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氮化鎵

氮化鎵

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氮化鎵,分子式GaN,英文名稱(chēng)Gallium nitride,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。

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氮化鎵資訊

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11月13日,聚力成半導(dǎo)體(重慶)有限公司奠基儀式在重慶大足高新區(qū)舉行,該項(xiàng)目以研發(fā)、生產(chǎn)全球半導(dǎo)體領(lǐng)域前沿的氮化鎵外延片、芯片為主。這項(xiàng)擬投資50億元...

2018-11-15 標(biāo)簽:半導(dǎo)體氮化鎵 1.2萬(wàn) 0

英飛凌公布一款功率為65W的USBPD充電器 采用第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵

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德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器,進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品...

2018-03-12 標(biāo)簽:dc/dc德州儀器氮化鎵 1.1萬(wàn) 0

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納微(Navitas)宣布GaNFast?功率IC應(yīng)用在前所未有的14mm超薄外形通用型45W電源適配器Mu One。這個(gè)用于全球范圍的超薄適配器可輕松...

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德儀LMG5200 GaN半橋功率級(jí)

本報(bào)告對(duì)德州儀器LMG5200器件進(jìn)行詳細(xì)的逆向分析,包括器件設(shè)計(jì)、封裝技術(shù)、制造工藝、成本和價(jià)格預(yù)估等。這是我們第一發(fā)現(xiàn)帶有驅(qū)動(dòng)器的半橋氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶...

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維易科(VEECO)和ALLOS展示行業(yè)領(lǐng)先的200MM硅基氮化鎵性能,推動(dòng)micro-LED的應(yīng)用

Veeco 公司今日宣布和ALLOS Semiconductors (ALLOS)達(dá)成了一項(xiàng)戰(zhàn)略舉措,展示了200mm硅基氮化鎵晶圓用于藍(lán)/綠光mic...

2018-02-26 標(biāo)簽:氮化鎵microled硅基氮化鎵 1.0萬(wàn) 0

氮化鎵(GaN)襯底晶片實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn) 蘇州納維的2英寸氮化鎵名列第一

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2018-01-30 標(biāo)簽:氮化鎵晶片 8334 0

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12月6日至9日美國(guó)加利福尼亞州的IEEE半導(dǎo)體接口專(zhuān)家會(huì)議(SISC2017)上,日本富士通公司及其子公司。

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與開(kāi)關(guān)模式電源不同,三相電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器通常使用低開(kāi)關(guān)頻率;只有幾萬(wàn)赫茲。大功率電機(jī)尺寸較大,具有高電感繞組;因此,即使在低開(kāi)關(guān)頻率下,電流紋波也是可以接...

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太平洋煤氣電力公司為住宅發(fā)起了于2016年7月28日星期四舉行的智能日活動(dòng)。記得在電費(fèi)最高的下午2點(diǎn)至7點(diǎn)減少用電量,節(jié)省能源。在德克薩斯和加利福尼亞都...

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數(shù)字控制 GaN 應(yīng)用已做好準(zhǔn)備

在英語(yǔ)里,ready是很有意思的一個(gè)詞,它在不同的語(yǔ)境下會(huì)有完全不同的意思。有一大屋子女兒時(shí),ready的意思就是為做好準(zhǔn)備而準(zhǔn)備;而準(zhǔn)備的時(shí)間絕不會(huì)少...

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GaN 器件解救 MOSFET 體二極管反向恢復(fù)

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作為電源工程師,我們能夠回憶起第一次接觸到理想化的降壓和升壓功率級(jí)的場(chǎng)景。還記得電壓和電流波形是多么的漂亮和簡(jiǎn)單(圖1),以及平均電流的計(jì)算是多么地輕松...

2017-04-18 標(biāo)簽:mosfet氮化鎵 1.4萬(wàn) 0

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