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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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氮化鎵（GaN）是氮和鎵化合物，具體半導體特性，早期應用于發光二極管中，其具有寬帶隙、高熱導率等特點，寬禁帶半導體是高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的適合...
氮化鎵（GaN） 是由氮和鎵組成的一種半導體材料，因為其禁帶寬度大于2.2eV，又被稱為寬禁帶半導體材料。它是微波功率晶體管的優良材料，也是藍色光發光器...
可換成氮化鎵就不一樣了，單車變轎車，開關頻率得到大幅提升，損耗還更小。如此一來，充電器就能用上體積更小的變壓器、電容、電感。。。。。。從而有效縮小充電器...
硅基氮化鎵外延生長是在硅片上經過各種氣體反應在硅片上層積幾層氮化鎵外延層，為中間產物。氮化鎵功率器件是把特定電路所需的各種電子組件及線路，縮小并制作在極...
氮化鎵（GaN）技術如今在電力電子行業風靡一時，這種寬禁帶半導體能夠實現非常高的效率和功率密度，因此能夠減小電源的體積，并且降低其工作溫度，該性能優勢正...
僅從物理特性來看，氮化鎵比碳化硅更適合做功率半導體的材料。研究人員還將碳化硅與氮化鎵的“Baliga特性指標（與硅相比，硅是1）相比，4H-SiC是50...
多極碳化硅基氮化鎵(GaN-on-SiC)單片微波集成電路(MMIC)器件
四款新型多極碳化硅基氮化鎵（GaN-on-SiC）單片微波集成電路（MMIC）器件。進一步擴展射頻（RF）解決方案范圍，適用于包括海事、氣象監測和新興的...
氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體，用于高效功率晶體管和集成電路。在GaN晶體的頂部生長氮化鋁鎵（AlGaN）薄層并在界面施加應力，從而產生二維電子氣（...
在這種情況下，氮化鎵因其卓越的射頻性能而成為5G mMIMO無線電的領先大功率射頻功率放大器技術。然而，目前的實現方式成本過高。與硅基技術相比，氮化鎵生...
硅基氮化鎵技術是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統硅基襯底上的制造工藝。在這個過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現有硅基半導體制造基礎設施實...
在過去幾年中，氮化鎵（GaN）在半導體技術中顯示出巨大的潛力，適用于各種高功率應用。與硅基半導體器件相比，氮化鎵是一種物理上堅硬且穩定的寬帶隙（WBG）...
材質上比普通的快充更加的高級，氮化鎵是第三代半導體材料，功率密度更大，體積小，充電速度快，這些都是氮化鎵快充的優勢。
氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參...
今天看到一家剛成立3年，專做化合物半導體外延的公司獲得3億元A輪融資。該公司專門生產碳化硅及氮化鎵相關外延片，同時提供包含GaN on Silicon、...
氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續波(CW)和脈沖放大器成為可能。
法國和瑞士科學家首次使用氮化鎵在（100）-硅（晶體取向為100）基座上，成功制造出了性能優異的高電子遷徙率晶體管（HEMTs）。
伴隨著5G通信時代的到來，數據的無線傳輸速率逐漸提高，同時也對射頻通信器件的功率和頻率范圍等提出了新的需求。微波限幅器已廣泛用于各種無線通信系統的射頻前...
一個器件的成本效益，從生產基礎設施開始計算。宜普公司的工藝技術，基于不昂貴的硅晶圓片。在硅基板上有一層薄薄的氮化鋁 （Aluminum Nitride/...
氮化鎵晶體管顯然對高速、高性能MOSFET器件構成了非常嚴重的威脅。氮化鎵上硅（GaN on Si）晶體管預計的低成本，甚至還有可能使IGBT器件取代它...
基于GaN的轉換器在所有情況下都具有更高的效率和更低的工作溫度，最高效率為 96.8%，最低 94.5%。此外，隨著開關頻率和死區時間的增加，基于硅的轉...
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