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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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根據(jù)芯思想研究院數(shù)據(jù),2022 年通富微電是全球第四,中國(guó)大陸第二 OSAT 廠商,全球市占率 6.51%。公司收購(gòu) AMD 蘇州及 AMD 檳城各 8...
德州儀器 (TI) 今日發(fā)布低功耗氮化鎵 (GaN) 系列新品,可助力提高功率密度,大幅提升系統(tǒng)效率,同時(shí)縮小交流/直流消費(fèi)類電力電子產(chǎn)品和工業(yè)系統(tǒng)的尺...
淺析現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料
硅是最常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料,它具有穩(wěn)定性好、成本低、加工工藝成熟等優(yōu)點(diǎn)。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式,其中單晶硅在制造集成電路方面應(yīng)用最廣泛。...
2023-11-30 標(biāo)簽:半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)半導(dǎo)體材料氮化鎵 2131 0
GaN器件是平面器件,與現(xiàn)有的Si半導(dǎo)體工藝兼容性強(qiáng),因此更容易與其他半導(dǎo)體器件集成,進(jìn)一步降低用戶的使用門(mén)檻,并在不同應(yīng)用領(lǐng)域展現(xiàn)它的屬性和優(yōu)勢(shì),很有...
2023-11-28 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管氮化鎵 1478 0
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布與國(guó)際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商 KYOCERA AVX Comp...
什么是氮化鎵合封芯片科普,氮化鎵合封芯片的應(yīng)用范圍和優(yōu)點(diǎn)
氮化鎵功率器和氮化鎵合封芯片在快充市場(chǎng)和移動(dòng)設(shè)備市場(chǎng)得到廣泛應(yīng)用。氮化鎵具有高電子遷移率和穩(wěn)定性,適用于高溫、高壓和高功率條件。氮化鎵合封芯片是一種高度...
美國(guó)政府資助GlobalFoundries制造下一代氮化鎵芯片
隨著國(guó)防部Trusted Access Program Office(TAPO)授予的35萬(wàn)美元新資金,GF計(jì)劃購(gòu)買額外的工具,以擴(kuò)大開(kāi)發(fā)和原型設(shè)計(jì)能力...
2023-11-24 標(biāo)簽:芯片氮化鎵半導(dǎo)體制造 1269 0
國(guó)產(chǎn)氮化鎵實(shí)現(xiàn)新突破,1200V的氮化鎵器件有何優(yōu)勢(shì)?
眾所周知,GaN 功率晶體管的關(guān)鍵問(wèn)題之一是它們?cè)陂_(kāi)關(guān)操作期間的動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)) 增加,這會(huì)影響 GaN 功率晶體管和整個(gè)系統(tǒng)的可靠性。
2023-11-22 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻氮化鎵開(kāi)關(guān)器件 2097 0
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎?
氮化鎵mos管普通的驅(qū)動(dòng)芯片可以驅(qū)動(dòng)嗎? 當(dāng)涉及到驅(qū)動(dòng)氮化鎵(GaN)MOS管時(shí),需要考慮多個(gè)因素,包括工作電壓、功率需求、頻率要求以及電路保護(hù)等。通常...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOS管氮化鎵驅(qū)動(dòng)芯片 2493 0
氮化鎵激光器芯片能用酒精擦拭嗎? 氮化鎵激光器芯片是一種重要的光電子元件,被廣泛應(yīng)用于激光科技、光通信和生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域。對(duì)于氮化鎵激光器芯片的清潔維護(hù)非...
雖然氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體在汽車應(yīng)用中仍處于早期階段,它正迅速進(jìn)入更高電壓領(lǐng)域。考慮到其高功率密度和效率,氮化鎵技術(shù)正逐漸在汽車工業(yè)中獲得吸引力。適用于...
2023-11-22 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 824 0
11月20日,英諾賽科(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導(dǎo)體材料與器件研發(fā)基地同時(shí)開(kāi)展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問(wèn)題研究提升氮化鎵材料與器...
2023-11-22 標(biāo)簽:氮化鎵寬禁帶半導(dǎo)體英諾賽科 1132 0
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別
氮化鎵芯片是什么?氮化鎵芯片優(yōu)缺點(diǎn) 氮化鎵芯片和硅芯片區(qū)別? 氮化鎵芯片是一種用氮化鎵物質(zhì)制造的芯片,它被廣泛應(yīng)用于高功率和高頻率應(yīng)用領(lǐng)域,如通信、雷達(dá)...
氮化鎵充電器傷電池嗎?氮化鎵充電器怎么選? 氮化鎵(GaN)充電器被廣泛認(rèn)為是下一代充電器技術(shù)的關(guān)鍵。與傳統(tǒng)充電器相比,氮化鎵充電器具有很多優(yōu)勢(shì),比如高...
氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別?
氮化鎵充電器什么意思?氮化鎵充電器的優(yōu)點(diǎn)?氮化鎵充電器和普通充電器的區(qū)別是什么? 氮化鎵充電器是一種使用氮化鎵(GaN)材料制造的充電器。GaN是一種新...
GaN氮化鎵晶圓硬度強(qiáng)、鍍層硬、材質(zhì)脆材質(zhì)特點(diǎn),與硅晶圓相比在封裝過(guò)程中對(duì)溫度、封裝應(yīng)力更為敏感,芯片裂紋、界面分層是封裝過(guò)程最易出現(xiàn)的問(wèn)題。同時(shí),Ga...
作為提供不間斷連接的關(guān)鍵,許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。 氮化鎵技術(shù),通常稱為 GaN,是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,...
智佳能第三代氮化鎵分容水冷一體機(jī)降本增效領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)
動(dòng)力電池產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)多輪的產(chǎn)能狂飆后,擴(kuò)張?jiān)鏊龠M(jìn)入調(diào)整期。但新能源動(dòng)儲(chǔ)賽道發(fā)展大勢(shì)仍為全球共識(shí),或?qū)⑷匀皇俏磥?lái)增速較快的行業(yè)之一。
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