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標(biāo)簽 > 氮化鎵
氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。
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Nexperia和KYOCERA AVX Components Salzburg 就車規(guī)氮化鎵功率模塊達(dá)成合作
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布與國際著名的為汽車行業(yè)提供先進(jìn)電子器件的供應(yīng)商KYOCERA AVX Components (...
2022-05-23 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件Nexperia 3842 0
意法半導(dǎo)體首款采用氮化鎵晶體管的VIPer器件介紹
VIPERGAN50是意法半導(dǎo)體VIPerPLUS系列首款可在寬工作電壓(9 V至23 V)下提供高達(dá)50 W功率的產(chǎn)品。這也是ST首款采用氮化鎵(Ga...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵viper 2650 0
閃極Retro 35W氮化鎵充電器，重現(xiàn)經(jīng)典電腦造型
經(jīng)典麥金塔設(shè)計，充電狀態(tài)屏幕，挑戰(zhàn)充電器設(shè)計創(chuàng)新可能 5 月 20 日，閃極科技正式發(fā)布 Retro 35 充電器。該產(chǎn)品采用復(fù)古電腦設(shè)計，在第三代半導(dǎo)...
意法半導(dǎo)體和MACOM射頻硅基氮化鎵原型芯片制造成功
意法半導(dǎo)體和世界排名前列的電信、工業(yè)、國防和數(shù)據(jù)中心半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商MACOM技術(shù)解決方案控股有限公司宣布，射頻硅基氮化鎵（RF GaN-on-Si...
2022-05-20 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體無線網(wǎng)絡(luò)氮化鎵 1766 0
2022-05-19 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體氮化鎵MACOM 3830 0
EPC新推最小型化的100 V、2.2 m? 氮化鎵場效應(yīng)晶體管
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高...
2022-05-17 標(biāo)簽：EPC場效應(yīng)晶體管氮化鎵 3628 0
納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代氮化鎵平臺NV6169功率芯片
美國加利福尼亞州埃爾塞貢多，2022 年 5 月10日：氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克代碼：NVTS）正式發(fā)布 NV6169...
2022-05-11 標(biāo)簽：氮化鎵功率芯片納微半導(dǎo)體 2378 0
氮化鎵快充已然成為了當(dāng)下一個非常高頻的詞匯，在氮化鎵快充市場迅速增長之際，65W這個功率段恰到好處的解決了大部分用戶的使用痛點，從而率先成為了各大品牌的...
納微半導(dǎo)體宣布開設(shè)全新電動汽車設(shè)計中心
下一代氮化鎵功率芯片將加速充電更快，駕駛距離更遠(yuǎn)的電動汽車普及提前三年來到，并減少20%道路二氧化碳排放。
2022-05-09 標(biāo)簽：電動汽車氮化鎵納微半導(dǎo)體 959 0
納微NV613x和NV615x系列額定電壓已升級到700V，實現(xiàn)更高效率和可靠性
圖片 ? 采用 GaNSense? 技術(shù)的700V額定電壓GaNFast?智能氮化鎵功率芯片可實現(xiàn)更高的效率和可靠性 ? 圖片 ? 氮化鎵 (GaN) ...
納微半導(dǎo)體GaNFast氮化鎵功率芯片加速進(jìn)入快充市場
氮化鎵 （GaN） 功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）近日宣布，其采用GaNSense 技術(shù)的智能GaNFast功率芯片已升級以...
第一代半導(dǎo)體材料：主要指Si、Ge元素為主的半導(dǎo)體，它們是半導(dǎo)體分立器件、集成電路和太陽能電池的基礎(chǔ)材料。
氮化家是一種新型半導(dǎo)體材料，它具有禁帶寬度大、熱導(dǎo)率高、耐高溫、抗輻射、耐酸堿、高強(qiáng)度和高硬度等特性，在早期廣泛運(yùn)用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半...
直擊氮化鎵領(lǐng)域的無限可能！ 讓氮化鎵不再神秘，泰克攜手英諾賽科一起加速未來科技
中國北京2022年4月22日?— 近年來一直發(fā)力第三代半導(dǎo)體測試解決方案的泰克科技，最近攜手英諾賽科一起致力于開發(fā)氮化鎵的應(yīng)用未來。未來，雙方將攜手克服...
倍思發(fā)布全新“第五代”氮化鎵充電器 英諾賽科新推150W低壓氮化鎵
倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，支持PD3.1、QC4+、QC3.0等多種充電協(xié)議，并采用“2C1A”輸出接口，售價...
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于Diodes產(chǎn)品的130W ACF氮化鎵NB PD電源適配器方案
2022年4月19日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于達(dá)爾科技（Diodes）AP3306、APR34...
昨日晚間，倍思召開了 2022 年春季新品發(fā)布會，帶來20余款新品，隨即倍思發(fā)布了全新“第五代”氮化鎵充電器——GaN5 Pro 160W，新品支持最新...
EPC新推350 V氮化鎵功率晶體管，比等效硅器件小20倍且成本更低
氮化鎵功率晶體管EPC2050專為功率系統(tǒng)設(shè)計人員而設(shè)計，在極小的芯片級封裝中，實現(xiàn)?350 V、80 mΩ?最大?RDS(on)和26 A 峰值電流，...
GaN 可為射頻應(yīng)用帶來獨特的優(yōu)勢。GaN 獨特的材料屬性可為射頻系統(tǒng)提供高功率附加效率 (PAE)、高功率輸出、小巧外形、寬帶寬、熱優(yōu)勢和堅固耐用等優(yōu)勢。
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)功率晶體管這兩種化合物半導(dǎo)體器件已作為方案出現(xiàn)。這些器件與長使用壽命的硅功率橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS) M...
2022-04-01 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體器件碳化硅 4839 0
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