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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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射頻功率放大器是無線通信系統中的關鍵部件，其性能直接影響到無線設備的整體性能。傳統的射頻功率放大器主要采用三五族化合物半導體材料，如GaAs、InP等。...
Transphorm 最新技術白皮書： 常閉耗盡型 (D-Mode)與增強型 (E-Mode) 氮化鎵晶體管的優勢對比
氮化鎵功率半導體器件的先鋒企業 Transphorm說明了如何利用其Normally-Off D-Mode平臺設計充分發揮氮化鎵晶體管的優勢，而E-Mo...
2023-10-24 標簽：氮化鎵 5550 0
隨著各大手機和筆記本電腦品牌紛紛進入氮化鎵快充市場，氮化鎵功率器件的性能得到進一步驗證，同時也加速了氮化鎵技術在快充市場的普及。目前，快充源市場上氮化鎵...
這種更高效的無線能量傳輸技術使得各種應用變得更加簡單，同時也開辟了新的領域。比如，你可以用它來給電動滑板車充電，而滑板車的位置在充電墊上沒有那么嚴格。對...
隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而在這些設備中，電源是一個非常重要的部件。近年來，氮化鎵（GaN）材料在電源領域的應用逐漸受到關注...
隨著科學技術的不斷進步，充電技術也在發生著前所未有的變革，而隨著其中，氮化鎵充電頭已成為人們關注的新熱點。那么，氮化鎵充電頭的原理是什么呢？KeepTo...
據外媒報道，格芯已獲得美國政府3500萬美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開發和生產硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該...
小體積30W氮化鎵PD參考設計,CX75GE030DI合封芯片來助力！
高集成30W氮化鎵合封芯片CX75GE030DI助力充電器輕松實現簡化電源設計，CX75GE030DI內部集成了氮化鎵功率管控制和驅動電路芯片，外圍精簡...
在AI的蓬勃發展下，數據中心對電力與運算的需求呈正比成長，激增的用電量不僅對營運效率造成壓力，更成為數據中心達成凈零排放目標的阻礙。當前數據中心所采用的...
10月13日，譽鴻錦半導體在深圳國際會展中心（寶安新館）隆重舉行了氮化鎵（GaN）器件品牌發布會，暨譽鴻錦2023年度GaN功率電子器件及招商發布會活動...
Transphorm氮化鎵器件助力DAH Solar(大恒能源)全球首個全集成化微型逆變器光伏系統
使用更為先進的 Transphorm氮化鎵器件，使突破性的太陽能電池板系統外形更小、更輕，且擁有更高的性能和效率。 ? ? 加利福尼亞州戈萊塔 － 20...
2023-10-16 標簽：氮化鎵 1033 0
隨著科學技術的不斷進步，電力電子設備的應用越來越廣泛，而氮化鎵（GaN）材料在提高能源效率方面發揮著重要作用。本文將討論氮化鎵材料的特性，氮化鎵在電力電...
氮化鎵快充技術的普及，絕不僅僅是成品數量的增加而已，更重要的是，在芯片層面，氮化鎵功率器件的供應商從最初的幾家增加到十幾家，產品類型多樣，主控芯片品牌超...
隨著科技的不斷進步，電力電子領域正在發生著深刻的變化。在這個變化中，第三代半導體氮化鎵（GaN）技術成為了焦點，其對于充電器的性能和效率都帶來了革命性的...
作為氮化鎵快充控制器國產化的先行者，KeepTops率先實現了氮化鎵控制芯片的自主可控性，并成功量產集成GaN直驅的控制器。得到了業界的廣泛認可，現已推...
開關模式電源（Switch Mode Power Supply，簡稱SMPS），又稱交換式電源、開關變換器，是一種高頻化電能轉換裝置，是電源供應器的一種。
毫無疑問，5G更高的帶寬、更低的延遲和更高的可用性使其非常適合一系列應用。然而，較高頻段，特別是毫米波 (mmWave)，也給實現這些改進帶來了挑戰。因...
第三代寬禁帶半導體SiC和GaN在新能源和射頻領域已經開始大規模商用。與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有許多優勢，這些優勢源于新材料和器件結構的創新。
GaN是一種寬禁帶材料。因此，它的帶隙（電子從價帶移動到導帶所需的能量）比硅寬得多：約3.4eV對1.12 eV。GaN HE MT增強的電子遷移率與更...
CGD 的 ICeGaN HEMT 榮獲臺積電歐洲創新區“最佳演示”
英國劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環保科技半導體公司，開發了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造...
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