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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

什么是碳化硅SiC?碳化硅的特性分析

近年來(lái),使用“功率元器件”或“功率半導(dǎo)體”等說(shuō)法,以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立(分立半導(dǎo)體)元器件備受矚目。這是因?yàn)椋瑸榱藨?yīng)對(duì)全球共通的“節(jié)...

2023-11-29 標(biāo)簽:導(dǎo)通電阻半導(dǎo)體材料SiC 1309 0

碳化硅器件介紹與仿真

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本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。

2023-11-27 標(biāo)簽:二極管半導(dǎo)體仿真 2521 0

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在汽車和可再生能源領(lǐng)域,英飛凌已經(jīng)獲得了重大的設(shè)計(jì)勝利,相關(guān)客戶的約10億歐元的預(yù)付款將有望在2024年和2025年的財(cái)政年度為其自由現(xiàn)金流做出貢獻(xiàn)。英...

2023-11-27 標(biāo)簽:英飛凌SiCGaN 530 0

什么是碳化硅功率模塊?為什么碳化硅功率模塊是某些應(yīng)用的首選?

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如今,功率半導(dǎo)體使用最廣泛的材料是硅。硅的生產(chǎn)成本低廉,而且該技術(shù)廣為人知。

2023-11-25 標(biāo)簽:MOSFETSiC功率半導(dǎo)體 3594 0

深度探索應(yīng)對(duì)芯片挑戰(zhàn)的三種思路

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 硅材料雖然適合大規(guī)模生產(chǎn),儲(chǔ)藏豐富,還有一個(gè)天然穩(wěn)定的絕緣氧化層,但它也有難以克服的缺點(diǎn):電子遷移率低,導(dǎo)致開(kāi)關(guān)速度不高;散熱特性一般,限制了芯片的工...

2023-11-23 標(biāo)簽:cpu晶體管光連接器 521 0

使用SiC MOSFET時(shí)如何盡量降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗

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2023-11-23 標(biāo)簽:MOSFET電磁干擾SiC 1612 0

碳化硅MOSFET尖峰的抑制

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2023-11-28 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 1953 0

基于碳化硅 (SiC)的25 kW電動(dòng)汽車直流快充開(kāi)發(fā)指南-結(jié)構(gòu)和規(guī)格

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2023-11-27 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車充電樁碳化硅 1365 0

2CP0220T12-ZC01驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品特點(diǎn)和典型應(yīng)用

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太陽(yáng)能是重要的清潔能源,而光伏逆變器是太陽(yáng)能光伏發(fā)電系統(tǒng)的核心組成部分,其穩(wěn)定可靠運(yùn)行對(duì)系統(tǒng)整體性能有著舉足輕重的影響。青銅劍技術(shù)2CP0220T12-...

2023-11-22 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器太陽(yáng)能光伏逆變器 786 0

大面積燒結(jié)的進(jìn)步提高了功率模塊的性能

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以碳化硅(SiC)或氮化鎵(GaN)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體可在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更快的開(kāi)關(guān)速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導(dǎo)體效率的提高,碳化...

2023-11-21 標(biāo)簽:SiC氮化鎵功率模塊 1360 0

Wolfspeed采用TOLL封裝的碳化硅MOSFET產(chǎn)品介紹

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Wolfspeed 采用 TOLL 封裝的碳化硅 MOSFET 產(chǎn)品組合豐富,提供優(yōu)異的散熱,極大簡(jiǎn)化了熱管理。

2023-11-20 標(biāo)簽:MOSFET封裝人工智能 1239 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-不間斷電源

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不間斷電源(UPS)是一種將蓄電池與主機(jī)相連接,將直流電轉(zhuǎn)換成市電的系統(tǒng)設(shè)備,主要是為了在市電故障時(shí)能夠?yàn)橛?jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)或其他電力電子設(shè)備提供可靠和連續(xù)的電能。

2023-11-20 標(biāo)簽:蓄電池不間斷電源MOS 978 0

碳化硅的發(fā)展趨勢(shì)及其在儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用

碳化硅(SiC)技術(shù)比傳統(tǒng)硅(Si)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和其他技術(shù)更具優(yōu)勢(shì),包括更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的工作溫度、更高的電流和電壓容量以及更低的...

2023-11-17 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器半導(dǎo)體SiC 1659 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-DCDC轉(zhuǎn)換器

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DCDC轉(zhuǎn)換器是一種臨時(shí)儲(chǔ)存電能的設(shè)備,作用是將直流電從一個(gè)電壓水平轉(zhuǎn)換為另一個(gè)電壓水平。

2023-11-17 標(biāo)簽:隔離器直流電dcdc轉(zhuǎn)換器 1134 0

國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS推薦-主驅(qū)逆變器

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主驅(qū)逆變器是電動(dòng)汽車動(dòng)力執(zhí)行單元的關(guān)鍵部件,它從VCU獲取扭矩指令,從高壓電池包獲取電能

2023-11-16 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車逆變器MOS 1119 0

SiC MOSFET在光伏逆變器的應(yīng)用

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光伏逆變器是將太陽(yáng)能光伏電池板產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)換為交流電的關(guān)鍵設(shè)備。

2023-11-15 標(biāo)簽:MOSFET光伏光伏逆變器 1170 0

意法半導(dǎo)體發(fā)布ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊

意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊,采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封...

2023-11-14 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器意法半導(dǎo)體功率模塊 1395 0

汽車直流充電樁設(shè)計(jì)圖

汽車直流充電樁設(shè)計(jì)圖

傳統(tǒng)汽車行業(yè)的智能化、電動(dòng)化趨勢(shì)帶來(lái)了充電樁產(chǎn)品的爆發(fā)式增長(zhǎng),但同時(shí)大功率化、雙向充電以及更高更寬的輸出電壓范圍也成了充電樁的技術(shù)挑戰(zhàn)。

2023-11-13 標(biāo)簽:MOSFET元器件MOS 1239 0

碳化硅在電源中的作用和優(yōu)勢(shì)

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2023-11-10 標(biāo)簽:電源半導(dǎo)體SiC 2277 0

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅材料的主要應(yīng)用

碳化硅( Silicon Carbide, SiC)具有很好的電學(xué)特性,其中禁帶寬度 (2.3~3.3eV)約是Si 的3倍,擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度(0.8×10...

2023-11-10 標(biāo)簽:半導(dǎo)體功率器件SiC 895 0

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