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氮化鎵

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氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵技術(shù)

什么是激光雷達(dá) 如何用氮化鎵消除激光雷達(dá)

在實(shí)際的激光雷達(dá)系統(tǒng)中，傳統(tǒng)的硅器件（例如MOSFET）無法為其激光驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)提供必要的性能。為了增強(qiáng)控制，MOSFET的溝道必須很大，這會導(dǎo)致寄生電容...

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基于GaN晶體管的特性測量交叉導(dǎo)通方案

驗(yàn)證電源半橋拓?fù)涫欠裾_交叉導(dǎo)通的常用方法是使用兩個(gè)探針同時(shí)驗(yàn)證高壓側(cè)和低壓側(cè)驅(qū)動信號之間的死區(qū)時(shí)間。

2021-01-08 標(biāo)簽：開關(guān)電源晶體管氮化鎵 2702 0

線性S參數(shù)數(shù)據(jù)與非線性數(shù)據(jù)相結(jié)合的RF放大器模型結(jié)構(gòu)解析

傳統(tǒng)上，線性和非線性RF電路仿真占據(jù)了不同領(lǐng)域。為了仿真級聯(lián)小信號增益和損耗，RF設(shè)備設(shè)計(jì)人員傳統(tǒng)上一直廣泛使用S參數(shù)器件模型。由于缺乏數(shù)字形式的數(shù)據(jù)（...

2020-12-21 標(biāo)簽：放大器氮化鎵模擬系統(tǒng) 3321 0

具有保護(hù)功能的GaN器件實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)

氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體的物理特性與硅器件不相上下。傳統(tǒng)的電源供應(yīng)器金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和絕緣柵極雙極晶體管(IGBT)只有在犧牲...

2020-12-20 標(biāo)簽：開關(guān)電源場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3302 0

硅基氮化鎵IC是如何制成的？重新定義電源轉(zhuǎn)換

隨著氮化鎵器件性能的提高，人們對這些器件的可靠性和可用性有了更大的信心后，氮化鎵器件被用于廣闊的全新應(yīng)用。

2020-11-19 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管氮化鎵 3429 0

通過自由空間設(shè)計(jì)加速無線充電應(yīng)用

業(yè)界正在考慮使用新的半導(dǎo)體工藝。基于氮化鎵（GaN）的芯片用于功率控制器和發(fā)射器與接收器之間的無線電鏈路。

2020-09-16 標(biāo)簽：氮化鎵無線充電功率控制器 1392 0

Qorvo是如何布局5G射頻持續(xù)整合的自屏蔽模塊是未來趨勢

5G 使得通信行業(yè)迎來重大變革，通信頻段數(shù)量從 4G 時(shí)代開始就處于快速增長的狀態(tài)，其中射頻前端作為手機(jī)通信功能的核心組件，將直接受益。

2020-09-03 標(biāo)簽：射頻 emi 氮化鎵 4638 0

利用氮化鎵場效應(yīng)晶體管和LM5113半橋驅(qū)動器實(shí)現(xiàn)的功率及效率

但如何能夠產(chǎn)生所要求的快速變化、帶寬處于數(shù)十兆赫茲（MHz）范圍的供電電壓？我們可以通過不同的方法來實(shí)現(xiàn)。其中一個(gè)方法是使用如圖2所示的混合式線性放大器...

2020-08-26 標(biāo)簽：驅(qū)動器晶體管氮化鎵 2946 0

氮化鎵神助攻設(shè)計(jì)出大功率+小身材的充電器

在PC電源和充電器市場，從去年開始便流行起一個(gè)名為GaN（氮化鎵）的概念，并因這項(xiàng)技術(shù)的加盟獲得了更為出色的電氣性能。那么，GaN到底是一種怎樣的技術(shù)，...

2020-09-02 標(biāo)簽：充電器 usb 氮化鎵 9360 0

99元65W超值，首款內(nèi)置中國芯氮化鎵快充深度拆解！

2020年迎來了氮化鎵快充的大爆發(fā)，目前已經(jīng)開始滲透到手機(jī)和筆記本等電子設(shè)備的配件市場，并且市場容量增長迅速。據(jù)充電頭網(wǎng)了解，目前華為、小米、三星、OP...

2020-06-16 標(biāo)簽：充電器中國芯氮化鎵 4132 0

碳化硅基氮化鎵功率放大器和mMIMO天線在部署5G服務(wù)中的應(yīng)用

為了能夠滿足這些新應(yīng)用程序所需必要的網(wǎng)絡(luò)吞吐量和可靠性，則需要運(yùn)用新的技術(shù)。實(shí)現(xiàn)下一層級互聯(lián)互通的部分問題在于，在為同一區(qū)域內(nèi)的一個(gè)量級或更多附加用戶設(shè)...

2020-06-11 標(biāo)簽：功率放大器天線氮化鎵 2657 0

氮化鎵GaN詳細(xì)對比分析納微和英諾賽科氮化鎵GaN產(chǎn)品應(yīng)用

作者：馬坤（郵箱：kuner0806@163.com）隨著中國芯GaN產(chǎn)品上市，引起了大家的關(guān)注，PD產(chǎn)品更是多姿多彩；納微GaN產(chǎn)品和英諾賽科Ga...

2020-05-12 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 英諾賽科 2.6萬 2

東微半導(dǎo)體超級硅MOSFET系列產(chǎn)品，可取代了氮化鎵高能效要求

東微半導(dǎo)體的GreenMOS系列產(chǎn)品是國內(nèi)最早量產(chǎn)并進(jìn)入工業(yè)級應(yīng)用的高壓超級結(jié)產(chǎn)品系列，在國產(chǎn)品牌中占有領(lǐng)先地位，廣泛應(yīng)用于充電樁模塊，通訊電源等大功率...

2020-04-22 標(biāo)簽：mosfet 半導(dǎo)體氮化鎵 6874 0

5G行情下氮化鎵（GaN）還存在哪些缺點(diǎn)？是下一個(gè)風(fēng)口？

由于2 月13 日小米在新品發(fā)表會中，除了推出小米10 系列外，更宣布采用氮化鎵(GaN) 作為原料的充電器，一時(shí)間原本GaN 在射頻領(lǐng)域熱燒的話題，快...

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氮化鎵GaN充電器中同步整流的應(yīng)用

整理了市面上發(fā)售的氮化鎵GaN 充電器產(chǎn)品。一波是采用PI的主控芯片，PI芯片集成了主控＋功率器件＋同步整流；一波是采用納微GaN產(chǎn)品（QR／ACF＋N...

2020-04-07 標(biāo)簽：氮化鎵同步整流 MPS 1.3萬 0

NV612X GaNFast? 功率半導(dǎo)體器件的熱處理

介紹最新的納微GaNFast 電源集成電路NV6123/25/27，集成在6mmx8mm的QFN封裝內(nèi)。這個(gè)封裝增加了一個(gè)大的冷卻片，用于降低封裝的熱...

2020-03-31 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵 GaN 8647 1

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout

采用NV611X系列氮化鎵GaN 半橋應(yīng)用PCB layout 作者：馬坤郵箱：kuner0806@163.com NV611X系列半橋應(yīng)用電路圖...

2020-03-24 標(biāo)簽：pcb 氮化鎵 GaN 6787 0

采用NV611X系列氮化鎵（GaN）進(jìn)行電源設(shè)計(jì)熱處理及PCB layout 注意事項(xiàng)

介紹 GaN功率集成電路提供超低電容，優(yōu)良的開關(guān)特性，低RDS（ON），封裝在一個(gè)小QFN封裝里。這些特性使GaN非常適合在高頻下工作，并支持高密度電源...

2020-03-20 標(biāo)簽：Pcb 充電器氮化鎵 5159 0

氮化鎵的技術(shù)優(yōu)缺點(diǎn)及在無線基站中的應(yīng)用分析

用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的...

2020-02-12 標(biāo)簽：無線基站氮化鎵 1.0萬 0

DC/DC轉(zhuǎn)換器 EMI的工程師指南-第1部分，規(guī)范和測量

多數(shù)電源應(yīng)用必須減少電磁干擾（EMI）以滿足相關(guān)要求，系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員必須嘗試各種方法來減少傳導(dǎo)和輻射發(fā)射。

2019-08-09 標(biāo)簽：emi DC-DC轉(zhuǎn)換器電磁干擾 2856 0

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