氮化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈分析

隨著技術(shù)的發(fā)展，終端設(shè)備對(duì)于半導(dǎo)體器件性能、效率、小型化要求的越來(lái)越高，特別是隨著5G的即將到來(lái)，也進(jìn)一步推動(dòng)了以氮化鎵(GaN)為代表的第三代半導(dǎo)體材...

2019-08-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

什么是氮化鎵？氮化鎵何以占據(jù)C位？

GaN在成本控制方面顯示出了更強(qiáng)的潛力。目前主流的GaN技術(shù)廠商都在研發(fā)以Si為襯底的GaN的器件，來(lái)替代昂貴的SiC襯底。有分析預(yù)測(cè)，到2019年Ga...

2019-05-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵5G 2.8萬(wàn) 0

氮化鎵器件和解決方案的進(jìn)展與應(yīng)用分析

觀看Gary Lerude (Microwave Journal)和Bryan Goldstein（ADI航空航天與國(guó)防業(yè)務(wù)部門(mén)總經(jīng)理）的訪談，了解氮化...

2019-08-05 標(biāo)簽：adi氮化鎵 3364 0

FLOSFIA公司開(kāi)發(fā)出了一種廉價(jià)制造氧化鎵晶體的方法

FLOSFIA公司的厲害之處，恰恰是克服了這一阻礙新技術(shù)發(fā)展的、高成本這一問(wèn)題。碳化硅和氮化鎵成本高的原因在于其從密度較小的氣體通過(guò)結(jié)晶的方法獲得。密度...

2019-02-26 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體氮化鎵 8713 0

基于GaN的特性，越來(lái)越多的人看好其發(fā)展的后勢(shì)

而GaN技術(shù)可以做到，因?yàn)樗悄壳叭蜃羁斓墓β书_(kāi)關(guān)器件，并且可以在高速開(kāi)關(guān)的情況下仍保持高效率水平，能夠應(yīng)用于更小的元件，應(yīng)用于充電器時(shí)可以有效縮小產(chǎn)...

2019-01-24 標(biāo)簽：充電器氮化鎵半導(dǎo)體器件 5551 0

在氮化鎵外延結(jié)構(gòu)中首次實(shí)現(xiàn)了垂直溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管

雖然晶體管沒(méi)有夾斷，但柵極電位確實(shí)調(diào)制了漏極電流（高達(dá)1.8倍，柵極為-10V，圖2）。根據(jù)模擬，夾斷發(fā)生在-112V左右。將其放在一位數(shù)范圍內(nèi)需要縮小...

2018-12-13 標(biāo)簽：晶圓晶體管氮化鎵 3793 0

基于GaN微絲陣列的UV金屬半導(dǎo)體探測(cè)器

華南師范大學(xué)和北京大學(xué)在（100）硅上開(kāi)發(fā)了基于氮化鎵（GaN）微絲陣列的紫外（UV）金屬 - 半導(dǎo)體 - 金屬（MSM）探測(cè)器。

2018-12-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵 3952 0

5G發(fā)展帶動(dòng)硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè),硅基氮化鎵應(yīng)用發(fā)展廣泛

與傳統(tǒng)的金屬氧化物（LDMOS）半導(dǎo)體相比，硅基氮化鎵的性能優(yōu)勢(shì)十分明顯——提供的有效功率可超過(guò)70%，每個(gè)單位面積的功率提升了4~6倍數(shù)，從而降低整體...

2018-11-10 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5G 9438 0

基于GaN的開(kāi)關(guān)器件驅(qū)動(dòng)是關(guān)鍵要素

輸入電壓兼容TTL電平，并且最大輸入電壓可以高達(dá)14V，而不考慮VDD軌電壓。同時(shí)，在高側(cè)/低側(cè)的應(yīng)用中，低傳播延遲和軌到軌的時(shí)鐘傾斜對(duì)效率也是至關(guān)重要...

2018-10-19 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 2.2萬(wàn) 0

移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)5G開(kāi)發(fā)基于氮化鎵（GaN）的經(jīng)濟(jì)高效的高性能技術(shù)

基站是蜂窩網(wǎng)絡(luò)的連接點(diǎn)。它們記錄無(wú)線電小區(qū)的傳輸數(shù)據(jù)并將其傳遞。為了確保未來(lái)毫米波頻段內(nèi)的數(shù)據(jù)泛濫，基站技術(shù)需要滿足兩個(gè)標(biāo)準(zhǔn)：輸出功率需要提高，同時(shí)保持...

2018-09-20 標(biāo)簽：移動(dòng)通信氮化鎵5G 5778 0

氮化鎵技術(shù)研究新進(jìn)展，如何作為“電力電子應(yīng)用中敏感探針”使用？

美國(guó)康奈爾大學(xué)，IQE RF LLC和Qorvo公司一直在研究如何更好地將埋入式p型GaN層活化 [Wenshen Li et al, Appl. Ph...

2018-09-09 標(biāo)簽：晶體管電力電子氮化鎵 5775 0

采用碳化硅和氮化鎵材料器件的應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)介紹

1.1 碳化硅和氮化鎵器件的介紹, 應(yīng)用及優(yōu)勢(shì)

2018-08-17 標(biāo)簽：二極管氮化鎵碳化硅 7131 0

一文看懂氮化鎵和碳化硅在混合動(dòng)力汽車中的作用

歐盟制定了一個(gè)雄心勃勃的目標(biāo)，即到2050年將其總體溫室氣體排放量降低至少80％。要實(shí)現(xiàn)該目標(biāo)，汽車行業(yè)的貢獻(xiàn)將非常重要。美國(guó)企業(yè)平均燃油經(jīng)濟(jì)性（CAF...

2018-03-25 標(biāo)簽：混合動(dòng)力汽車氮化鎵碳化硅 2.1萬(wàn) 0

3.4GHz-3.8GHz寬帶基站功放解決方案詳細(xì)過(guò)程

中國(guó)首家商用氮化鎵（GaN）電子器件生產(chǎn)企業(yè)蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），發(fā)布適合5G移動(dòng)通信的寬...

2018-05-08 標(biāo)簽：功率放大器氮化鎵5g 1.0萬(wàn) 0