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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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未來幾年將看到電子設備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產品和半導體滲透到新的行業和產品,設計師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。
減小了電場集中效應,提高了SiC器件的擊穿電壓,SiC MOSFET的擊穿電壓和具體的每一個開關單元有關,同時和耐壓環也有很大的關系。
碳化硅功率器件依托其開關性能的優勢,在電機驅動系統中得到了廣泛地應用,然而,其過快的開關響應速度及過大的開關振蕩給系統帶來了嚴重的EMI問題。通過采用理...
在半導體材料領域,碳化硅與氮化鎵無疑是當前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
Advantes和 Teradyne最知名的是自動化測試設備。許多其他事情中,ATE工具取出探針卡,將它們與晶圓上的芯片完美對齊,并與晶圓上的電路進行物...
新型電子研發組件在不斷發展,也隨之而來的是取得的成果。公司不斷嘗試開發越來越多的性能設備,特點是更高的效率和更好的電氣特性。
作為高可靠性芯片連接技術,銀燒結技術得到了功率模塊廠商的廣泛重視,一些功率半導體頭部公司相繼推出類似技術,已在功率模塊的封裝中取得了應用。
在車載充電器領域,碳化硅MOSFET的滲透率已很高。電機控制器將是近幾年碳化硅MOSFET要更高速發展的關鍵因素。
交通應用中電氣化的趨勢導致了高功率密度電力電子轉換器的快速發展。高開關頻率和高溫操作是實現這一目標的兩個關鍵因素。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)作為一種新型功率半導體器件,是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性...
另外相比IGBT,碳化硅更耐高壓的優勢(千伏以上),更適用于后續更多新能源車型將要搭載的800v電氣架構,不止用在主逆變器上,還可以應用到高壓充電樁、高...
電子器件的使用環境逐漸惡劣,航空航天、石油探測領域前景廣闊,在熱導率、擊穿場等上的要求更高,那么以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)為主的第三代半導體材...
IGBT、MCU、以及SIC會是接下來新能源汽車智能化比較長期的需求點,根據特斯拉Model3的車型用量來看,單車使用IGBT是84顆,或者48顆Sic...
全球碳化硅產業呈現明顯的行業上下游收購兼并、大廠積極布局的特征。襯底作為碳化硅產業鏈中的核心環節,已成為兵家必爭之地。
碳化硅產業鏈主要包括襯底、外延、器件設計、制造、封測等環節。上游是襯底和外延、中游是器件和模塊制造,下游是終端應用。
GaN:由鎵(原子序數 31) 和氮(原子序數 7) 結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。
雖然將典型 400 V 電池的電壓加倍可為 EV 帶來巨大好處,但對于依賴硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 的 EV 逆變器來說,在更高電壓下的...
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