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標(biāo)簽 > 硅半導(dǎo)體
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化合物半導(dǎo)體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價(jià)鍵形成的材料為基礎(chǔ),展現(xiàn)出獨(dú)特的電學(xué)與光學(xué)特性。以砷化鎵(GaAs)為例,其電子遷移率高達(dá)8500cm2...
光電共封裝技術(shù)CPO的演變與優(yōu)勢(shì)
光電封裝技術(shù)經(jīng)歷了從傳統(tǒng)銅纜到板上光學(xué),再到2.5D和3D光電共封裝的不斷演進(jìn)。這一發(fā)展歷程展示了封裝技術(shù)在集成度、互連路徑和帶寬設(shè)計(jì)上的持續(xù)突破。未來...
利用硅半導(dǎo)體技術(shù)同時(shí)實(shí)現(xiàn)了小型化和高性能的ROHM首款硅電容器
市場發(fā)展趨勢(shì)和開發(fā)歷程 近年來,隨著智能手機(jī)等設(shè)備的功能增加和性能提升,對(duì)小型、薄型且支持高密度安裝的電容器的需求日益增加。特別是采用薄膜半導(dǎo)體技術(shù)的硅...
2024-08-09 標(biāo)簽:電容器半導(dǎo)體技術(shù)Rohm 2.3萬 1
晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn),納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣,正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化,此舉將重新...
化學(xué)鍍鎳和銅工藝的應(yīng)用對(duì)導(dǎo)體和絕緣體的金屬化技術(shù)產(chǎn)生了深遠(yuǎn)的影響。印刷電路工業(yè)實(shí)際上是建立在無電鍍銅以不均勻的金屬厚度覆蓋絕緣體和導(dǎo)體的能力上的;同時(shí),...
硅半導(dǎo)體工藝數(shù)據(jù)手冊(cè)立即下載
類別:電子書籍 2012-04-28 標(biāo)簽:數(shù)據(jù)手冊(cè)硅半導(dǎo)體 1372 0
新紫光集團(tuán)與中國一汽達(dá)成戰(zhàn)略合作
近日,新紫光集團(tuán)與中國一汽在京簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。新紫光集團(tuán)董事長李濱,中國一汽董事長、黨委書記邱現(xiàn)東,共同出席見證協(xié)議的簽署,并就推動(dòng)戰(zhàn)略合作落實(shí)落地進(jìn)...
2025-05-17 標(biāo)簽:硅半導(dǎo)體中國一汽紫光集團(tuán) 645 0
近日,據(jù)知情人士透露,全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體IP供應(yīng)商Arm Holdings曾向英特爾表達(dá)了對(duì)收購其產(chǎn)品部門的濃厚興趣。然而,這一提議并未得到英特爾的積極響...
Pasternack推出一系列工程級(jí)射頻 微波適配器
?新型適配器兼容性廣,惡劣條件下使用壽命長,低電壓駐波比 爾灣,加利福尼亞州2024年7月19日?/美通社/ --Infinite Electronic...
隨著科技的不斷發(fā)展,可見光InGaN(氮化銦鎵)激光二極管作為一種先進(jìn)的半導(dǎo)體發(fā)光器件,已逐漸成為激光技術(shù)領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。
標(biāo)準(zhǔn)清洗槽中的質(zhì)量參數(shù)的監(jiān)控方法
高效的硅片清洗需要最佳的工藝控制,以確保在不增加額外缺陷的情況下提高產(chǎn)品產(chǎn)量,同時(shí)提高生產(chǎn)率和盈利能力。 硅半導(dǎo)體器件是在高度拋光的晶片上制造的。晶圓上...
晶圓是制作硅半導(dǎo)體 IC 所用之硅晶片,狀似圓形,故稱晶圓。材料是硅,芯片廠家用的硅晶片即為硅晶體,因?yàn)檎墓杈菃我煌暾木w,故又稱為單晶體。
由于硅半導(dǎo)體的發(fā)展趨近物理極限,芯片性能的提升越來越困難,于是一些計(jì)算科學(xué)家開始研究如何依靠新的算法和電路設(shè)計(jì)讓現(xiàn)有芯片的性能完全發(fā)揮出來。
2016-11-07 標(biāo)簽:摩爾定律硅半導(dǎo)體量子計(jì)算機(jī) 879 0
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