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標(biāo)簽 > 電流驅(qū)動(dòng)
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一種用于高能量密度軟包電池的實(shí)用性MOF材料改性的9 μm厚的隔膜
使用比常規(guī)隔膜(> 20 μm)更薄的隔膜將提高鋰電池的能量密度和比能量。然而,較薄的隔膜增加了鋰離子和鋰金屬電池中形成的鋰枝晶造成內(nèi)部短路的風(fēng)險(xiǎn)。
2022-11-12 標(biāo)簽:鋰電池電流驅(qū)動(dòng)軟包電池 1482 0
傳統(tǒng)功率MOSFET與超級(jí)結(jié)MOSFET的區(qū)別
超級(jí)結(jié)又稱超結(jié),是制造功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的一種技術(shù),其名稱最早岀現(xiàn)于1993年。傳統(tǒng)高壓功率MOSFET的擊穿電壓主要由n型外延層和p型體區(qū)形成的pn結(jié)耗...
2022-09-13 標(biāo)簽:MOSFET晶體管電流驅(qū)動(dòng) 8163 0
發(fā)光二極管 (LED) 現(xiàn)在已經(jīng)取代了大多數(shù)其他照明技術(shù)。由于其多功能性、低成本和效率,LED 現(xiàn)在可用于任何類型的應(yīng)用中最不同的情況:狀態(tài)指示器、LC...
2021-07-01 標(biāo)簽:led二極管電流驅(qū)動(dòng) 4404 0
共8種工作模式,4種輸入,1.輸入浮空模式2.輸入上拉模式 3.輸入下拉模式4.模擬輸入模式 4種輸出模式:開漏輸出、開漏復(fù)用功能、推挽輸出、推挽復(fù)用輸...
2020-10-18 標(biāo)簽:MOS管晶體管電流驅(qū)動(dòng) 1.2萬 0
本篇為邏輯電平系列文章中的第一篇,主要介紹邏輯電平相關(guān)的一些基本概念。后續(xù)將會(huì)介紹常見的單端邏輯電平(針對(duì)CMOS的閂鎖效應(yīng)進(jìn)行詳細(xì)介紹)、差分邏輯電平...
2021-01-02 標(biāo)簽:CMOS邏輯電平電流驅(qū)動(dòng) 2.5萬 0
Micro-LED電流驅(qū)動(dòng)的原理與應(yīng)用
無源選址驅(qū)動(dòng)模式把陣列中每一列的LED像素的陽極(P-electrode)連接到列掃描線(Data Current Source),同時(shí)把每一行的LED...
2019-05-16 標(biāo)簽:led驅(qū)動(dòng)電流驅(qū)動(dòng)micro-led 7591 0
電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)的區(qū)別
主電路和控制電路之間,用來對(duì)控制電路的信號(hào)進(jìn)行放大的中間電路,稱為驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路可以分為電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)。那么電壓驅(qū)動(dòng)和電流驅(qū)動(dòng)的區(qū)別有哪些? 從...
2017-11-11 標(biāo)簽:電流驅(qū)動(dòng)電壓驅(qū)動(dòng) 3.0萬 0
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