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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵,分子式GaN,英文名稱Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導體,自1990年起常用在發光二極管中。
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電子發燒友網報道(文/李誠)自電動兩輪車新國標落地后,行業迎來產業躍遷的新機遇。據中國自行車協會統計,2020年電動兩輪車市場交易金額達1046億元,增...
2022-11-24 標簽:氮化鎵 2296 0
該外延片專為新能源汽車電驅系統開發,以適用目前更高效的800V電壓架構。并且該外延片基于國產設備開發,完全自主可控。
2022-11-18 標簽:氮化鎵 1711 0
納微半導體助?摩托羅拉X30 Pro發布全新125W氮化鎵快充
作為摩托羅拉的最新旗艦?機,X30 Pro搭載了4nm的?通驍龍8+Gen 1處理器,采?6.7英??持144Hz刷新率的OLED顯?屏。值得?提的是,...
用于控制電力的功率半導體的新一代產品已進入普及階段。使用碳化硅(SiC)的半導體以純電動汽 用于控制電力的功率半導體的新一代產品已進入普及階段。使用碳化...
憑藉在第三代半導體GaN制造方面的專業知識、強大科研技術團隊及研發能力,宏光半導體近年積極實現相關業務轉型。集團之技術團隊利用其豐富經驗,在短短三個月調...
單晶硅錠經過切片、研磨、蝕刻、拋光、外延(如有)、鍵合(如有)、清洗等工藝步驟,制造成為半導體硅片。在生產環節中,半導體硅片需要盡可能地減少晶體缺陷,保...
SiC MOSFET被推廣為使用IGBT的現有設計的絕佳替代品。IGBT一直是大型光伏逆變器和風力渦輪機>1000 V應用的支柱,提供中速開關。
第三代化合物半導體材料中,碳化硅(SiC)與方案商和中小設備終端制造商關系最大,它主要作為高功率半導體材料應用于電源,汽車以及工業電力電子,在大功率轉換...
Wolfspeed的CG2H80060D是種氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與硅或砷化鎵相比較,GaN具備優異的性能指標;CG2H800...
關于氮化鎵(GaN)衍生功率器件的可行性,人們一直在進行無休止的猜測和相當多的懷疑,但Dialog半導體認為它已經破解了它。基于GaN的功率器件具有...
2022-10-21 標簽:氮化鎵 1380 0
近日,深圳市泰高技術有限公司(下稱“泰高”)與世強先進(深圳)科技股份有限公司(下稱“世強先進”)簽署代理協議,授權世強先進代理其旗下氮化鎵電源產品、低...
美國“2022芯片與科學法案”或對全球半導體格局產生影響。該法案主要包括兩方面內容:一是向半導體行業提供約527億美元的資金支持,并為企業提供價值240...
氮化鎵高電子遷移率晶體管CGH55030F1/CGH55030P1介紹
Wolfspeed的CGH55030F1/CGH55030P1是專門為高效率而設計氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT);高增益和寬帶寬性能;促...
__[導讀]__Nexperia 是基本半導體領域的專家,最近宣布其最新產品添加到越來越多的分立器件中,該器件采用具有側面可濕性側面 (SWF) 的無引...
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