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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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大家好，今天我們來了解一下氮化鎵芯片應用電路，幫助大家清晰的了解 GaN 產(chǎn)品。 氮化鎵快充已然成為了當下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之...
氮化鎵工藝技術(shù)是什么意思？ 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常...
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
通過種種信息，我們應該都能發(fā)現(xiàn)，氮化鎵充電器目前已經(jīng)快要與普通充電器市場持平，而且，氮化鎵充電器是近幾年新開發(fā)出來的，從剛開始出現(xiàn)的30W到現(xiàn)在的14...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通...
**氮化鎵**晶體管和**碳化硅** MOSFET是近兩三年來新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通...
自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...
隨著氮化鎵技術(shù)的不斷發(fā)展，氮化鎵也應用在了很多新興領(lǐng)域，充電頭網(wǎng)此次選取了手機、車充、PC電源、服務器電源、筆記本適配器、戶外電源等新場景，幫助大家掌握...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
對于 GaN，中文名氮化鎵，我們實在是聽得太多了。 這要從近兩年充電器上的瘋狂內(nèi)卷開始說起。好像從某個時間點開始，一夜之間，GaN 就如雨后春筍般...
氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩(wěn)定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關(guān)，更高的熱導率和更低的導通電阻，氮化鎵基功率器件...
氮化鎵基Micro LED新突破可實現(xiàn)更高顯示分辨率與調(diào)制速率
氮化鎵（GaN）基Micro LED由于在新一代顯示技術(shù)、高速可見光通信等方面有著廣泛的應用前景，吸引了眾多研究者的關(guān)注。相比于常規(guī)尺寸LED，Micr...
GaN 的普及根植于其高電源和高電壓功能。這些特性使其適用于許多應用，包括微波射頻 (RF) 和功率開關(guān)應用。
了解氮化鎵 -寬帶隙半導體：為什么？ -氮化鎵與其他半導體的比較(FOM) -如何獲得高片電荷和高遷移率？
高效的 AC/DC 電源是電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施發(fā)展的關(guān)鍵，因為超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站的功耗會迅速增長。然而，電力電子行業(yè)已經(jīng)達到了硅...
一旦硅開始達不到電路需求，碳化硅和氮化鎵就作為潛在的替代半導體材料浮出水面。與單獨的硅相比，這兩種化合物都能夠承受更高的電壓、更高的頻率和更復雜的電子產(chǎn)...
傳統(tǒng)上，半導體生產(chǎn)中最常用的材料是硅（Si），因為它豐富且價格合理。但是，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數(shù)還提供額外的好處，例如碳...
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