SiC 和 GaN：兩種半導(dǎo)體的發(fā)展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產(chǎn)品便宜得多，并且不會(huì)很快從電力應(yīng)用中消失。但一級(jí)制造商和原始設(shè)備制造商表示，將高功率密度碳化硅應(yīng)用到逆變器設(shè)...

2023-10-08 標(biāo)簽：SiC氮化鎵GaN 1108 0

氮化鎵功率器件測(cè)試方案

在當(dāng)今的高科技社會(huì)中，氮化鎵（GaN）功率器件已成為電力電子技術(shù)領(lǐng)域的明星產(chǎn)品，其具有的高效、高頻、高可靠性以及高溫工作能力等優(yōu)勢(shì)在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用...

2023-10-08 標(biāo)簽：測(cè)試功率器件氮化鎵 1466 0

GaN技術(shù)：電子領(lǐng)域的下一波浪潮

GaN技術(shù)正在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角，受到了廣泛的關(guān)注和投資。這一前沿技術(shù)在汽車、消費(fèi)電子和航空航天等領(lǐng)域，特別是在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中，展現(xiàn)了巨大的潛力。這將...

2023-10-07 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車氮化鎵GaN 800 0

氮化鎵和碳化硅的結(jié)構(gòu)和性能有何不同

作為第三代功率半導(dǎo)體的絕世雙胞胎，氮化鎵MOS管和碳化硅MOS管日益受到業(yè)界特別是電氣工程師的關(guān)注。電氣工程師之所以如此關(guān)注這兩種功率半導(dǎo)體，是因?yàn)樗鼈?..

2023-10-07 標(biāo)簽：MOS氮化鎵功率半導(dǎo)體 1769 0

關(guān)于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關(guān)合金可用于制造藍(lán)色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學(xué)蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干...

2023-10-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓氮化鎵 1013 0

分析氮化鎵芯片的特點(diǎn)

作為第三代半導(dǎo)體材料，氮化鎵具有高頻、高效率、低發(fā)熱等特點(diǎn)，是制作功率芯片的理想材料。如今，電源芯片廠商紛紛推出氮化鎵封裝芯片產(chǎn)品。這些氮化鎵芯片可以顯...

2023-10-07 標(biāo)簽：芯片封裝氮化鎵 1178 0

國星光電聯(lián)合佛照電工推出33W氮化鎵墻插快充新品

86面板墻插是我國普通家庭用電最常見的一種電力接口，當(dāng)?shù)谌雽?dǎo)體氮化鎵功率器件遇上86面板墻插，會(huì)帶來怎樣的新驚喜呢？

2023-09-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器半導(dǎo)體氮化鎵 1125 0

第三代半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)——氮化鎵、碳化硅

　　隨著全球進(jìn)入物聯(lián)網(wǎng)、5G、綠色能源和電動(dòng)汽車時(shí)代，能夠充分展現(xiàn)高電壓、高溫和高頻能力、滿足當(dāng)前主流應(yīng)用需求的寬禁帶半導(dǎo)體高能量轉(zhuǎn)換效率半導(dǎo)體材料開始...

2023-09-22 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體氮化鎵 1241 0

高能效、小尺寸PD快充穩(wěn)壓器應(yīng)用

當(dāng)今開關(guān)電源設(shè)計(jì)中的五大問題： （1）高效率，（2）高功率密度，（3）低待機(jī)功耗，（4）高可靠性，（5）低成本。隨著PD和適配器行業(yè)的發(fā)展，需要相同或...

2023-09-21 標(biāo)簽：穩(wěn)壓器變換器反激式 1005 0

如何選擇性價(jià)比高的氮化鎵芯片？采用KT65C1R200D產(chǎn)品

選擇氮化鎵芯片時(shí)，根據(jù)應(yīng)用的需求，確定所需的性能指標(biāo)，包括功耗、頻率、工作溫度范圍等。不同型號(hào)的氮化鎵芯片有不同的性能特點(diǎn)，需要根據(jù)具體的應(yīng)用場景選擇合...

2023-09-20 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 938 0

淺談氮化鎵快充芯片方案

氮化鎵芯片在快充技術(shù)中扮演著重要的角色，氮化鎵芯片可以作為控制器和管理器，監(jiān)測(cè)和調(diào)整充電電流、電壓和充電模式，確保快充過程的安全和穩(wěn)定。它可以精確控制充...

2023-09-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵快充芯片 1191 0

了解氮化鎵芯片的應(yīng)用和發(fā)展

GaN（KT65C1R200D）具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。因此，GaN比Si更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損...

2023-09-18 標(biāo)簽：芯片氮化鎵GaN 1054 0