芯片內(nèi)部有多小呢？芯片內(nèi)部為什么能這么小？

芯片藏身于城市中隨處可見的電子設(shè)備，智能手機(jī)、電腦、家電等都離不開它的控制。

2024-03-12 標(biāo)簽：晶圓晶體管芯片制造 906 0

碳化硅晶片生產(chǎn)工藝流程

采用碳化硅的器件具有耐高溫、耐高壓、大功率，還可以提高能量轉(zhuǎn)換效率并減小產(chǎn)品體積等特點。

2023-09-27 標(biāo)簽：SiC電磁感應(yīng)硅晶片 7425 0

硅晶片的酸基蝕刻：傳質(zhì)和動力學(xué)效應(yīng)

拋光硅晶片是通過各種機(jī)械和化學(xué)工藝制備的。首先，硅單晶錠被切成圓盤（晶片），然后是一個稱為拍打的扁平過程，包括使用磨料清洗晶片。通過蝕刻消除了以往成形過...

2023-05-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓硅晶片 1205 0

濕清洗過程中硅晶片表面顆粒去除

在整個晶圓加工過程中，仔細(xì)維護(hù)清潔的晶圓表面對于在半導(dǎo)體器件制造中獲得高產(chǎn)量至關(guān)重要。因此，濕式化學(xué)清洗以去除晶片表面的污染物是任何LSI制造序列中應(yīng)用...

2023-03-30 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓蝕刻 2635 0

用于硅片減薄的濕法蝕刻工藝控制的研究

薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進(jìn)更薄的包裝中。與標(biāo)準(zhǔn)的機(jī)械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。

2022-08-26 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 3331 0

硅片透蝕MACE化學(xué)鍍金工藝優(yōu)化方案

硅(Si)的深度蝕刻對于廣泛的應(yīng)用是非常理想的。在這種情況下，通過長時間的金屬輔助化學(xué)蝕刻(MACE)和短時間的氫氧化鉀蝕刻，證明了通過蝕刻375微米厚...

2022-07-14 標(biāo)簽：晶圓蝕刻硅晶片 1518 0

KOH硅濕法蝕刻工藝詳解

引言 氫氧化鉀(KOH)是一種用于各向異性濕法蝕刻技術(shù)的堿金屬氫氧化物，是用于硅晶片微加工的最常用的硅蝕刻化學(xué)物質(zhì)之一。各向異性蝕刻優(yōu)先侵蝕襯底。也就是...

2022-07-14 標(biāo)簽：工藝蝕刻硅晶片 4915 0

硅晶片的清洗技術(shù)

摘要 隨著越來越高的VLSIs集成度成為商業(yè)實踐，對高質(zhì)量晶片的需求越來越大。對于表面上幾乎沒有金屬雜質(zhì)、顆粒和有機(jī)物的高度潔凈的晶片來說，尤其如此。為...

2022-07-11 標(biāo)簽：硅晶片清洗作業(yè) 1590 0

硅晶片清洗方式的詳細(xì)說明

半導(dǎo)體制造業(yè)面臨的最大挑戰(zhàn)之一是硅的表面污染薄片。最常見的是，硅晶片僅僅因為暴露在空氣中而被污染，空氣中含有高度的有機(jī)顆粒污染物。由于強(qiáng)大的靜電力，這些...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體制造業(yè)硅晶片 4602 0

硅濕法蝕刻中的表面活性劑

本文描述了我們?nèi)A林科納用于III族氮化物半導(dǎo)體的選擇性側(cè)壁外延的具有平面?zhèn)缺诳堂娴墓栉⒚缀图{米鰭的形成。通過濕法蝕刻取向的硅晶片生產(chǎn)鰭片。使用等離子體增...

2022-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體蝕刻硅晶片 1884 0

過氧化氫溶液的作用解讀 在半導(dǎo)體材料制備中硅晶片清洗

引言 過氧化氫被認(rèn)為是半導(dǎo)體工業(yè)的關(guān)鍵化學(xué)品。半導(dǎo)體材料的制備和印刷電路板的制造使用過氧化氫水溶液來清洗硅晶片、去除光刻膠或蝕刻印刷電路板上的銅。用于硅...

2022-07-07 標(biāo)簽：芯片硅晶片光刻膠 4614 0

蝕刻作為硅晶片化學(xué)鍍前的表面預(yù)處理的效果

金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導(dǎo)體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進(jìn)行預(yù)先的表面預(yù)處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究...

2022-04-29 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 891 0

硅晶片在氫氧化鉀、TMAH和EDP溶液中的蝕刻速率

本文研究了氫氧化鉀、TMAH（C6H4(OH)2)溶液中氫氧化銨（四甲基銨）和EDP(乙烯二胺(NH2(CH2)2NH2)的濃度和溫度對硅表面的影響，制...

2022-04-26 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 4472 0

利用蝕刻法消除硅晶片表面金屬雜質(zhì)?

為了將硅晶片中設(shè)備激活區(qū)的金屬雜質(zhì)分析為ICP-MS或GE\AS，利用HF和HNQ混酸對硅晶片進(jìn)行不同厚度的重復(fù)蝕刻，在晶片內(nèi)表面附近，研究了定量分析特...

2022-04-24 標(biāo)簽：蝕刻金屬硅晶片 938 0

300毫米直徑硅片的快速熱處理實驗研究

在半導(dǎo)體熱處理應(yīng)用中，批處理在工業(yè)的早期階段被采用，并且仍然非常流行。我們研究了直徑為200毫米和300毫米的硅(100)晶片在單晶片爐中高溫快速熱處理...

2022-04-19 標(biāo)簽：半導(dǎo)體熱處理硅晶片 1445 0

硅晶片的化學(xué)刻蝕和動力學(xué)效應(yīng)

硅的三相、基于酸的濕法蝕刻中的傳輸和動力學(xué)效應(yīng)的研究已經(jīng)完成。由反應(yīng)形成的氣泡附著在表面上的隨機(jī)位置，表面的一部分被反應(yīng)物遮蔽。這種氣泡掩蔽效應(yīng)被模擬為...

2022-04-15 標(biāo)簽：蝕刻硅晶片 1216 0

濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響

本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度...

2022-04-14 標(biāo)簽：清洗硅晶片 877 0

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括哪些

硅晶片的蝕刻預(yù)處理方法包括:對角度聚合的硅晶片進(jìn)行最終聚合處理，對上述最終聚合的硅晶片進(jìn)行超聲波清洗后用去離子水沖洗，對上述清洗和沖洗的硅晶片進(jìn)行SC-...

2022-04-13 標(biāo)簽：蝕刻清洗硅晶片 1217 0

光伏硅片的超聲化學(xué)清洗技術(shù)

近年來，太陽能電池和電池板等可再生能源的使用量顯著增加。在已安裝的光伏系統(tǒng)中，90%以上的是單晶硅電池和多晶硅電池，具有成本低、面積大、效率較高的優(yōu)點。...

2022-04-12 標(biāo)簽：光伏清洗硅晶片 2745 0