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      標簽　>　柵極

      柵極

      +關(guān)注1人關(guān)注

      柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。多極電子管中排列在陽極和陰極之間的一個或多個具有細絲網(wǎng)或螺旋線形狀的電極，起控制陰極表面電場強度從而改變陰極發(fā)射電子或捕獲二次放射電子的作用。

      文章：142個 瀏覽：21306次 帖子：7個

      柵極資訊

      英特爾重返半導體王者！

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      這兩代工藝不僅會首次進入埃米級節(jié)點，同時還有兩大黑科技——首發(fā)PowerVia背面供電、RibbonFET全環(huán)繞柵極兩大全新技術(shù)，其中前者已經(jīng)在Inte...

      2023-06-08 標簽：英特爾半導體柵極 818 0

      柵極驅(qū)動應用原理與技術(shù)特點

      在現(xiàn)代電氣系統(tǒng)中，通常采用“交流電機+電動機+變頻器”的控制方式。在電機系統(tǒng)中，一般會采用齒輪傳動、皮帶傳動等傳統(tǒng)方式。由于傳統(tǒng)驅(qū)動方式在機械傳動過程中...

      2023-04-21 標簽：整流器驅(qū)動系統(tǒng)柵極 1451 0

      增強型NMOS管的特性及應用電路

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      此文說明：主要以增強型NMOS管的特性來說明,Vds/Uds、Vgs/Ugs意思一樣，其它類比。

      2023-03-10 標簽：應用電路柵極穩(wěn)壓管 7865 0

      新推出的160V MOTIX?三相柵極驅(qū)動器IC

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      2023-02-10 標簽：驅(qū)動器IC柵極 466 0

      MOS晶體管的工作原理

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      　　MOS管的全稱是 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor(金屬氧化物半導體場效應晶體管)。

      2023-02-03 標簽：半導體MOS管晶體管 1954 0

      MOSFET的電氣特性（靜態(tài)特性IGSS／IDSS／V(BR)DSS／V(BR)DXS）

      當在漏極和源極短路的情況下在柵極和源極之間施加指定電壓時產(chǎn)生的漏電流

      2022-11-14 標簽：電流柵極源極 9236 0

      全包圍柵極結(jié)構(gòu)將取代FinFET

      FinFET在22nm節(jié)點的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開關(guān)——制造帶來了顛覆性變革。與此前的平面晶體管相比，與柵極三面接觸的“鰭”所形成...

      2022-08-01 標簽：晶體管柵極FinFET 1563 0

      為什么要設(shè)置這么一個工作點呢？

      接下來，在柵極加一個固定的直流電壓，使得輸入到柵極的信號為小信號Vin和直流電壓VD的疊加。假設(shè)給這個直流電壓VD=VTH。而Vin=5sinwt mV。

      2022-06-28 標簽：放大器柵極 1338 0

      三星宣布其基于柵極環(huán)繞型晶體管架構(gòu)的3nm工藝技術(shù)已經(jīng)正式流片

      目前從全球范圍來說，也就只有臺積電和三星這兩家能做到5納米工藝以下了。6月29日晚間，據(jù)外媒報道，三星宣布其基于柵極環(huán)繞型 （Gate-all-arou...

      2021-07-02 標簽：IC三星電子臺積電 2955 0

      芯片制造即將進入原子時代！

      場效應晶體管（Field-Effect Transistor）是當代計算機處理器的核心。自從上世紀60年代以來，一塊典型處理器中的晶體管的數(shù)量便以摩爾定...

      2021-06-26 標簽：芯片晶體管納米 3156 0

      深入剖析MOS管雪崩、SOA失效及發(fā)熱

      本文對MOS失效原因總結(jié)以下六點，然后對1，2重點進行分析： 1、雪崩失效（電壓失效），也就是漏源間的BVdss電壓超過MOSFET的額定電壓，并且超過...

      2021-06-22 標簽：MOSFETMOS柵極 9895 0

      19個小技巧教你單片機5V如何轉(zhuǎn)3.3V電平！

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      方法一：使用LDO穩(wěn)壓器，從5V電源向3.3V系統(tǒng)供電 標準三端線性穩(wěn)壓器的壓差通常是 2.0-3.0V 。要把 5V 可靠地轉(zhuǎn)換為 3.3V，就不能使...

      2021-04-16 標簽：MOSFET電壓柵極 4499 0

      Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻

      Severns介紹了Hexfets如何為開關(guān)模式電源(SMPS)做出了出色的貢獻。但他明確建議，對于制造線性放大器或用于任何其他非飽和業(yè)務，選擇Hexf...

      2020-11-11 標簽：放大器MOSFET柵極 2807 0

      柵極驅(qū)動器是什么？羅姆有哪些產(chǎn)品

      來源：羅姆半導體社區(qū) 柵極驅(qū)動器的作用 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，...

      2022-11-16 標簽：驅(qū)動器柵極 1649 0

      用萬用表去檢測MOS管好壞的方法

      選用管子型號為IRF640，如上圖所示，一般在判斷好壞的時候先對MOS管放電（三極管就不需要，之所以需要放電是和他的工作原理有關(guān)，這里就不多說了），放電...

      2020-04-04 標簽：三極管MOS管柵極 2.5萬 0

      氫閘流管的工作原理_氫閘流管的應用電路

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      氫閘流管的工作過程是氣體由放電前的隔離高電壓狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)榉烹姾蟮母邔щ姞顟B(tài)過程，把脈沖時間間隔內(nèi)儲存的能量在脈沖瞬間轉(zhuǎn)換成強功率脈沖輸出。

      2020-01-16 標簽：加速器柵極 7514 0

      柵極源級漏極分別是什么？模擬電路中柵極源級漏極的工作原理是什么

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      源極簡稱場效應管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子，即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導電.柵極由金屬細絲組成的篩網(wǎng)狀或螺旋狀電極。漏極在兩個高摻雜的...

      2017-11-23 標簽：柵極漏極源級 29.7萬 0

      3D晶體管的優(yōu)點

      Intel2011年5月6日研制成功的世界上第一個3D晶體管“Tri-Gate”現(xiàn)在已經(jīng)逐步進入大家的視線了，本文將介紹3D晶體管的一些優(yōu)點。

      2012-08-08 標簽：3DIntel晶體管 2169 0

      對稱柵極控制驅(qū)動電路

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      柵極驅(qū)動電壓由觸發(fā)脈沖通過推挽輸出電路提供。當觸發(fā)脈沖為高電平，V5 截止，推挽輸出電路基極為低電平，V3 截止，V4 導通，從負載抽取電流，柵極得到負...

      2012-05-03 標簽：柵極驅(qū)動電路 2008 0

      柵極過壓保護電路

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      IGBT的柵極出現(xiàn)過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.

      2011-01-29 標簽：過壓保護柵極 2856 0

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