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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

Wolfspeed第4代碳化硅技術(shù)解析

本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfs...

2025-02-19 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET 碳化硅 905 0

三菱電機(jī)高壓SiC模塊封裝技術(shù)解析

SiC芯片可以高溫工作，與之對應(yīng)的連接材料和封裝材料都需要相應(yīng)的變更。三菱電機(jī)高壓SiC模塊支持175℃工作結(jié)溫，其封裝技術(shù)相對傳統(tǒng)IGBT模塊封裝技術(shù)...

2025-02-12 標(biāo)簽：封裝技術(shù)三菱電機(jī)SiC 526 0

碳化硅MOSFET在家庭儲能（雙向逆變，中大充）的應(yīng)用優(yōu)勢

傾佳電子楊茜以國產(chǎn)碳化硅MOSFET B3M040065L和超結(jié)MOSFET對比，并以在2000W家用雙向逆變器應(yīng)用上具體分析BASiC基本股份B3M0...

2025-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 碳化硅 446 0

碳化硅SiC MOSFET：八大技術(shù)難題全解析！

碳化硅（SiC）MOSFET作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，因其高耐壓、低損耗、高頻率等優(yōu)異性能，在電力電子領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。然而，SiCMOSFET在研...

2025-02-06 標(biāo)簽：MOSFET SiC 半導(dǎo)體器件 1274 0

碳化硅薄膜沉積技術(shù)介紹

多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應(yīng)性、制造優(yōu)勢和多樣的沉積技術(shù)而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化...

2025-02-05 標(biāo)簽：半導(dǎo)體薄膜工藝 662 0

碳化硅的應(yīng)用領(lǐng)域

碳化硅（SiC）是一種具有獨(dú)特物理和化學(xué)性質(zhì)的材料，這些性質(zhì)使其在眾多行業(yè)中成為不可或缺的材料。 1. 半導(dǎo)體行業(yè) 碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材...

2025-01-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件碳化硅可再生能源 1210 0

碳化硅功率器件的散熱方法

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交通和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 504 0

碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮SiC器件的性能，封裝技術(shù)至...

2025-02-03 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 534 0

碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是...

2025-02-03 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 847 0

功率器件熱設(shè)計基礎(chǔ)知識

功率器件熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還...

2025-02-03 標(biāo)簽：IGBT 功率器件碳化硅 646 0

安森美如何引領(lǐng)電源技術(shù)的綠色變革

在全球氣候變化日益嚴(yán)峻的背景下，節(jié)能減排已成為國際社會共同面臨的重大課題。各國政府紛紛出臺政策，推動能源結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)型和低碳經(jīng)濟(jì)發(fā)展，旨在實現(xiàn)《巴黎協(xié)定》設(shè)定...

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極海G32R501全數(shù)字雙向電源參考方案介紹

雙向電源控制技術(shù)廣泛應(yīng)用于戶用儲能、便攜式儲能和電動汽車等應(yīng)用，在能源使用效率備受關(guān)注的今天，雙向電源必須滿足更高的效率和可靠性標(biāo)準(zhǔn)，高轉(zhuǎn)換效率已成為數(shù)...

2025-01-10 標(biāo)簽：mcu 數(shù)字電源碳化硅 755 0

碳化硅IGBT在汽車領(lǐng)域的關(guān)鍵作用是什么?

自電動汽車大規(guī)模普及的早期階段以來，碳化硅(SiC)和其他寬禁帶(WBG)技術(shù)就被認(rèn)為是電池電動汽車子系統(tǒng)的理想選擇。與傳統(tǒng)硅材料相比，寬禁帶材料具有更...

2025-01-08 標(biāo)簽：IGBT 碳化硅汽車 689 0

安森美解讀SiC制造都有哪些挑戰(zhàn)？粉末純度、SiC晶錠一致性

硅通常是半導(dǎo)體技術(shù)的基石。然而，硅也有局限性，尤其在電力電子領(lǐng)域，設(shè)計人員面臨著越來越多的新難題。解決硅局限性的一種方法是使用寬禁帶半導(dǎo)體。本文為白皮...

2025-01-05 標(biāo)簽：安森美 SiC GaN 1591 0

溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智能電網(wǎng)以及電動汽車等多個領(lǐng)域展現(xiàn)...

2025-02-02 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 814 0

SiC MOSFET的參數(shù)特性

碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。本文將詳細(xì)探討...

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全方位解析碳化硅：應(yīng)用廣泛的高性能材料！

碳化硅（SiC），又稱碳硅石，是當(dāng)代C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種。它以其優(yōu)異的物理和化學(xué)性質(zhì)，在多個領(lǐng)域展現(xiàn)了不可替代的...

2024-12-30 標(biāo)簽：材料 SiC 碳化硅 1214 0

安森美碳化硅MOSFET的持續(xù)演進(jìn)

隨著電動汽車動力總成和能源基礎(chǔ)設(shè)施對碳化硅(SiC)功率器件需求的增加，加速了市場的增長。在這一過程中，終端用戶需求不斷提高以及日益增大的盈利壓力促使各...

2024-12-26 標(biāo)簽：MOSFET 安森美碳化硅 584 0

為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位

各位小伙伴，不久前我們推送了“SiC科普小課堂”視頻課——《什么是米勒鉗位？為什么碳化硅MOSFET特別需要米勒鉗位？》后反響熱烈，很多朋友留言詢問課件...

2024-12-19 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 功率器件 1812 0

浮思特|如何通過設(shè)計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機(jī)驅(qū)動熱管理效率?

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2024-12-09 標(biāo)簽：電動汽車 SiC 碳化硅 788 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運(yùn)營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
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Mobileye在單目視覺高級駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計算機(jī)視覺算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺融合的車輛探測、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測（HMW）、行人探測、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識別（TSR）、僅視覺自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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