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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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氮化鎵（GaN）MOS（金屬氧化物半導體）管驅(qū)動芯片是一種新型的電子器件，它采用氮化鎵材料作為通道和底層襯底，具有能夠承受高功率、高頻率和高溫度的特性。...
氮化鎵開關(guān)管是一種新型的半導體器件，適用于高頻高壓控制信號的開關(guān)應用。它由四個電極組成，包括柵極（G，Gate）、源極（S，Source）、漏極（D，D...
氮化鎵功率器件的電壓限制主要是由以下幾個原因造成的。 首先，氮化鎵是一種寬能帶隙半導體材料，具有較高的擊穿電場強度和較高的耐壓能力。盡管氮化鎵材料具有較...
今天拆解的是昭文推出的一款20W氮化鎵充電器，這款氮化鎵充電器采用白色直板機身設計，配有固定美規(guī)插腳。充電器具備單USB-C接口，支持20W PD和PP...
氮化鎵是第三代半導體的代表材料。研發(fā)之初是用于制造出顏色從紅色到紫外線的發(fā)光二極管，1990年起開始被廣泛應用于發(fā)光二極管上，目前被廣泛應用于功率器件、...
半導體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律，逐漸不適應于半導體行業(yè)的發(fā)展需求，砷化鎵、碳化硅、氮化鎵等化合物半...
SiC材料具有兩倍于Si的電子飽和速度，使得SiC 器件具有極低的導通電阻（1/100 于Si），導通損耗低；SiC材料具有3倍于Si 的禁帶寬度，泄漏...
充電頭網(wǎng)拿到了優(yōu)勝仕推出的一款35W氮化鎵磁吸收納線快充，這款充電器與傳統(tǒng)充電器不同的一點是配備了磁吸伸縮USB-C線模塊，既可以安裝磁吸USB-C線模...
本文研究了四個經(jīng)常被忽略的因素對基于GaN的全橋逆變器損耗模型的影響：器件的[寄生電容]()、時變功耗（Ploss）下的結(jié)溫度（*T*~j~）動力學、殼...
2023-12-06 標簽：轉(zhuǎn)換器濾波器氮化鎵 1819 0
可以改變焦距的鏡頭用于各種光學設備，例如可變放大倍率相機的變焦鏡頭、雙筒望遠鏡、光學顯微鏡和投影儀。 最近，智能手機相機等小型光學單元也配備了可變放大倍...
GaN和InGaN基化合物半導體和其他III族氮化物已經(jīng)成功地用于實現(xiàn)藍-綠光發(fā)光二極管和藍光激光二極管。由于它們優(yōu)異的化學和熱穩(wěn)定性，在沒有其它輔助的...
GaN作為寬禁帶III-V族化合物半導體最近被深入研究。為了實現(xiàn)GaN基器件的良好性能，GaN的處理技術(shù)至關(guān)重要。目前英思特已經(jīng)嘗試了許多GaN蝕刻方法...
淺析現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導體材料
半導體材料是半導體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎。半導體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導體產(chǎn)業(yè)中常用的半導...
本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結(jié)構(gòu)，并且由于氧化鎵能帶結(jié)構(gòu)的價帶無法有效進行空穴傳導...
本推文簡述氮化鎵器件，主要包括GaN HEMT和二極管，幫助讀者了解Sentaurus TCAD仿真氮化鎵器件的相關(guān)內(nèi)容。
氮化鎵激光芯片是一種基于氮化鎵材料制成的激光器件，具有高效率、高功率、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點，被廣泛應用于通信、醫(yī)療、工業(yè)等領(lǐng)域。下面我們將詳細介紹氮化鎵...
倍思氮化鎵充電器是一款優(yōu)秀的充電器，具有高效、快速、安全、環(huán)保等優(yōu)點。下面我們將詳細介紹倍思氮化鎵充電器的優(yōu)缺點、使用體驗和與其他產(chǎn)品的比較，幫助您更好...
氮化鎵是什么材料提取的 氮化鎵是一種新型的半導體材料，需要選用高純度的金屬鎵和氨氣作為原料提取，具有優(yōu)異的物理和化學性能，廣泛應用于電子、通訊、能源等領(lǐng)...
什么是氮化鎵 氮化鎵是一種無機物，化學式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體，自1990年起常用在發(fā)光二極管...
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