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標(biāo)簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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碳化硅MOSFET器件是一種半導(dǎo)體器件,它可以用于控制電流和電壓,以及檢測電阻、電容、電壓和電流等參數(shù),以確定電子設(shè)備是否正常工作。碳化硅MOSFE...
碳化硅MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)是一種半導(dǎo)體器件,它的工作原理...
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。
碳化硅二極管是一種由碳化硅材料制成的半導(dǎo)體器件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅二極管的工作原理是,當(dāng)電壓通過碳化硅二極管時,電子會...
汽車碳化硅技術(shù)是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件,它具有較高的強(qiáng)度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復(fù)合材料,具有良好...
SiC 的禁帶寬度是硅片的3+倍,保證了SiC 器件在高溫條件下的工作穩(wěn)定性,減少因高溫造成的器件故障現(xiàn)象。
聚焦器件可靠性、柵極驅(qū)動器創(chuàng)新和總體系統(tǒng)解決方案
第二項關(guān)鍵測試是短路耐受時間 (SCWT),或者說軌到軌短路條件下設(shè)備發(fā)生故障前的最長耐受時間。測試結(jié)果應(yīng)接近功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中使用的IGBT,其中大多數(shù)擁...
電機(jī)碳化硅技術(shù)要求 電機(jī)碳化硅技術(shù)指標(biāo)
電機(jī)碳化硅是一種由碳和硅組成的復(fù)合材料,具有優(yōu)異的電學(xué)性能、良好的熱穩(wěn)定性、良好的耐腐蝕性和絕緣性,可以用于電機(jī)的絕緣層、熱管理、電學(xué)性能和耐腐蝕性...
碳化硅是一種結(jié)構(gòu)穩(wěn)定的碳和硅的化合物,它是由碳原子和硅原子組成的類似金剛石的結(jié)構(gòu)。碳化硅具有優(yōu)異的電學(xué)性能,具有高熱穩(wěn)定性、高絕緣性、高耐磨性、高抗...
碳化硅是一種半導(dǎo)體材料,它具有優(yōu)異的電子特性,可以用于制造電子器件。它是由碳原子和硅原子組成的,具有高熔點、高熱穩(wěn)定性和高電阻率等特性。
2023-02-14 標(biāo)簽:電子器件半導(dǎo)體材料碳化硅 2107 0
在SiC的BaSiC博客系列中,我們將探討碳化硅的許多不同功能。讓我們從這種不尋常材料的特性和應(yīng)用的快速入門開始。
氮化鎵晶體管型號參數(shù)主要包括電壓限值、電流密度、功率密度、效率、溫度系數(shù)、漏電流、漏電壓、抗電磁干擾能力等。
氮化鎵(GaN:Gallium Nitride)是氮和鎵化合物,具體半導(dǎo)體特性,早期應(yīng)用于發(fā)光二極管中,它與常用的硅屬于同一元素周期族,硬度高熔點高穩(wěn)定...
背后功率器件那些事兒:MOSFET、IGBT及碳化硅的應(yīng)用
當(dāng)充電樁向高壓架構(gòu)發(fā)展的趨勢越來越明顯,高性能MOSFET的需求也越來越大,通過改進(jìn)器件結(jié)構(gòu)的超級結(jié)MOSFET應(yīng)運而生了。
這些優(yōu)勢有利于電源的高效率化,并且通過高頻驅(qū)動實現(xiàn)電感等無源器件的小型化、低 噪化,可廣泛應(yīng)用于空調(diào)、電源、光伏發(fā)電系統(tǒng)中的功率調(diào)節(jié)器、電動汽車的快速充...
碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
在SiC MOSFET的開發(fā)與應(yīng)用方面,與相同功率等級的Si MOSFET相比,SiC MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低,適用于更高的工作頻率...
隨著技術(shù)的發(fā)展,電動汽車對電力電子功率驅(qū)動等系統(tǒng)提出了更高的要求,即更輕、更緊湊、更高效、更可靠等,但是傳統(tǒng)的硅基功率器件由于材料的限制,其各方面的特性...
碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅為應(yīng)用最廣泛、...
碳化硅SiC MOSFET器件的結(jié)構(gòu)及特性
SiC功率MOSFET內(nèi)部晶胞單元的結(jié)構(gòu),主要有二種:平面結(jié)構(gòu)和溝槽結(jié)構(gòu)。平面SiC MOSFET的結(jié)構(gòu),如圖1所示。這種結(jié)構(gòu)的特點是工藝簡單,單元...
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