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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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為您的設計選擇最佳選項:碳化硅MOSFET相對于IGBT的優勢!
GBT(絕緣柵雙極晶體管)和MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管)用于許多不同類型的電源應用,包括可再生能源、航空航天、汽車和運輸、測試和測量以及...
碳化硅二極管是用碳化硅為原料制作而成的二極管。碳化硅二極管,號稱反向恢復時間為零,是高效PFC boost電路的專用升壓二極管。以碳化硅二極管為代表...
近年來,隨著功率半導體產業的快速發展,功率器件封測設備和材料在整個產業鏈的作用越來越重要,國內也涌現出了一大批優秀企業。
碳化硅(SiC)材料是功率半導體行業主要進步發展方向,用于制作功率器件,可顯著提高電能利用率。
碳化硅材料以其優異的性能被行業列為第三代半導體材料,其擊穿場強是硅的10倍,熱導率是硅的2.5倍。用碳化硅材料制作的MOS器件可在大于200度的高溫環境...
碳化硅的能帶間隔為硅的2.8倍(寬禁帶),達到3.09電子伏特。其絕緣擊穿場強為硅的5.3倍,高達3.2MV/cm,其導熱率是硅的3.3倍,為49w/c...
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料,與傳統的硅基器件相比,具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶(3.26eV)、高臨界場(3×106V/cm)和高導熱系數(...
碳化硅(SiC)又叫金剛砂,它是用石英砂、石油焦、木屑、食鹽等原料通過電阻爐高溫冶煉而成,其實碳化硅很久以前就被發現了
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD(肖特基勢壘二極管)結構得到600V以上的高耐壓二極管(Si的SBD最高耐壓為200V左右)。 因...
SiC(碳化硅)是一種由Si(硅)和C(碳)構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍,帶隙是Si的3倍,而且在器件制作時可以在較寬范圍內...
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