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碳化硅二極管

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碳化硅二極管技術(shù)

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發(fā)生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導(dǎo)率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 1.8萬 0

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝？

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝，常見的有有TO-263和TO-252封裝，隨著近些...

2023-02-21 標(biāo)簽：封裝功率器件碳化硅二極管 2955 0

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開說明。碳和硅進(jìn)過化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成為粉末，碳化硅粉末...

2023-02-21 標(biāo)簽：碳化硅MOSFET 碳化硅二極管 2560 0

碳化硅二極管優(yōu)勢有哪些？

碳化硅二極管的優(yōu)勢　 1.寬禁帶提高了工作溫度和可靠性　　寬禁帶材料可提高器件的工作溫度，6H-SiC和4H-SiC禁帶寬度分別高...

2023-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 寬禁帶 815 0

基本半導(dǎo)體SMBF封裝碳化硅二極管你了解多少

自打百瓦快充大戰(zhàn)興起，充電器的功率密度不斷提升，氮化鎵和碳化硅第三代半導(dǎo)體的加入，使得PD快充可以做更小體積，縱使是百瓦也能做成一個非常小的尺寸。 ...

2023-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體充電器氮化鎵 1090 0

如何有效地檢測Sic MOSFETn方案

碳化硅二極管具有非常快速的恢復(fù)時間，這可提高開關(guān)速率，并減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，從而使最終產(chǎn)品具有更高的功率密度。

2021-01-06 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅寬禁帶半導(dǎo)體 2835 0

大功率碳化硅二極管有哪些應(yīng)用

長期以來，在制造半導(dǎo)體器件的材料中，硅（Si）材料一直居于統(tǒng)治地位。隨著電子科技的不斷發(fā)展和進(jìn)步，半導(dǎo)體器件的性能也需要不斷提高，硅基器件的性能開始逐漸...

2020-10-02 標(biāo)簽：大功率碳化硅二極管 3811 0

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