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標(biāo)簽 > 漏電流
漏電流分為四種,分別為:半導(dǎo)體元件漏電流、電源漏電流、電容漏電流和濾波器漏電流。PN結(jié)在截止時流過的很微小的電流。在D-S設(shè)在正向偏置,G-S反向偏置,導(dǎo)電溝道打開后,D到S才會有電流流過。但實際上由于自由電子的存在,自由電子的附著在SIO2和N+、導(dǎo)致D-S有漏電流。
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STM32單片機的應(yīng)用筆記 奇怪的NRST 管腳異常復(fù)位問題
關(guān)鍵字:漏電流, ADC 目錄預(yù)覽 1 引言? 2 復(fù)位問題及排查 3 總結(jié) 1. 引言 本文探討一個奇怪的MCU NRST 管腳異常復(fù)位現(xiàn)象。 2.?...
美標(biāo)UL2231(CCID-20)?中漏電流保護(hù)要求簡析
單位:浙江巨磁智能技術(shù)有限公司 ? ? ? ? ?作者:Irving.Yang 2021年11月15日,拜登簽署了總額約1.2萬億美元的《基礎(chǔ)設(shè)施投資和...
SS510是什么二極管?是用在開關(guān)電源的輸出二極管嗎?
SS510是肖特基二極管,由硅材料制成,具有較低的反向漏電流和快速的開關(guān)速度,通常被用于高速開關(guān)電路和高效能量轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用中。
2023-02-25 標(biāo)簽:開關(guān)電路轉(zhuǎn)換器肖特基二極管 9146 0
芯片的幾個重要測試環(huán)節(jié)-CP、FT、WAT
半導(dǎo)體生產(chǎn)流程由晶圓制造,晶圓測試,芯片封裝和封裝后測試組成。而測試環(huán)節(jié)主要集中在CP(chip probing)、FT(Final Test)和WAT...
小電流接地系統(tǒng)中為什么采用中性點經(jīng)消弧線圈接地呢?
中性點經(jīng)消弧線圈接地方式,是在中性點和大地之間接入一個電感消弧線圈,在系統(tǒng)發(fā)生單相接地故障時,利用消弧線圈的電感電流對接地電容電流進(jìn)行補償,使流過接地點...
2023-04-01 標(biāo)簽:電容器電力系統(tǒng)電感電流 7071 0
由于磁通變化而在導(dǎo)體或線圈中產(chǎn)生電動勢的現(xiàn)象稱為電磁感應(yīng)。由電磁感應(yīng)產(chǎn)生的電動勢稱為感生電動勢。
2023-08-16 標(biāo)簽:電動勢電磁感應(yīng)漏電流 7011 0
電氣設(shè)備在其電磁環(huán)境中必須能正常運行并不對其環(huán)境中的任何設(shè)備產(chǎn)生無法忍受的電磁騷擾。這種能力被稱作電磁兼容性。我們將電磁干擾分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾。 傳...
電容器作為電子電路中的重要元件,其性能的穩(wěn)定性和可靠性對于整個電路的運行至關(guān)重要。然而,電容器在使用過程中,常常會出現(xiàn)漏電流的現(xiàn)象,這不僅會影響電容器的...
從Inlet PG 端上通過電流至使用者可接觸的接地端,確保其阻值小于規(guī)格值,達(dá)到接地保護(hù)的功用。
2022-09-19 標(biāo)簽:原理圖開關(guān)電源漏電流 6619 0
電解電容如何區(qū)分正負(fù)極?電解電容怎么判斷好壞?
電子元件中的電解電容器,以其高電容值和低內(nèi)阻特性,在電源平滑、信號耦合和能量存儲等眾多電路中發(fā)揮著不可或缺的作用。
開關(guān)電源是電子設(shè)備中常用的電源模塊,其作用是將交流電轉(zhuǎn)換為直流電,為設(shè)備提供穩(wěn)定的電壓。為了保證開關(guān)電源的安全性和可靠性,需要進(jìn)行接地、漏電流和耐壓測試...
2024-01-11 標(biāo)簽:萬用表開關(guān)電源漏電流 6576 1
“漏電流”與“泄露電流”兩個專業(yè)名詞十分相似,導(dǎo)致很多工程師對著兩個量經(jīng)?;煜瞪捣植磺宄?。 實際上他們之間的實質(zhì)截然不同,一個是用電器在輸入正常電壓...
CMOS(Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)電路是一種常見的電子邏輯門電路技術(shù),由一個PMOS(P型金屬氧...
在電氣工程中,絕緣電阻和漏電流是兩個非常重要的概念。它們分別描述了電氣設(shè)備或系統(tǒng)絕緣性能的兩個不同方面。
高溫壓力傳感器廣泛應(yīng)用于工業(yè)、航空航天等領(lǐng)域,用來監(jiān)測航空發(fā)動機、重型燃?xì)廨啓C、燃煤燃?xì)忮仩t等動力設(shè)備燃燒室內(nèi)的壓力,耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。
IGBT(絕緣柵雙極晶體管)漏電流增加的原因有多種,以下是對這些原因的分析: 正向電壓的增加 :當(dāng)IGBT的控制極壓加上一定的電壓時,例如正向電壓,漏結(jié)...
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