碳化硅MOSFET B2M035120YP用于太陽能逆變器

隨著光伏逆變器功率等級的不斷提高，光伏行業對功率器件的規格和散熱要求也越來越高。相比于傳統硅器件，碳化硅功率器件能帶來更高的轉換效率和更低的能量損耗，從...

2023-07-13 標簽：MOSFET太陽能逆變器 847 0

淺析電動汽車傳動優化流程

盡管目前純電動汽車 (BEVs) 在整個市場中所占的份額相對較小[1]，但預計在未來 5 至 10 年內，純電動汽車 (BEVs) 將開始取代傳統動力系...

2023-07-12 標簽：電動汽車變頻器變速器 693 0

深入了解Soitec的SmartSiC技術

在電動汽車的逆變器中采用碳化硅 (SiC) 的理由非常充分。在取代傳統的硅基逆變器時，SiC 解決方案將帶來約 5-10% 的效率提升。

2023-07-11 標簽：電動汽車MOSFET逆變器 7305 0

利用C2000實時MCU提高GaN數字電源設計實用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換...

2023-07-23 標簽：mcu數字電源GaN 907 0

碳化硅介紹：三種SiC襯底制作方法對比

碳化硅的禁帶寬度是硅的2-3倍，在高溫下電子不易發生躍遷，可耐受更高的工作溫度，且碳化硅的熱導率是硅的4-5倍，使得器件散熱更容易，極限工作溫度更高。耐...

2023-07-07 標簽：MOSFETSiC碳化硅 1.8萬 0

SiC MOSFET的重要注意事項

綠色倡議持續推動工業、航空航天和國防應用，尤其是運輸行業的電力電子系統設計轉型。碳化硅（SiC）是引領這一趨勢的核心技術，可提供多種新功能不斷推動各種車...

2023-07-11 標簽：MOSFETSiC碳化硅 831 0

TechInsights對于“碳化硅JFETs原子探針層析成像”的探討

去年，TechInsights通過一系列博客展示了電氣特性的力量，對于揭示碳化硅器件規格書遠遠不能提供的碳化硅器件特性。

2023-07-11 標簽：半導體器件碳化硅TechInsights 1230 0

SiC相比傳統基于IGBT的電源應用在可再生能源系統中的優勢

全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

2023-07-06 標簽：德州儀器能源碳化硅 853 0

碳化硅如何最大限度提高可再生能源系統的效率

全球范圍內正在經歷一場能源革命。根據國際能源署的報告，到 2026 年，可再生能源將占全球能源增長量的大約 95%。太陽能將占到這 95% 中的一半以上。

2023-07-10 標簽：IGBTSiC碳化硅 517 0

中科院8英寸SiC導電單晶研制成功

8英寸SiC晶體生長的難點在于：首先要研制出8英寸籽晶；其次要解決大尺寸帶來的溫場不均勻和氣相原料分布和輸運效率問題。

2023-07-05 標簽：SiC碳化硅寬禁帶半導體 478 0

新能源汽車使用碳化硅功率器件已是必然的變革

森國科碳化硅MOS第三代功率半導體 新能源汽車系統架構中涉及到功率半導體應用的組件包括：電機驅動系統、車載充電系統（OBC）、電源轉換系統（車載?DC/...

2023-07-03 標簽：新能源汽車MOSFET功率器件 745 0

雜散電感對碳化硅功率器件動態測試的影響

電感是導體的一種特性，會阻礙電流的變化。電感阻礙電流的變化并不會消耗電能，而是以磁場/電磁感應的方式存儲釋放能量，以達到阻礙電流變化的目的。

2023-06-30 標簽：功率器件動態測試碳化硅 1672 0

SiC系統梳理貼

1月5日，比亞迪發布會重磅發布了2款新的SiC電控的車型：比亞迪發布2款仰望車型搭載SiC電控，時隔2年，比亞迪再次公布了2款SiC電控的車型。正式發布...

2023-06-29 標簽：半導體材料SiC碳化硅 936 0

淺談碳化硅功率器件的封裝技術

SiC作為第三代半導體材料具有優越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...

2023-06-28 標簽：封裝功率器件SiC 1175 0

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件，具有許多優勢和廣泛的應用前景。

2023-06-28 標簽：新能源汽車轉換器逆變器 4548 0

碳化硅在新能源車中的主要應用

新能源汽車的加速性能與動力系統輸出的最大功率和最大扭矩密切相關，碳化硅（SiC）技術允許驅動電機在低轉速時承受更大輸入功率，且不怕電流過大導致的熱效應和...

2023-06-27 標簽：新能源汽車驅動器SiC 2913 0

陶瓷基板制備工藝研究進展

目前常用的高導熱陶瓷粉體原料有氧化鋁（Al2O3）、氮化鋁（AlN）、氮化硅（Si3N4）、碳化硅（SiC）和氧化鈹（BeO）等。隨著國家大力發展綠色環...

2023-06-27 標簽：pcb印制電路板功率器件 1212 0

淺談新能源汽車電驅系統的核心技術

電機動力目前已經夠用，壓榨潛力和必要性不大 在電驅最重要的“動力”屬性上，目前大多數的電車都存在動力過剩現象，以36w+的特斯拉 Model3P 為...

2023-06-26 標簽：電機控制減速器碳化硅 1170 0

碳化硅晶圓劃片技術

碳化硅是寬禁帶半導體器件制造的核心材料，SiC 器件具有高頻、大功率、耐高溫、耐輻射、抗干擾、體積小、重量輕等諸多優勢，是目前硅和砷化鎵等半導體材料所無...

2023-06-25 標簽：激光器發光二極管SiC 699 0

如何在中試線上生產一片8英寸碳化硅襯底？

從實際情況上看，目前多數SiC都采用的4英寸、6英寸晶圓進行生產，而6英寸和8英寸的可用面積大約相差1.78倍，這也就意味著8英寸制造將會在很大程度上降...

2023-06-20 標簽：半導體晶圓SiC 1733 0