氮化硅與氮化鋁陶瓷基板究竟有何區別？

隨著電子器件特別是第三代半導體的興起和應用，半導體器件越來越小型化、集成化、多功能化，對襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導熱性和耐熱性、低熱...

2022-12-09 標簽：陶瓷基板氮化硅 2177 0

中國第3代半導體半導體理想封裝材料——高導熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題

2022年9月，威海圓環先進陶瓷股份有限公司生產的行業標準規格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導熱氮化硅陶瓷基板已經達到量產規模，高導熱...

2022-11-11 標簽：半導體封裝材料陶瓷基板 6120 0

了解一下氮化硅陶瓷基板究竟有哪些特點？

眾所周知，半導體器件運行產生時的熱量是導致半導體器件失效的關鍵因素，而電絕緣基板的導熱性是整個半導體器件散熱最為關鍵的。此外，由于顛簸、振動等復雜的機械...

2022-10-07 標簽：電路板分立元件基板 2379 0

晶片表面沉積氮化硅顆粒的沉積技術

評估各種清洗技術的典型方法是在晶片表面沉積氮化硅(Si，N4)顆粒，然后通過所需的清洗工藝處理晶片。國家半導體技術路線圖規定了從硅片上去除顆粒百分比的標...

2022-05-25 標簽：半導體晶片清洗 1804 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫度下進...

2022-02-15 標簽：面板設備碳化硅 4254 0

用于CVD金剛石沉積的氮化硅表面預處理報告

摘要 本文研究了氮化硅（氮化硅）基底的不同表面預處理（四種標準化學蝕刻和四種金剛石粉末磨刻(CVD)的效率。空白氮化硅樣品用膠體二氧化硅(0.25m)拋...

2022-01-21 標簽：半導體金剛石氮化硅 1104 0

用磷酸揭示氮化硅對二氧化硅的選擇性蝕刻機理

關鍵詞:氮化硅，二氧化硅，磷酸，選擇性蝕刻，密度泛函理論，焦磷酸 介紹 信息技術給我們的現代社會帶來了巨大的轉變。為了提高信息技術器件的存儲密度，我們華...

2021-12-28 標簽：半導體蝕刻氮化硅 7595 0

鍺對氮化硅中紅外集成光子學的波導

在中紅外波長下，演示了一種具有大纖芯-包層指數對比度的鍺基平臺——氮化硅鍺波導。仿真驗證了該結構的可行性。這種結構是通過首先將氮化硅沉積的硅上鍺施主晶片...

2021-12-16 標簽：MiniGUI量子物理學 1706 0

簡析新型氮化硅光子集成電路實現極低的光學損耗

據報道，光子集成電路（PIC）通常采用硅襯底，大自然中有豐富的硅原料，硅的光學性能也很好。但是，基于硅材料的光子集成電路無法實現所需的各項功能，因此出現...

2021-05-07 標簽：芯片激光器氮化硅 3503 0