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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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砷化鎵芯片的制造工藝相對復雜,需要使用分子束外延(MBE)或金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)等專門的生長技術。而硅芯片的制造工藝相對成熟和簡單,可以使...
砷化鎵是一種半導體材料。它具有優異的電子輸運性能和能帶結構,常用于制造半導體器件,如光電器件和功率器件等。砷化鎵的禁帶寬度較小,使得它在電子和光學應用中...
半導體材料是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ·cm~1GΩ·cm范圍內)、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。
緊湊型砷化鎵相位正交(I/Q)混頻器HMC525ALC4概述
采用兩個標準的雙平衡混頻器單元和一個90°混合器,在砷化鎵、金屬半導體場效應晶體管(MES)中制造。金屬半導體場效應晶體管(MESFET)工藝制造的90...
雙基色LED顯示屏由紅色和綠色LED燈組成,256級灰度的雙基色顯示屏可顯示65,536種顏色(雙色屏可顯示紅、綠、黃3種顏色)。全彩色LED顯示屏由紅...
各種學科和技術應用激光并形成了許多重要的交叉學科:如光電子學、激光光譜學、 激光化學、非線性光學、激光全息術、激光生物醫學、 激光計量、超快光電子學、激...
砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區別是:硅基芯片是進行物理刻蝕線路工藝(凹刻),可以5-100納米工藝,而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學堆砌線路(凸堆),線...
砷化鎵芯片的制造工藝要求高,需要精確控制工藝參數,以保證芯片的質量;砷化鎵芯片的制造過程中,由于砷化鎵的比表面積較大,容易形成氣泡,影響芯片的質量;砷化...
氮化鎵可以取代砷化鎵。氮化鎵具有更高的熱穩定性和電絕緣性,可以更好地抵抗高溫和電磁干擾,因此可以替代砷化鎵。
砷化鎵二極管是一種半導體器件,它由砷化鎵(GaAs)材料制成,具有較高的電流密度、較低的功耗和較快的響應速度。砷化鎵二極管的原理是,當電壓施加到砷化...
砷化鎵是一種重要的半導體材料,它具有優異的電子特性,廣泛應用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能,具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩定性和高熱導率...
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