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標簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導體，自1990年起常用在發光二極管中。
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電動汽車的日益普及正在改變行業，對緊湊輕巧的電源管理解決方案的強烈需求同時又不影響車輛性能。同時，設計更高效、更具成本效益的工業解決方案將減少排放，為更...
碳化硅和氮化鎵技術正在徹底改變汽車、工業、航空航天和國防領域的電源應用
半導體器件的最終應用領域對電源應用的硅替代品的要求越來越高： 硅 Mosfets 的開關電阻太高，無法達到 SiC（碳化硅）提供的 99% 的轉換效率。...
Diafilm TM220 是一種化學氣相沉積 （CVD） 金剛石熱等級，可為工業用戶提供超過 2200 W/mK 的熱導率。
能源轉型的挑戰涉及不同的市場。電動汽車 (EV) 的技術進步正在降低成本，但最重要的是提供了許多消費者所需的更大范圍效率。更高功率密度的電池、更高效的電...
提高功率密度的路線圖從降低傳導動態損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動態損耗，從而降低整體損耗。因此，這是未來實現高功率密度的一種方法。 第二個參...
電子元件和電路的適當熱管理是確保系統在所有操作條件下正確運行和可靠性的基本要求。當前電子設備逐漸小型化的趨勢以及對功率密度的需求不斷增加，將熱管理問題置...
在過去的幾十年中，全球SiC 和 GaN領域的特點是發展、行業接受度不斷提高以及有望實現數十億美元的收入。第一個商用 SiC 器件于 2001 年以德國...
如何化解第三代半導體的應用痛點 在集成電路和分立器件領域，硅始終是應用最廣泛、技術最成熟的半導體材料，但硅材料技術的成熟恰恰意味著難以突破瓶頸。為了打破...
上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上現役最大的單體載人航天艙段送上...
國產氮化鎵芯片“上天”，中國空間站、北斗、火星探測都已經用上
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）上周日，問天實驗艙由長征5號B遙三運載火箭送上太空，并與中國空間站天和核心艙順利完成對接。而除了將問天實驗艙這個當今世界上...
拆解|QR架構、功率密度0.91W/cm3的國產30W 氮化鎵快充
電子發燒友網報道（文/李誠）隨著電子設備充電功率的不斷提高，具有耐高溫 、高壓、高開關頻率的氮化鎵，在消費類快充領域進入了發展的快車道。氮化鎵不僅能夠替...
氮化鎵 (GaN) 是一種化合物、寬帶隙半導體，具有一些令人難以置信的特性。其中，它的開關速度比傳統的硅基設備快幾倍，從而減小了芯片和系統尺寸。此外，它...
GaN 提高了功率轉換級的效率，使其成為制造高效電壓轉換器中硅的可行替代品。與硅相比，GaN 具有許多優勢，包括更高的能效、更小的尺寸、更輕的重量和更便...
傳統上，半導體生產中最常用的材料是硅 (Si)，因為它的資源豐富且價格實惠。然而，半導體制造商可以使用許多其他材料。此外，它們中的大多數都提供額外的好處...
氮化鎵是未來節能電動汽車和 5G 網絡的關鍵組成部分。Hexagem是一家位于隆德大學的初創公司，正在瑞典研究機構Rise 測試平臺 ProNano開發...
碳化硅和氮化鎵等 寬帶隙 功率半導體可減小組件尺寸、提高效率并改善混合動力和全電動汽車的性能。 現在越來越多的汽車制造商押注于 SiC 和 GaN，芯片...
在設計基于氮化鎵的轉換器七年后，我們可以肯定地說，從硅 MOSFET 到 GaN 晶體管的轉換是一個革命性事件，其規模可與 70 年代后期的功率 MOS...
氮化鎵已成為事實上的第三代半導體材料。然而，以您需要的質量和所需的熱阻制造 GaN 晶圓是晶圓廠仍在努力克服的挑戰。
高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉換產品的先鋒和全球供應商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)今天宣布，全球電源產品和電動...
2022-07-29 標簽：適配器氮化鎵Transphorm 864 0
“全氮化鎵”氮化鎵充電系列有七個新產品，包括四個充電器、兩個移動電源和一個插座，屬于“全氮化鎵”氮化鎵充電系列，進一步滿足消費者多樣化的充電需求。
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