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標簽 > 砷化鎵
砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機化合物,化學式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體。屬閃鋅礦型晶格結構,晶格常數5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。
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穩(wěn)懋指出,2021年的擴充計劃將著重在晶圓廠基礎建設的開發(fā),包括南科高雄新廠房的動土興建及龜山C廠的無塵室工程,都是為未來數年的新產能開出預做準備。路竹...
衢州智造新城消息顯示,衢州先導集成電路關鍵材料與高端化合物半導體及器件模組項目總投資110億元,位于衢州智造新城高新片區(qū)及智造新城東港片區(qū),總用地面積約...
首期項目斥資15億人民幣,致力開發(fā)4/6英寸砷化鎵生產線。預計在2025年7月開始試運行,此階段主要專注于砷化鎵半導體表面發(fā)射型鐳射VCSEL產品的生產...
市場憂心華為遭美國制裁,穩(wěn)懋業(yè)績恐受沖擊,對此,陳舜平強調,該公司已于9月15日之后停止出貨給華為,無論是第3季財報,或者進行式中的第4季業(yè)績,整體來看...
全球最大的砷化鎵晶圓代工廠穩(wěn)懋半導體(3105)即將在12月13日上柜,由于主力客戶Avago是蘋果iPhone4S最大的贏家,法人預估穩(wěn)懋第四季EPS...
占據強勢地位的IDM公司,比如Qorvo和Skyworks,持續(xù)丟失中國國內和三星的射頻前端份額,必然會導致這類美系IDM公司縮小砷化鎵晶圓廠產出規(guī)模。
鎵和鍺是新興的戰(zhàn)略關鍵礦產,已被列入國家戰(zhàn)略性礦產名錄。中國在鎵和鍺的儲量和出口方面都處于全球領先地位。
美國伊利諾大學(University of Illinois)實驗室開發(fā)出一種以金屬為蝕刻催化劑的砷化鎵晶圓蝕刻法
5月9日,河南澠池縣舉行了化合物半導體碳化硅材料與固廢綜合利用砷化鎵襯底項目的簽約儀式。在儀式上,化合物半導體材料團隊執(zhí)行總監(jiān)李有群對該項目做了詳細介紹。
光學超材料是一種人造材料,因其特殊納米結構而具備不尋常的光學性能。近20年來,研究人員已設計了多種超材料基器件,但其特性無法改變?;诖?,研究人員首先制...
砷化鎵+ Si混合可編程線性霍爾IC-GS302SA-3產品說明
GS302SA-3通過磁場強度的變化,輸出等比例霍爾電勢,從而感知電流及線性位移,廣泛用于電流傳感器、線性馬達等。由于GaAs的靈敏度比Si材料高1個數...
上海伯東美國 Gel- Pak VR 真空釋放盒, 非常適用于運輸以及儲存砷化鎵芯片和 MMIC 的器件.
全球無線網絡基礎設施中使用砷化鎵(GaAs)半導體的市場預計將增長,從2011年的大約2.05億美元達到2015年約為3.2億美元。
AMCOM的AM06013033MD-3H是款寬帶砷化鎵功率放大器模塊,設計用作通用型應用領域。AM06013033MD-3H工作頻率從6GHz到13G...
Qorvo? 擴充其面向中國市場的 CATV 功率放大器系列
中國北京,2016年3月25日 –移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo, Inc.(納斯達克代碼:QRV...
GaAs器件在微波領域的應用非常廣泛,器件分類齊全,包括徽波分立器件、微波混合集成電路、微波模擬和數字單芯片集成電路等。
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