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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術

碳化硅二極管與硅相比的八大優勢

寬帶隙半導體使許多以前使用硅（Si）無法實現的高功率應用成為可能。本博客比較了兩種材料的特性，并說明了為什么碳化硅二極管（SiC）在多個指標上具有明顯的優勢。

2023-08-04 標簽：二極管半導體晶體管 1659 0

碳化硅功率器件封裝的關鍵技術有哪些呢？

碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。

2023-08-03 標簽：振蕩器電磁干擾 BGA封裝 642 0

SiC外延片是SiC產業鏈條的核心環節嗎？

碳化硅功率器件與傳統硅功率器件制作工藝不同，不能直接制作在碳化硅單晶材料上，必須在導通型單晶襯底上額外生長高質量的外延材料，并在外延層上制造各類器件。

2023-08-03 標簽：二極管半導體 SiC 622 0

SiC MOSFET柵極驅動電路的優化方案

在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫...

2023-08-03 標簽：MOSFET 開關電源驅動電路 1901 0

光伏發電中功率器件的應用分析

碳化硅功率器件主要應用于新能源車的電驅電控系統，相較于傳統硅基功率半導體器件，碳化硅功率器件在耐壓等級、開關損耗和耐高溫性方面具備許多明顯的優勢，有助...

2023-08-02 標簽：MOSFET 光伏光伏發電 713 0

碳化硅（SiC）芯片設計的一些關鍵考慮因素

芯片表面一般是如圖二所示，由源極焊盤(Source pad)，柵極焊盤(Gate Pad)和開爾文源極焊盤(Kelvin Source Pad)構成。

2023-08-01 標簽：MOSFET 芯片設計 SiC 1637 0

高效氮化鎵電源設計方案 GaN在基于圖騰柱PFC的電源設計中實現高效率

氮化鎵 (GaN) 可提高能效，減少 AC/DC 電源損耗，進而有助于降低終端應用的擁有成本。例如，借助基于 GaN 的圖騰柱功率因數校正 (PFC)，...

2023-08-01 標簽：電源整流器德州儀器 2603 0

碳化硅功率器件在新能源汽車領域有哪些應用呢？

碳化硅功率器件在新能源汽車領域的應用主要有以下幾個方面

2023-07-30 標簽：新能源汽車電機控制器功率器件 1924 0

碳化硅是如何制造的？碳化硅的優勢和應用

碳化硅，也稱為SiC，是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體，或將其與鈹，硼，鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖...

2023-07-28 標簽：半導體 SiC 碳化硅 3292 0

PFC拓撲比較：交錯式升壓拓撲與圖騰柱拓撲

電子設備越來越多地接入電網，這增加了電網的失真幾率，也使配電網絡容易產生問題。為緩解這些問題，電源設計需要先進的功率因數校正 (PFC) 電路來滿足嚴格...

2023-08-02 標簽：功率因數 PFC SiC 2897 0

碳化硅二極管優于硅二極管的8大原因

在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。

2023-07-26 標簽：二極管 emi SiC 808 0

瞻芯電子比鄰驅動?SiC專用驅動支持多領域高效應用(下）

比鄰驅動?(Nextdrive?)是瞻芯電子自主創新開發的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

2023-07-25 標簽：MOSFET 驅動芯片碳化硅 5291 0

全球氧化鎵產業發展概況及對我國有何啟示

寬禁帶半導體往往具備高的擊穿場強、高的電子飽和速度和強的抗輻射等特性，在全球半導體產業博弈加劇的背景下，近年來持續受到產業界的高度關注。

2023-07-24 標簽：新能源汽車 MOSFET 變頻器 1097 0

瞻芯電子比鄰驅動系列碳化硅(SiC)專用柵極驅動芯片介紹

比鄰驅動(Nextdrive)是瞻芯電子自主創新開發的一系列碳化硅(SiC)專用柵極驅動芯片，具有緊湊、高速和智能的特點。

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碳化硅MOSFET的應用場景

碳化硅(SiC)技術的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統，SiC MOSFET就能為許多行業的許多不同應用提供高效率，包括那些必須在惡劣環境下...

2023-07-21 標簽：MOSFET 晶體管 SiC 1639 0

碳化硅功率器件可靠性測試方法詳解

可靠性，是指產品在規定時間內和條件下完成規定功能的能力，是產品質量的重要指標，如果在規定時間內和條件下產品失去了規定的功能，則稱之為產品失效或出現了故障...

2023-07-21 標簽：MOSFET 功率器件可靠性測試 1621 0

森國科650V超結MOSFET系列產品的性能指標

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品，相較...

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Wolfspeed碳化硅MOSFET滿足高功率應用的需要

碳化硅（SiC）技術帶來了無限的新機會。只要存在對高可靠性功率系統的需求，碳化硅 MOSFET 就能在許多行業中的許多不同應用（包括必須在惡劣環境中工作...

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硅是最常見的半導體材料，它具有穩定性好、成本低、加工工藝成熟等優點。硅材料可以制成單晶硅、多晶硅、非晶硅等形式，其中單晶硅在制造集成電路方面應用最廣泛。...

2023-07-13 標簽：半導體單晶硅碳化硅 6920 0

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