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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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峰值效率98%，納微12kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，支持英偉達Backwell GPU
去年底納微半導(dǎo)體發(fā)布全球首款8.5kW AI數(shù)據(jù)中心服務(wù)器電源，其采用了氮化鎵和碳化硅技術(shù)的混合設(shè)計，實現(xiàn)了>97.5%的超高效率，完美適配AI和...
2025-05-06 標(biāo)簽：電源氮化鎵納微半導(dǎo)體 3462 0
安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動力2025上海車展核心技術(shù)首秀
安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動力(Horse Powertrain)首款超級集成動力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...
2025-04-29 標(biāo)簽：氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1299 0
納微半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025
納微半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025，全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電機馬達和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進展。
2025-04-27 標(biāo)簽：數(shù)據(jù)中心氮化鎵納微半導(dǎo)體 394 0
25W帶恒功率12V單高壓氮化鎵快充芯片U8723AHYLB芯片內(nèi)置Boost電路將功率開關(guān)器件（如MOSFET）、驅(qū)動電路、反饋網(wǎng)絡(luò)等集成于單一封裝，...
聯(lián)合電子發(fā)布CharCON 5U產(chǎn)品后，以>4.0kW/L的高功率密度獲得了越來越多客戶的認可。針對國內(nèi)市場的特點，聯(lián)合電子持續(xù)加快創(chuàng)新步伐，深化...
氮化鎵電源芯片U8733L與U8733同屬U8733X系列，都是外置OTP，自帶降功率(限12V最大輸出)，集成高壓啟動電路，可獲得快速啟動功能和超低的...
直擊AI服務(wù)器電源痛點！英諾賽科4.2KW氮化鎵方案在2025慕展驚艷登場
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/章鷹）4月15日到17日，在慕尼黑上海電子展上，功率器件大廠英諾賽科帶來了數(shù)字能源、消費電子、汽車電子、機器人領(lǐng)域最新的氮化鎵器件...
納微半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機（OBC）和高壓轉(zhuǎn)低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效...
2025-04-17 標(biāo)簽：氮化鎵功率半導(dǎo)體功率芯片 1588 0
納微半導(dǎo)體AI數(shù)據(jù)中心電源方案亮相2025慕尼黑上海電子展
眾所周知，“80 PLUS”是用于評估并認證計算機和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)，而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn)，也于2025年1月，...
2025-04-16 標(biāo)簽：電源數(shù)據(jù)中心氮化鎵 472 0
似乎我們的所有設(shè)備，都只能一味地“索取”電能，但你有沒有想過，有一天我們的電子設(shè)備也能在電網(wǎng)需要時，將儲存的電能反向輸送。
2025-04-15 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片雙向開關(guān) 370 0
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號 功率65W
氮化鎵電源芯片U8722X系列喜迎U8722FE料號功率65WYINLIANBAO深圳銀聯(lián)寶科技氮化鎵電源芯片U8722X家族，喜提“芯”成員——U87...
意法半導(dǎo)體與英諾賽科簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術(shù)聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領(lǐng)域打造面向未來的功率電子技術(shù)。 ??英諾賽科可借助意法...
2025-04-01 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵英諾賽科 1435 0
芯干線榮獲2025中國IC設(shè)計成就獎之年度最佳功率器件/寬禁帶器件
此前，2025年3月27-28日，全球前沿的電子行業(yè)媒體機構(gòu) AspenCore，在上海金茂君悅大酒店成功舉辦了“國際集成電路展覽會暨研討會(IIC S...
意法半導(dǎo)體MasterGaN與VIPerGaN產(chǎn)品家族介紹
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷革新，智能功率氮化鎵（GaN）成為備受矚目的關(guān)鍵技術(shù)。它融合了氮化鎵材料高電子遷移率、低導(dǎo)通電阻、耐高溫高壓的特性，以及智能控制電路和...
2025-03-24 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體晶體管氮化鎵 724 0
氮化鎵技術(shù)再突破！英飛凌重磅發(fā)布新品，助力人形機器人能效革新
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 3月14日，在英飛凌ICIC峰會上，英飛凌首次在國內(nèi)展示英飛凌發(fā)布兩項技術(shù)創(chuàng)新，分別是英飛凌300mm氮化鎵功率半導(dǎo)體晶圓和20μ...
2025-03-20 標(biāo)簽：氮化鎵 1893 0
中科院最新實驗數(shù)據(jù)顯示：一片比指甲蓋還小的納米金剛石膜，能讓氮化鎵器件壽命暴增8倍！華為被曝光的實驗室視頻更震撼：用激光在GaN芯片上‘雕刻’出微米級鉆...
納微半導(dǎo)體發(fā)布雙向GaNFast氮化鎵功率芯片
唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵（GaN）功率芯片和碳化硅（SiC）技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達克股票代碼: NVTS）今日重磅發(fā)布...
CGD官宣突破性技術(shù)：以創(chuàng)新性氮化鎵解決方案撬動超百億美元新能源車主驅(qū)逆變器市場
通過將ICeGaN HEMT與IGBT混合并聯(lián)集成至單一封裝，實現(xiàn)高效率與降本雙贏 ? 2025年3月10日，英國劍橋訊——Cambridge GaN ...
2025-03-11 標(biāo)簽：氮化鎵 699 0
SiC與GaN技術(shù)專利競爭：新興電力電子領(lǐng)域的創(chuàng)新機遇
在過去十年中，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)技術(shù)的迅速崛起顯著重塑了電力電子行業(yè)。這些寬禁帶材料提供了諸多優(yōu)勢，如降低功率損耗、更高的開關(guān)速度以及能...
全日程更新丨2025英飛凌寬禁帶開發(fā)者論壇向你發(fā)出邀請
英飛凌全球?qū)捊麕ч_發(fā)者論壇連續(xù)多年舉辦，匯集了來自碳化硅SiC和氮化鎵GaN領(lǐng)域的專家，更有一個來自中國客戶的特邀報告。2025年3月11日北京時間下午...
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