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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

特斯拉如何減少75%的碳化硅的使用？

在特斯拉投資者大會(huì)上，特斯拉表示下一代汽車平臺的動(dòng)力總成中將減少75%的碳化硅使用。

2023-03-14 標(biāo)簽：微控制器電動(dòng)汽車 SiC 1894 0

意法半導(dǎo)體SiC MOSFET的路線圖

顯然特斯拉用的是意法半導(dǎo)體2018年的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品，第四代產(chǎn)品目前還沒有推出。溝槽型是發(fā)展方向，但意法半導(dǎo)體要到2025年才開始推出。

2023-03-14 標(biāo)簽：MOSFET 特斯拉 SiC 2553 0

溝槽就是戰(zhàn)壕：英飛凌碳化硅CoolSiC?

戰(zhàn)爭在戰(zhàn)壕中決出勝負(fù)，而溝槽就是我們的前線戰(zhàn)壕。也就是說，前線奮戰(zhàn)人員憑借他們的集體合作和努力決定最終的勝利。作為電源管理應(yīng)用的設(shè)計(jì)工程師，本文的讀者就...

2023-03-13 標(biāo)簽：英飛凌二極管 MOSFET 9627 0

一輛汽車需要哪些半導(dǎo)體器件?

用傳感器如雷達(dá)、攝像頭替代人眼，用算法芯片去替代人腦，再用電子控制去替代人的手腳，最終實(shí)現(xiàn)由智能電腦來控制汽車，實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛。

2023-03-10 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車傳感器功率器件 667 0

SiC器件不同濕法腐蝕工藝的腐蝕機(jī)理和應(yīng)用領(lǐng)域

SiC 晶體中不同類型的位錯(cuò)通常是根據(jù)腐蝕坑的形貌和尺寸來完成定量分析的。如圖 7（a）所示，大六邊形沒有底部的腐蝕坑代表 MP，中六邊形有底部的腐蝕...

2023-03-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 6023 0

為什么選擇SiC作為下一個(gè)雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)器充電器 1025 0

一文看懂氧化鎵的晶體結(jié)構(gòu)性質(zhì)和應(yīng)用領(lǐng)域

氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩(wěn)定，當(dāng)加熱至一定高溫時(shí)，其他亞穩(wěn)態(tài)均轉(zhuǎn)換為β相，在熔點(diǎn)1800℃...

2023-03-08 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵 4651 0

碳化硅的用途有哪些？碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？

作為金屬脫氧劑，碳化硅脫氧劑是一種新型的強(qiáng)復(fù)合脫氧劑，取代了傳統(tǒng)的硅粉碳粉進(jìn)行脫氧，各項(xiàng)理化性能穩(wěn)定，脫氧效果好，時(shí)間縮短，提高煉鋼效率，提高鋼的質(zhì)量，...

2023-02-27 標(biāo)簽：多晶硅單晶硅碳化硅 6434 0

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

隨著電動(dòng)汽車（EV）制造商之間在開發(fā)成本更低、行駛里程更長的車型方面的競爭日益激烈，電力系統(tǒng)工程師面臨著減少功率損耗和提高牽引逆變器系統(tǒng)效率的壓力，...

2023-02-27 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 逆變器 9077 0

一文讀懂全球碳化硅先驅(qū)GeneSiC

憑借領(lǐng)先的GaNFast?氮化鎵功率芯片+強(qiáng)力的GeneSiC 碳化硅MOSFTEs的產(chǎn)品組合，納微半導(dǎo)體以雙擎驅(qū)動(dòng)的姿態(tài)在電力電子能源轉(zhuǎn)換領(lǐng)域高歌前進(jìn)。

2023-02-27 標(biāo)簽：MOSFET SiC 氮化鎵 588 0

汽車碳化硅逆變器的原理、作用和性能

　　汽車碳化硅逆變器是一種基于碳化硅芯片制造的逆變器，用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電，以驅(qū)動(dòng)電動(dòng)車的電動(dòng)機(jī)。其主要原理是利用逆變器電路中的三相橋式變流器，將直...

2023-02-25 標(biāo)簽：電動(dòng)車逆變器碳化硅 4227 0

汽車碳化硅芯片原理、性能和用途

　　汽車碳化硅芯片是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，相比傳統(tǒng)的硅基功率器件，它具有更高的工作溫度、更低的開關(guān)損耗和更高的開關(guān)速度等優(yōu)點(diǎn)，因此被廣泛應(yīng)用于汽車電...

2023-02-25 標(biāo)簽：芯片半導(dǎo)體碳化硅 4162 0

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由碳和硅組成，具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。

2023-02-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體材料紅外探測器 3653 0

Si/SiC和GaN HEMT器件的結(jié)構(gòu)比較！

碳化硅（SiC）技術(shù)改進(jìn)了各種應(yīng)用中的多個(gè)系統(tǒng)和子系統(tǒng)組件。與硅相比，碳化硅通過更快的開關(guān)、在整個(gè)溫度范圍內(nèi)的平坦RDS（on）和更好的體二極管性能表現(xiàn)...

2023-02-24 標(biāo)簽：晶體管 SiC GaN 1712 0

碳化硅與氮化鎵相比如何？碳化硅的使用場景在哪里？

碳化硅（SiC）由硅（原子序數(shù)14）和碳（原子序數(shù)6），形成類似于金剛石的強(qiáng)共價(jià)鍵，是一種堅(jiān)固的六方結(jié)構(gòu)化合物，具有寬禁帶半導(dǎo)體特性。

2023-02-22 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅 4367 0

氧化鎵的性能、應(yīng)用和成本氧化鎵的應(yīng)用領(lǐng)域

我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應(yīng)，外延、器件環(huán)節(jié)產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程幾乎空白，研發(fā)主力軍和突出成果都在高校和科研院所當(dāng)中。

2023-02-22 標(biāo)簽：碳化硅氧化鎵寬禁帶半導(dǎo)體 4286 0

碳化硅（SiC）在汽車電子中的應(yīng)用

熱設(shè)計(jì)在電力電子系統(tǒng)中起著決定性的作用，以便設(shè)計(jì)高功率密度，從而設(shè)計(jì)緊湊的系統(tǒng)。

2023-02-22 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 SiC 碳化硅 1230 0

SiC器件的優(yōu)缺點(diǎn)！

在逆變器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。

2023-02-21 標(biāo)簽：逆變器 IGBT SiC 3950 0

真正實(shí)現(xiàn)碳化硅的汽車資質(zhì)

車載充電器（OBC）、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和牽引逆變器都受益于 SiC，正在進(jìn)行的工藝和架構(gòu)改進(jìn)肯定會(huì)增加其已經(jīng)相當(dāng)可觀的吸引力。這種增強(qiáng)將擴(kuò)大這種寬帶...

2023-02-21 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車 MOSFET 碳化硅 288 0

碳化硅在高溫下能與氧發(fā)生反應(yīng)嗎？

　碳化硅的應(yīng)用主要在于它的半導(dǎo)體性能與力學(xué)性能兩個(gè)方面。高溫下與氧反應(yīng)。

2023-02-20 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 3439 0

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會(huì)對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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碳化硅

碳化硅技術(shù)

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