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砷化鎵

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砷化鎵（gallium arsenide）是一種無機化合物，化學式為GaAs，為黑灰色固體，熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在，并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ－Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu)，晶格常數(shù)5.65×10-10m，禁帶寬度1.4電子伏。

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砷化鎵技術(shù)

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砷化鎵 (GaAs) 功率肖特基二極管的電氣測量（靜態(tài)和動態(tài)）技術(shù)

該文展示了新型砷化鎵（GaAs）功率肖特基二極管與雙極硅二極管相比的電氣特性。該文還介紹了其電氣測量（靜態(tài)和動態(tài)）以及最先進的技術(shù)。通常，硅雙極二...

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通過砷化鎵制程的PN結(jié)測量建模可以得出VerilogA模型的正確性和通用性

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