介紹硅襯底GaN基Micro LED技術(shù)的發(fā)展情況

Micro LED新型顯示具有巨大市場(chǎng)前景，也面臨著一系列技術(shù)挑戰(zhàn)。選擇合理的產(chǎn)業(yè)化路線對(duì)推動(dòng)Micro LED應(yīng)用落地非常關(guān)鍵。

2023-04-26 標(biāo)簽：LED芯片氮化鎵GaN 2619 0

納微半導(dǎo)體發(fā)布高頻、高壓的氮化鎵+低壓硅系統(tǒng)控制器方案

氮化鎵是相比傳統(tǒng)高壓 (HV) 硅 (Si) 功率半導(dǎo)體有著重大升級(jí)的下一代半導(dǎo)體技術(shù)，同時(shí)還減少了提供相同性能所需的能源和物理空間。

2023-04-25 標(biāo)簽：氮化鎵系統(tǒng)控制器功率芯片 699 0

GaN:RX65T300 HS2A,240mΩ的原理、特點(diǎn)及優(yōu)勢(shì)

GaN:RX65T300 HS2A是一種基于氮化鎵技術(shù)的功率器件，具有較低的導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗、高的開(kāi)關(guān)速度和可靠性。其特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)如下：1. 低導(dǎo)通電阻...

2023-04-20 標(biāo)簽：功率器件氮化鎵GaN 1203 0

氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因

氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 ? 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密...

2023-04-19 標(biāo)簽：氮化鎵 1125 0

氮化鎵 (GaN) 帶來(lái)電源管理變革的 3 大原因

來(lái)源：德州儀器 氮化鎵正取代硅，越來(lái)越多地用于需要更大功率密度和更高能效的應(yīng)用中 作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高...

2023-04-19 標(biāo)簽：電源芯片氮化鎵 488 0

電子工程師解答電路設(shè)計(jì)、元器件選型等問(wèn)題

近幾年，隨著手機(jī)等電子產(chǎn)品的普及，人們對(duì)于快速充電的需求越來(lái)越高。在這樣的趨勢(shì)下，愛(ài)美雅電子推出了一款性能卓越的65W氮化鎵快充方案，其高效、安全、快速...

2023-04-19 標(biāo)簽：電源氮化鎵 337 0

氮化鎵(GaN)帶來(lái)電源管理變革的3大原因

作為提供不間斷連接的關(guān)鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導(dǎo)體技術(shù)來(lái)提高能效和功率密度。

2023-04-18 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電源管理德州儀器 1030 0

合封氮化鎵芯片是什么

合封氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體器件，它具有高效率、高功率密度和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。與傳統(tǒng)的半導(dǎo)體器件相比，合封氮化鎵芯片采用了全新的封裝技術(shù)，將多個(gè)半導(dǎo)體...

2023-04-11 標(biāo)簽：芯片氮化鎵合封 2051 0

65W-1A2C接口氮化鎵(GaN)PD快充電源方案

1A2C-65W氮化鎵（GaN）快充方案，快充方案支持90~264V寬輸入電壓，輸出支持5V/3A，9V/3A，12V/3A，15V/3A，20V/3....

2023-04-07 標(biāo)簽：充電器氮化鎵GaN 1329 0

?國(guó)內(nèi)首條氮化鎵半導(dǎo)體激光器芯片量產(chǎn)線正式投產(chǎn)

由于技術(shù)門檻較高，只有國(guó)際極少數(shù)頂尖企業(yè)掌握該芯片的生產(chǎn)制造技術(shù)。為解決氮化鎵激光器芯片“卡脖子”問(wèn)題， 2020年9月，颶芯科技正式簽約入駐北部生態(tài)新...

2023-04-04 標(biāo)簽：半導(dǎo)體激光器氮化鎵 2273 0

電阻爐八英寸碳化硅制備技術(shù)探索

碳化硅襯底產(chǎn)品通過(guò)外延和核心器件企業(yè)，制成的終端產(chǎn)品應(yīng)用于新能源汽車、光伏、軌道交通、電力電子等核心系統(tǒng)。

2023-03-29 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅高頻器件 948 0