碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

碳化硅功率器件具有耐高壓、開關(guān)速度快和導(dǎo)通損耗低等優(yōu)點(diǎn)，因此正在逐漸成為電力變換系統(tǒng)的核心器件，尤其在新能源汽車、可再生能源、儲(chǔ)能、數(shù)據(jù)中心、軌道交通...

2023-11-08 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件功率模塊 4235 0

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電力電子器件 SiC 1690 0

碳化硅相對(duì)于硅的優(yōu)勢(shì)

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢(shì)。

2023-11-07 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器逆變器 IGBT 1830 0

碳化硅器件在光伏逆變器中的應(yīng)用

光伏發(fā)電是SiC器件除新能源汽車領(lǐng)域外的第二大應(yīng)用領(lǐng)域。光伏逆變器作為光伏電站的轉(zhuǎn)換設(shè)備，主要作用是將太陽電池組件產(chǎn)生的直流電轉(zhuǎn)化為交流電。隨著光伏產(chǎn)業(yè)...

2023-11-06 標(biāo)簽：光伏發(fā)電 SiC 光伏逆變器 1774 0

SiC MOSFET和SiC SBD的優(yōu)勢(shì)

下面將對(duì)于SiC MOSFET和SiC SBD兩個(gè)系列，進(jìn)行詳細(xì)介紹

2023-11-01 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓 SiC 2615 0

高效可再生能源系統(tǒng)的碳化硅設(shè)計(jì)方案

SiC MOSFET和散熱器之間的適當(dāng)爬電距離至關(guān)重要。在太陽能應(yīng)用中，散熱器很大，并且通過機(jī)械固定在機(jī)箱上，因此水平安裝往往很常見，在這種情況下，隔離...

2023-11-01 標(biāo)簽：太陽能逆變器 SiC 270 0

碳化硅和硅的優(yōu)勢(shì)對(duì)比

寬帶隙半導(dǎo)體使許多以前使用硅（Si）無法實(shí)現(xiàn)的高功率應(yīng)用成為可能，兩種材料的特性說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個(gè)指標(biāo)上具有明顯的優(yōu)勢(shì)。

2023-10-30 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 5014 0

碳化硅和IGBT器件的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)

本文探討了碳化硅和IGBT器件在未來的應(yīng)用前景和發(fā)展趨勢(shì)，以及如何通過技術(shù)創(chuàng)新和優(yōu)化來滿足不同應(yīng)用的需求。其中，英飛凌作為國(guó)際品牌的代表，其第四代產(chǎn)品已...

2023-10-28 標(biāo)簽：IGBT 功率器件工業(yè)電源 2161 0

碳化硅器件的生產(chǎn)流程，碳化硅有哪些優(yōu)劣勢(shì)？

中游器件制造環(huán)節(jié)，不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級(jí)便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要...

2023-10-27 標(biāo)簽：肖特基二極管功率器件 SiC 5459 0

意法半導(dǎo)體推出雙列直插式封裝ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊

意法半導(dǎo)體推出面向汽車應(yīng)用的32引腳、雙列直插、模制、通孔ACEPACK DMT-32系列碳化硅功率模塊。這些組件專為車載充電器 (OBC)、DC/DC...

2023-10-26 標(biāo)簽：封裝意法半導(dǎo)體功率模塊 1438 0

GeneSiC的起源和碳化硅的未來

SiC 技術(shù)的先驅(qū)引領(lǐng)系統(tǒng)效率，高度關(guān)注可靠性和耐用性。近 20 年來， GeneSiC 開創(chuàng)了高性能，堅(jiān)固，和可靠的碳化硅（SiC）用于汽車、...

2023-10-25 標(biāo)簽：二極管驅(qū)動(dòng)器功率器件 2402 0

混合器件的原理及應(yīng)用

今天想抽出點(diǎn)時(shí)間來聊一下復(fù)合器件（Si IGBT + SiC MOSFET），我也不太清楚這個(gè)中文名字應(yīng)該叫什么，文獻(xiàn)里都叫做Hybrid switch...

2023-10-25 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 1686 0

碳化硅SiC在新能源汽車中的應(yīng)用分析

SiC器件的主要用途是車載設(shè)備。SiC器件可以使純電動(dòng)汽車、混合動(dòng)力車的電機(jī)控制系統(tǒng)損失的功率降低到1/10，實(shí)現(xiàn)低功耗化；同時(shí)，能將新能源汽車的效率提...

2023-10-25 標(biāo)簽：新能源汽車 MOSFET 功率器件 1566 0

什么是Cu clip封裝？碳化硅功率模塊鍵合方式

功率芯片通過封裝實(shí)現(xiàn)與外部電路的連接，其性能的發(fā)揮則依賴著封裝的支持，在大功率場(chǎng)合下通常功率芯片會(huì)被封裝為功率模塊進(jìn)行使用。芯片互連（interconn...

2023-10-24 標(biāo)簽：芯片功率器件碳化硅 4810 0

訊天宏100W氮化鎵充電器詳細(xì)的拆解報(bào)告

訊天宏這款氮化鎵充電器采用多塊小板組合焊接而成，PCBA模塊正面覆蓋黃銅散熱片，背面粘貼導(dǎo)熱墊加強(qiáng)散熱。充電器內(nèi)置恩智浦TEA2016高集成電源芯片，內(nèi)...

2023-10-20 標(biāo)簽：二極管充電器氮化鎵 1406 0

SiC功率器件的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用前景

隨著新能源汽車銷量暴漲的東風(fēng)，采用碳化硅功率器件可助力新能源汽車提升加速度、降低系統(tǒng)成本、增加續(xù)航里程以及實(shí)現(xiàn)輕量化等。碳化硅的優(yōu)越性能使其在更多尖端領(lǐng)...

2023-10-18 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 1268 0

硅IGBT與碳化硅MOSFET的優(yōu)缺點(diǎn)

Si IGBT和SiC MOSFET之間的主要區(qū)別在于它們可以處理的電流類型。一般來說，MOSFET更適合高頻開關(guān)應(yīng)用，而IGBT更適合高功率應(yīng)用。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器電機(jī)驅(qū)動(dòng) 4801 0

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體，用于制造電動(dòng)汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。

2023-10-17 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 434 0

用于最高電壓等級(jí)的硅IGBT和碳化硅MOSFET

對(duì)于這些電力電子系統(tǒng)中使用的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，從經(jīng)典的兩電平變流器到更先進(jìn)的無源或有源控制的T型或 3 電平 NPC 拓?fù)洌俚礁鼜?fù)雜的變流器

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 晶閘管 IGBT 1295 0

一文讀懂碳化硅設(shè)計(jì)中的熱管理

? 隨著我們尋求更強(qiáng)大、更小型的電源解決方案，碳化硅 (SiC) 等寬禁帶 (WBG) 材料變得越來越流行，特別是在一些具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用領(lǐng)域，如汽車驅(qū)動(dòng)...

2023-10-16 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 SiC 571 0

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。

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