隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管具有比 IGBT 更高的...
2022-10-11 標(biāo)簽:ti柵極驅(qū)動器SiC MOSFET 3364 0
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