完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
文章:1571個(gè) 瀏覽:117607次 帖子:77個(gè)
保證了HEMT器件產(chǎn)品在0-850V的電壓區(qū)間上的安全穩(wěn)定工作,在國內(nèi)市場中位居前列。利用芯生代的GaN-on-Si外延片,可開發(fā)出650V、900V、...
第一代半導(dǎo)體材料主要是指硅(Si)、鍺(Ge)半導(dǎo)體材料,興起于二十世紀(jì)五十年代,帶動(dòng)了以集成電路為核心的微電子產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展,被廣泛的應(yīng)用于消費(fèi)電子、...
2023-11-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體材料氮化鎵碳化硅 3189 0
芯生代科技發(fā)布面向HEMT功率器件的850V大功率氮化鎵外延產(chǎn)品
2023年11月10日,溫州芯生代科技有限公司在2023世界青年科學(xué)家峰會(huì)上隆重發(fā)布了面向高電壓大電流HEMT功率器件應(yīng)用的850V Cynthus?系...
“在2024財(cái)年第二季度,我們看到了強(qiáng)勁的環(huán)比和同比產(chǎn)品銷售增長,同時(shí),毛利率同比增長了近一倍。我們對產(chǎn)品線的持續(xù)增長和設(shè)計(jì)勝利感到高興,大功率設(shè)計(jì)的成...
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料,具有高頻率、高功率、高溫穩(wěn)定性和低損耗等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子器件、光電子器件和微波器件等領(lǐng)域。隨著科技的不斷發(fā)展...
GaN材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料。上次帶大家了解了它的基礎(chǔ)特性:氮化鎵(GAN)具有...
氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其獨(dú)特的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用,已經(jīng)成為了微電子和光電子領(lǐng)域的重要材料之一。下面將詳細(xì)介紹氮化鎵的性質(zhì)和用途。
功率半導(dǎo)體商納微半導(dǎo)體明天發(fā)布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績召開電話會(huì)議
? ?納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)將于美東時(shí)間2023年11月9日星期四股市收市后,公布2023年第三季度財(cái)務(wù)業(yè)績。納微半導(dǎo)體管理層將召開電...
2023-11-08 標(biāo)簽:氮化鎵功率半導(dǎo)體碳化硅 658 0
氮化鎵是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料,具有高電子遷移率、高耐壓、高頻率等特性。相比傳統(tǒng)的硅材料,氮化鎵材料的帶隙寬度更大,能夠承受更高的電壓和溫度,同時(shí)具有更高...
GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)?怎么在技術(shù)上各個(gè)突破?
GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)?怎么在技術(shù)上各個(gè)突破?GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧? GaN(氮化鎵)是一種新型的半導(dǎo)體材料,相比傳統(tǒng)的硅材料,具有更高的電...
2023-11-07 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)電路氮化鎵GaN 1398 0
應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢?
GaN為何物?應(yīng)用于新一代電力電子的GaN相比于傳統(tǒng)的Silicon有何優(yōu)勢? GaN, 全名氮化鎵(Gallium Nitride),是一種半導(dǎo)體材料...
南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局領(lǐng)導(dǎo)蒞臨國星半導(dǎo)體調(diào)研LED芯片、功率器件用GaN芯片
? 為提高企業(yè)創(chuàng)新能力,為南海區(qū)實(shí)現(xiàn)產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展提供有力支撐,11月2日下午,南海區(qū)科學(xué)技術(shù)局局長薛佩華,科技規(guī)劃和監(jiān)督股股長熊惠芬,科技成果轉(zhuǎn)化股股...
納微GaNFast氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23,下一代GaNFast技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片 加利福尼亞托倫斯2023年10月31日訊?—?納微半導(dǎo)...
納微GaNFast?氮化鎵功率芯片獲三星旗艦智能手機(jī)Galaxy S23采用
從三星S22到S23,下一代GaNFast?技術(shù)持續(xù)在超便攜、超快充的手機(jī)市場中取代傳統(tǒng)硅功率芯片
2023-11-03 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車OLED屏氮化鎵 1687 0
氮化鎵(GaN)被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料,今天金譽(yù)半導(dǎo)體帶大家來簡單了...
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體媒體開放日,現(xiàn)場見證Super IDM產(chǎn)業(yè)效率革命
譽(yù)鴻錦半導(dǎo)體在10月27日舉辦“媒體開放日”活動(dòng),就兩周前行業(yè)發(fā)布會(huì)上提出的”Super IDM“做了現(xiàn)場產(chǎn)線展示和上下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)詳解。多家半導(dǎo)體行業(yè)...
高中低壓全品線布局!一家快速發(fā)展的國產(chǎn)氮化鎵IDM芯片廠商
據(jù)了解,致能科技成立于2018年,專注于寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用。近年來,公司的發(fā)展勢頭愈發(fā)亮眼,已研發(fā)出了650V、900V系列...
Power Integrations發(fā)布全球電壓最高的單開關(guān)氮化鎵電源IC
新型PowiGaN開關(guān)為工業(yè)應(yīng)用提供了巨大的裕量,在具有挑戰(zhàn)性的電網(wǎng)環(huán)境中尤為重要。 Power Integrations發(fā)布了全球電壓最高的單開關(guān)氮化...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺 | 無人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |