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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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瑞薩收購Transphorm,利用GaN技術擴展電源產(chǎn)品陣容
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(以下“瑞薩”,TSE:6723)與全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm, Inc.(以下“Tran...
應用在LCD顯示器電源插頭里的氮化鎵(GaN)MTC-65W1C
LCD(Liquid Crystal Display)顯示器是利用液晶顯示技術來進行圖像表現(xiàn)的顯示裝置,從液晶顯示器的結構來看,無論是筆記本電腦還是桌面...
Porotech是英國劍橋大學的子公司,正在開發(fā)基于氮化鎵(GaN)的microLED技術,用于AR微顯示器。
Power Integrations榮獲“國際功率器件行業(yè)卓越獎”
Power Integrations,憑借其全球領先的功率器件技術和卓越的市場表現(xiàn),榮獲了“國際功率器件行業(yè)卓越獎”。這一榮譽不僅是對Power Int...
Power Integrations榮獲兩項2023年電源行業(yè)配套品牌評選大獎
由世紀電源網(wǎng)主辦的第二屆年度電源行業(yè)配套品牌評選活動已經(jīng)落下帷幕,經(jīng)過激烈的競爭和嚴格的評審過程,所有獎項的評選工作現(xiàn)已完成。
蘇州高新區(qū)新添三大總部項目,覆蓋多領域產(chǎn)業(yè)
國微納半導體設備有限公司專注于第三代半導體氮化鎵及碳化硅外延設備的研究、開發(fā)、生產(chǎn)和銷售,以此一設備平臺滿足氮化鎵與碳化硅兩種半導體工藝需求。
近日,青島聚能創(chuàng)芯微電子有限公司(以下簡稱“聚能創(chuàng)芯”)完成了一項重大里程碑,成功募集1.7億元人民幣的A輪融資。這一重要融資不僅為聚能創(chuàng)芯的快速發(fā)展注...
近日,Nexperia(安世半導體)憑借其在氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領域的杰出表現(xiàn),榮獲兩項權威大獎:“SiC年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎”和“中國GaN功...
Transphorm與偉詮電子合作推出氮化鎵系統(tǒng)級封裝器件,支持多功率等級,為客戶創(chuàng)造競爭優(yōu)勢
Weltrend新參考設計表明,擁有成本優(yōu)勢的SuperGaN SiP IC,適用于65瓦和100瓦適配器 ,為客戶帶來規(guī)模經(jīng)濟以及無與倫比的氮化鎵穩(wěn)健...
2024-01-03 標簽:氮化鎵 519 0
英諾賽科發(fā)布100V車規(guī)級GaN推進汽車激光雷達市場
英諾賽科宣布推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q,該器件已通過AEC-Q101 認證,適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應用中的車規(guī)...
Transphorm:氮化鎵應用進一步擴展,2024年下半年半導體市場將回暖
正值歲末年初之際,回顧過去的2023年,半導體產(chǎn)業(yè)整體處于下行周期,各大應用領域的市場表現(xiàn)并不理想。那么復盤2023年的半導體產(chǎn)業(yè)狀況,能夠發(fā)現(xiàn)哪些細分...
針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術,開創(chuàng)了寬禁帶半導體和銅夾片封裝相...
國星光電聚焦SiC及GaN創(chuàng)新應用持續(xù)發(fā)力
近日,國星光電作為A級單位參編發(fā)布的《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調研白皮書》和《2023氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調研白皮書》在行家說2023碳化硅&...
霍爾元件的工作原理及其在低速測量中的應用? 霍爾元件是一種常用的物理傳感器,可以測量磁場的強度和方向。它是通過霍爾效應來工作的,霍爾效應是指在導電材料中...
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