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標(biāo)簽 > 碳化硅

碳化硅

碳化硅

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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

SiC外延工藝基本介紹

SiC外延工藝基本介紹

外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...

2023-05-31 標(biāo)簽:MOSFET晶圓工藝 7743 0

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅的閾值電壓穩(wěn)定性

碳化硅SiC MOSFET的閾值電壓穩(wěn)定性相對(duì)Si材料來(lái)講,是比較差的,對(duì)應(yīng)用端的影響也很大。

2023-05-30 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 2917 0

行業(yè)巨頭們?nèi)绾慰焖俑码婒?qū)解決方案?

行業(yè)巨頭們?nèi)绾慰焖俑码婒?qū)解決方案?

在CES 2023上,Infinitum宣布了其最新進(jìn)展——裝有PCB定子的空芯電機(jī),其液冷系統(tǒng)可以將冷卻液直接輸送到電機(jī)熱源。該電機(jī)將冷卻液注入空心軸...

2023-05-26 標(biāo)簽:電機(jī)碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 871 0

新能源汽車(chē)領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用

新能源汽車(chē)領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用

汽車(chē)原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類(lèi)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...

2023-05-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)碳化硅 954 0

碳化硅MOSFET助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性

碳化硅MOSFET助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性

碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。

2023-05-25 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET電機(jī)控制器 816 0

是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

是時(shí)候從Si切換到SiC了嗎?

在過(guò)去的幾年里,碳化硅(SiC)開(kāi)關(guān)器件,特別是SiC MOSFET,已經(jīng)從一個(gè)研究課題演變成一個(gè)重要的商業(yè)化產(chǎn)品。

2023-05-25 標(biāo)簽:MOSFET逆變器SiC 160 0

碳化硅的極端耐用性

碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的,通常以單晶形式生長(zhǎng)。其固有的材料特性,加上作為單晶生長(zhǎng),使其成為市場(chǎng)上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...

2023-05-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 1396 0

碳化硅的獨(dú)特性能和應(yīng)用

SiC,也稱(chēng)為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:?jiǎn)蝹€(gè)SiC晶粒可以燒結(jié)在...

2023-05-24 標(biāo)簽:半導(dǎo)體SiC碳化硅 2306 0

使用碳化硅設(shè)計(jì)用于高效可再生能源系統(tǒng)

碳化硅解決方案滿(mǎn)足了依賴(lài)半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求,因?yàn)樗鼈兛梢蕴岣吖β拭芏取⒔档烷_(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽(yáng)能功...

2023-05-24 標(biāo)簽:太陽(yáng)能半導(dǎo)體碳化硅 966 0

碳化硅上的氮化鎵是唯一可行的長(zhǎng)期5G解決方案

5G還圍繞提供滿(mǎn)足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實(shí)現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...

2023-05-24 標(biāo)簽:GaN碳化硅5G 830 0

車(chē)載充電機(jī)OBC原理及樣機(jī)拆機(jī)分析

車(chē)載充電機(jī)OBC原理及樣機(jī)拆機(jī)分析

該方案由一個(gè)升壓電感器、兩個(gè)高頻升壓 SiC 開(kāi)關(guān)(SiC1 和 SiC2)和兩個(gè)用于在電路上傳導(dǎo)電流的元件組成,線路可以是兩個(gè)慢速二極管。(A)顯示了...

2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)PFC碳化硅 5948 0

碳化硅:成功的純電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的基礎(chǔ)

碳化硅更高的開(kāi)關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中,SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)洌c基于 Si 的器件相比,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高...

2023-05-24 標(biāo)簽:充電器PFC碳化硅 1039 0

碳化硅電源的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

碳化硅電源的設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)

碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...

2023-05-24 標(biāo)簽:IGBT晶體管碳化硅 1679 0

碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的優(yōu)勢(shì)

碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車(chē)載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。

2023-05-24 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)逆變器DC-DC轉(zhuǎn)換器 730 0

關(guān)于碳化硅的一些分享

關(guān)于碳化硅的一些分享

理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿(mǎn)足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...

2023-05-23 標(biāo)簽:MOSFETIGBT肖特基二極管 1950 0

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)

碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車(chē)快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFETIGBTSiC 2166 0

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

SiC動(dòng)態(tài)表征和測(cè)量方法

碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車(chē)和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFET寄生電感體二極管 2285 0

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間

借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間

相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類(lèi)的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。

2023-05-22 標(biāo)簽:IGBT晶體管SiC 746 0

超共源共柵簡(jiǎn)史

超共源共柵簡(jiǎn)史

這篇博客文章最初由 United Silicon Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布,該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭...

2023-05-22 標(biāo)簽:MOSFETSiC碳化硅 450 0

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)

了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...

2023-05-20 標(biāo)簽:電源MOSFET碳化硅 1946 0

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  • 28nm
    28nm
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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI公司
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    華星光電
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    CC2541
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    超級(jí)本
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    G3-PLC
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    壓電力顯微鏡(PFM)即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào),通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率(遠(yuǎn)低于探針共振頻率)的激勵(lì)信號(hào),通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
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Coilcraft LRC trinamic
放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
時(shí)鐘 時(shí)鐘振蕩器 時(shí)鐘發(fā)生器 時(shí)鐘緩沖器 定時(shí)器 寄存器 實(shí)時(shí)時(shí)鐘 PWM 調(diào)制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉(zhuǎn)換器 揚(yáng)聲器放大器 音頻轉(zhuǎn)換器 音頻開(kāi)關(guān) 音頻接口 音頻編解碼器
模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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Type-C USB 以太網(wǎng) 仿真器 RISC RAM 寄存器 GPU
語(yǔ)音識(shí)別 萬(wàn)用表 CPLD 耦合 電路仿真 電容濾波 保護(hù)電路 看門(mén)狗
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