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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。
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外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上,經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜,襯底晶圓和外延薄膜合稱(chēng)外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片,可進(jìn)...
行業(yè)巨頭們?nèi)绾慰焖俑码婒?qū)解決方案?
在CES 2023上,Infinitum宣布了其最新進(jìn)展——裝有PCB定子的空芯電機(jī),其液冷系統(tǒng)可以將冷卻液直接輸送到電機(jī)熱源。該電機(jī)將冷卻液注入空心軸...
2023-05-26 標(biāo)簽:電機(jī)碳化硅驅(qū)動(dòng)電機(jī) 871 0
新能源汽車(chē)領(lǐng)域關(guān)于碳化硅的應(yīng)用
汽車(chē)原始設(shè)備制造商對(duì)電力電子系統(tǒng)的要求對(duì)此類(lèi)系統(tǒng)的開(kāi)發(fā)人員來(lái)說(shuō)是一個(gè)巨大的挑戰(zhàn)。特別是空間要求、重量和效率的相互制衡,整個(gè)系統(tǒng)的成本和產(chǎn)品設(shè)計(jì)階段的工作...
2023-05-25 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)新能源汽車(chē)碳化硅 954 0
碳化硅MOSFET助力新能源汽車(chē)實(shí)現(xiàn)更出色的能源效率和應(yīng)用可靠性
碳化硅MOSFET具有優(yōu)秀的高頻、高壓、高溫性能,是目前電力電子領(lǐng)域最受關(guān)注的寬禁帶功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-25 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)MOSFET電機(jī)控制器 816 0
碳化硅(SiC)是一種陶瓷材料,出于半導(dǎo)體應(yīng)用的目的,通常以單晶形式生長(zhǎng)。其固有的材料特性,加上作為單晶生長(zhǎng),使其成為市場(chǎng)上最耐用的半導(dǎo)體材料之一。這種...
SiC,也稱(chēng)為碳化硅,是硅和碳化物在晶體結(jié)構(gòu)中的組合,大約有250種不同的晶體形式可以找到SiC。碳化硅可以采取許多不同的形式:?jiǎn)蝹€(gè)SiC晶粒可以燒結(jié)在...
使用碳化硅設(shè)計(jì)用于高效可再生能源系統(tǒng)
碳化硅解決方案滿(mǎn)足了依賴(lài)半導(dǎo)體的可再生能源系統(tǒng)的所有需求,因?yàn)樗鼈兛梢蕴岣吖β拭芏取⒔档烷_(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)頻率。Wolfspeed 碳化硅解決方案使太陽(yáng)能功...
5G還圍繞提供滿(mǎn)足帶寬、延遲和數(shù)據(jù)速度新要求的連接所需的技術(shù)和基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)計(jì)帶來(lái)了新的思維。它不僅需要在宏觀層面實(shí)現(xiàn)致密化——這意味著更多的基站——還需要...
車(chē)載充電機(jī)OBC原理及樣機(jī)拆機(jī)分析
該方案由一個(gè)升壓電感器、兩個(gè)高頻升壓 SiC 開(kāi)關(guān)(SiC1 和 SiC2)和兩個(gè)用于在電路上傳導(dǎo)電流的元件組成,線路可以是兩個(gè)慢速二極管。(A)顯示了...
2023-05-24 標(biāo)簽:電動(dòng)汽車(chē)PFC碳化硅 5948 0
碳化硅:成功的純電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成的基礎(chǔ)
碳化硅更高的開(kāi)關(guān)頻率和更低的固有損耗提高了系統(tǒng)效率。在雙向板載充電器中,SiC 支持使用圖騰柱 PFC 拓?fù)洌c基于 Si 的器件相比,該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)非常高...
碳化硅 (SiC) 是一種成熟的器件技術(shù),在 900 V 至 1,200 V 以上的高壓、高開(kāi)關(guān)頻率應(yīng)用中,與硅 (Si) 技術(shù)(包括硅超結(jié) (SJ) ...
碳化硅功率器件在新能源汽車(chē)中的優(yōu)勢(shì)
碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動(dòng)汽車(chē)內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車(chē)載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-05-24 標(biāo)簽:新能源汽車(chē)逆變器DC-DC轉(zhuǎn)換器 730 0
理想比導(dǎo)通電阻的一個(gè)關(guān)系式,其中WD是滿(mǎn)足所需擊穿電壓BV的漂移區(qū)的厚度,q是電子電荷,ND是漂移區(qū)的摻雜濃度,μn是電子遷移率,εn是半導(dǎo)體介電常數(shù),...
柵極驅(qū)動(dòng)器以及SiC MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)
碳化硅(SiC)MOSFET 的使用促使了多個(gè)應(yīng)用的高效率電力輸送,比如電動(dòng)車(chē)快速充電、電源、可再生能源以及電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施。
碳化硅(SiC)技術(shù)為電源、電動(dòng)汽車(chē)和充電、大功率工業(yè)設(shè)備、太陽(yáng)能應(yīng)用和數(shù)據(jù)中心等多個(gè)行業(yè)顯著提高了功率傳輸和管理性能。
借助SpeedFit設(shè)計(jì)仿真軟件 縮短比較分析的時(shí)間
相較于基于硅(Si)或絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)之類(lèi)的傳統(tǒng)技術(shù),碳化硅(SiC)元件擁有明顯的優(yōu)點(diǎn),因此很多應(yīng)用都能從運(yùn)用 SiC 器件中獲益。
使用SpeedFit 2.0設(shè)計(jì)模擬器快速啟動(dòng)基于碳化硅的設(shè)計(jì)
了解電源中碳化硅 (SiC) MOSFET 和肖特基二極管的在線行為是設(shè)計(jì)過(guò)程中的關(guān)鍵組件。與硅基技術(shù)相比,作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù),可視化這些碳化硅組件...
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