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MAX7321 I2C端口擴展器，具有8路漏極開路I/O技術手冊
MAX7321 2線串行接口外設具有8個漏極開路I/O口，可選擇內部上拉和瞬態檢測功能。每個端口均可以配置成邏輯輸入和漏極開路輸出端口。端口具有+6V過...
MAX7327 I2C端口擴展器，提供12路推挽式輸出和4路漏極開路I/O技術手冊
MAX7327 2線串行接口外設，該器件具有12路推挽輸出，以及4路可配置的開漏I/O端口，帶有可選擇的內部上拉和中斷檢測功能。所有端口均過壓保護至+6...
開關管通常具有三個引腳，分別為G（Gate，門極）、D（Drain，漏極）和S（Source，源極）。這三個引腳在開關管中扮演著不同的角色，共同決定了開...
P溝道場效應管（P-channel Field-Effect Transistor，簡稱P-FET）的電流方向是半導體器件工作中的一個基本特性，它決定了...
線性穩壓器（LDO）是一種廣泛使用的電源管理器件，其主要功能是將輸入電壓轉換為穩定的輸出電壓。LDO的工作原理是通過調整內部功率管的導通程度來實現電壓轉...
場效應管（Field-Effect Transistor，簡稱FET）是一種常用的半導體器件，廣泛應用于各種電子線路中。在實際應用中，我們經常需要對場效...
mosfet漏極外接二極管的作用 mosfet源極和漏極的區別
漏極外接二極管（Drain-Source Diode，簡稱D-S二極管）在MOSFET電路中起到了重要的作用，本文將介紹MOSFET源極和漏極之間的區別...
美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV ...
MOS管的結構主要由三個區域組成：柵極（Gate）、源極（Source）和漏極（Drain）。其中，柵極和漏極都是金屬電極，源極可以是金屬或半導體材料。
開關導通時，線路和電路板版圖的電感之中會直接積蓄電能（電流能量）。當該能量與開關器件的寄生電容發生諧振時，就會在漏極和源極之間產生浪涌。下面將利用圖1來...
MOS管開關電路是利用MOS管柵極（g）控制MOS管源極（s）和漏極（d）通斷的原理構造的電路。因MOS管分為N溝道與P溝道，所以開關電路也主要分為兩種。
對于恒定Vds，Vgs越大，則溝道中可移動的電子越多，溝道電阻就越小，ID就越大。當然這個Vgs大到一定值，電壓再大，ID的變化也不會再有太大的變化了。...
MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MO...
在N溝道MOSFET中，源極為P型區域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場的參考點，它是連接到源極-漏...
場效應管的三個極相當于三級管的三個電極，G是控制極，相當于三級管的B極，電壓控制DS的導通率（三極管是電流控制型，B極控制CE的導通能力）D級是漏極，相...
在一塊N型半導體材料的兩邊各擴散一個高雜質濃度的P型區（用P+表示），就形成兩個不對稱的P+N結。把兩個P+區并聯在一起，引出一個電極，稱為柵極（g），...
三極管工作時，兩個pn結都會感應出電荷，當做開關管處于導通狀態時，三極管處于飽和狀態，如果這時三極管截至，pn結感應的電荷要恢復到平衡狀態，這個過程需要...
本文將提出一種獨特但簡單的柵極脈沖驅動電路，為快速開關HPA提供了另一種方法，同時消除了與漏極開關有關的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于 1 ...
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