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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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GaN行業(yè)新標桿:比業(yè)界最佳Si MOSFET效率高2%,兼容所有驅(qū)動器
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/吳子鵬)為了實現(xiàn)“雙碳”(“碳達峰”和“碳中和”)目標,全球主要國家和地區(qū)在環(huán)保法規(guī)上持續(xù)收緊,給消費、汽車、工業(yè)和能源等重點領域...
對于近幾年的電子產(chǎn)品來說,隨著充電技術的普及,快速充電技術在各種電子設備上得到了普及。我們經(jīng)常在智能手機上看到40W快充、65W快充等字樣。充電環(huán)節(jié)中最...
與等效硅基解決方案相比,氮化鎵基HEMT的開關更快、熱導率更高和導通電阻更低,因此在電路中采用氮化鎵晶體管和集成電路,可提高效率、縮小尺寸并降低各種電源...
2023-09-14 標簽:MOSFET電源轉(zhuǎn)換氮化鎵 413 0
三安半導體首發(fā)8英寸碳化硅襯底,國內(nèi)8英寸加速布局!
從產(chǎn)能來看,湖南三安現(xiàn)有SiC產(chǎn)能15,000片/月,較2022年底新增3,000片/月,提升25%;GaN-on-Si(硅基氮化鎵)產(chǎn)能2,000片/...
氮化鎵是一種無機物質(zhì),化學式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似,硬度非...
氮化鎵主要用于LED(發(fā)光二極管)、微電子(微波功率和電力電子器件)、場效電晶體(MOSFET)
QORVO的QPA4246D Q波段高功率MMIC放大器概述
QORVO的QPA4246D是款高功率MMIC放大器,選用Qorvo制造的0.15μm碳化硅基氮化鎵(QGaN15)制造技術。QPA4246D對于37....
意法半導體GaN驅(qū)動器集成電流隔離功能 具有卓越的安全性和可靠性
近日,意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅(qū)動器,新產(chǎn)品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應...
氮化鎵芯片和硅芯片有什么區(qū)別?有什么優(yōu)勢?
氮化鎵芯片是目前世界上速度最快的電源開關器件之一。氮化鎵本身就是第三代材料,很多特性都強于傳統(tǒng)的硅基半導體。
據(jù)了解,此次信越化學工業(yè)與OKI開發(fā)的新技術,可以在特有的基板上噴射鎵系氣體,使晶體生長。信越化學工業(yè)的增厚晶體技術與OKI的接合技術相結(jié)合,可以從基板...
泰高技術攜手鎵宏半導體簽署GaN領域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議
近日,深圳市泰高技術與深圳鎵宏半導體有限公司達成了一項全面戰(zhàn)略合作協(xié)議,旨在增強企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力,提升產(chǎn)品競爭力。
GaN加速商業(yè)化進程 國內(nèi)GaN產(chǎn)業(yè)市場現(xiàn)狀及前景分析
氮化鎵(GaN)是一種由氮和鎵組成的半導體材料,因其禁帶寬度大于2.2eV,故又稱為寬禁帶半導體材料。是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,也是在藍色發(fā)光器件中具...
納微第四代氮化鎵器件樹立大功率行業(yè)應用內(nèi)新標桿
納微半導體第四代高度集成氮化鎵平臺在效率、密度及可靠性要求嚴苛的大功率行業(yè)應用內(nèi)樹立新標桿
支持PD3.0,30W標準續(xù)航蘋果15充電頭解決方案
近期,展嶸再次給電源適配器開發(fā)了新的方案,支持PD3.0的30W氮化鎵充電頭,一共有兩個接口:A+C。該方案使用的是主控合封氮化鎵SW1123+同步SW...
國產(chǎn)碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體PCIM Asia 2023亮點回顧
8月29日-31日,上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會(簡稱PCIM Asia)在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領先亞洲的電力電子展會,本屆...
據(jù)了解,2022年,晶湛半導體先后完成B+輪數(shù)億元戰(zhàn)略融資和C輪數(shù)億元融資。其中,C輪融資本是由蔚來資本、美團龍珠領投,華興資本旗下華興新經(jīng)濟基金、欣柯...
氮化鎵半導體激光器具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點,波長范圍覆蓋可見光和紫外波段,應用場景包括激光顯示、工業(yè)加工、激光照明、激光通訊、激光醫(yī)療等眾多領域...
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