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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。

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碳化硅技術(shù)

研究碳化硅襯底和外延的實驗報告

摘要本發(fā)明提供一種能夠提供低位錯缺陷的高質(zhì)量襯底的單晶碳化硅錠，和由此獲得的襯底和外延晶片。它是一種包含單晶碳化硅的單晶碳化硅錠，該單晶碳化硅含有濃...

2022-02-15 標(biāo)簽：晶圓襯底鍍膜 2068 0

2022年開工第一天，派恩杰半導(dǎo)體在全球首推PD 快充的碳化硅應(yīng)用方案

派恩杰半導(dǎo)體在此65W USB PD快充方案中，在不更改任何驅(qū)動參數(shù)條件下與傳統(tǒng)硅功率器件650V/125mohm進(jìn)行性能比較，在滿載條件下完整展現(xiàn)...

2022-02-08 標(biāo)簽：碳化硅 USB PD 派恩杰 1871 0

碳化硅和碳氮化硅薄膜的沉積方法

摘要本文提供了在襯底表面上沉積碳化硅薄膜的方法。這些方法包括使用氣相碳硅烷前體，并且可以釆用等離子體增強原子層沉積工藝。該方法可以在低于600“C的溫...

2022-02-07 標(biāo)簽：半導(dǎo)體碳化硅電沉積 1193 0

碳化硅在堿性溶液中的陽極刻蝕

引言人們對用于器件應(yīng)用的碳化硅(SiC)重新產(chǎn)生了濃厚的興趣。它具有良好的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)，可以作為第三族氮化物外延生長的襯底。在許多應(yīng)用領(lǐng)域，例...

2022-01-10 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2335 0

GaN 和 SiC 器件相似和差異

GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有顯著差異。

2021-11-17 標(biāo)簽：SiC GaN 半導(dǎo)體器件 5010 0

碳化硅功率晶體的設(shè)計發(fā)展及驅(qū)動電壓限制

在硅材料的高壓超級結(jié)功率晶體中，磊晶層的通態(tài)電阻占總通態(tài)電阻的90%以上。

2021-10-25 標(biāo)簽：碳化硅功率晶體管 1403 0

碳化硅功率模塊建模

2021-09-13 標(biāo)簽：碳化硅 1772 0

確保SiC驗證測試準(zhǔn)確度，有效測量碳化硅功率電子系統(tǒng)中的信號

在功率電子系統(tǒng)中，差分探頭和參考地電平探頭是兩種常用的電壓測量方法。差分探頭是一種流行的選擇，因為它可以毫無問題地添加到電路的任意節(jié)點中。

2021-07-13 標(biāo)簽：電子系統(tǒng)SiC 碳化硅 2421 0

碳化硅在下一代工業(yè)電機驅(qū)動器中的作用

使用WBG材料如碳化硅(SiC)可制造出性能超越硅(Si)的同類產(chǎn)品。雖然有各種重要的機會使用這項技術(shù)，但工業(yè)電機驅(qū)動正獲得最大的興趣和關(guān)注。

2021-07-04 標(biāo)簽：SiC 電機驅(qū)動器碳化硅 2518 0

又是碳化硅（SiC)，它到底好在哪里？

碳化硅和氮化鎵技術(shù)的“甜區(qū)”在哪里？

2021-06-02 標(biāo)簽：MOSFET 逆變器 IGBT 3143 0

用碳化硅MOSFET設(shè)計雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

電池供電的便攜式設(shè)備越來越多，在如今的生活中扮演的角色也愈發(fā)重要。這個趨勢還取決于高能量存儲技術(shù)的發(fā)展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。這些...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 升壓轉(zhuǎn)換器碳化硅 1467 0

碳化硅技術(shù)如何變革汽車車載充電

為了提高OBC系統(tǒng)的能效，人們研究了不同的PFC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，包括傳統(tǒng)PFC、半無橋PFC、雙向無橋PFC和圖騰柱無橋PFC。

2021-04-14 標(biāo)簽：電動汽車二極管安森美半導(dǎo)體 1880 0

碳化硅如何能夠提升開關(guān)電源設(shè)計

一個關(guān)鍵的比較參數(shù)是導(dǎo)通電阻RDS（on）。硅MOSFET表面的參數(shù)看起來比SiC更好，但由于其較低的倍增系數(shù)（κ），在100℃時，一個84mΩ的Coo...

2021-04-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源碳化硅 1739 0

英飛凌實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)方案解析

以對稱的布板設(shè)計來實現(xiàn)4個6毫歐的碳化硅模塊的并聯(lián)，給出了實際的測量結(jié)果。最后還通過門特卡羅分析來演繹批量器件應(yīng)用在并聯(lián)場合下的溫度偏差。由此可以看出碳...

2021-02-21 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 碳化硅 5219 0

分布式光伏發(fā)電逆變器的碳化硅應(yīng)用案例

消費者、各行業(yè)及政府都在采取各項措施以增加對可再生能源的利用，這正在將發(fā)電和輸配電系統(tǒng)從中心化的電網(wǎng)轉(zhuǎn)換成更加智能化網(wǎng)格化的，支持本地發(fā)電的拓?fù)洌⑼ㄟ^...

2020-12-14 標(biāo)簽：光伏發(fā)電分布式碳化硅 1681 0

在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

碳化硅CoolSiC? 器件的體二極管正向電壓（VF）是硅CoolMOS?器件的四倍。如果不對電路進(jìn)行相應(yīng)調(diào)整，很有機會在諧振LLC轉(zhuǎn)換器上在輕負(fù)載時效...

2020-12-14 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源電源轉(zhuǎn)換器 1225 0

碳化硅肖特基二極管的優(yōu)點及應(yīng)用

碳化硅肖特基二極管（SiCSBD）是一種單極型器件，采用結(jié)勢壘肖特基二極管結(jié)構(gòu)（JBS），因此相比于傳統(tǒng)的硅快恢復(fù)二極管（SiFRD），碳化硅肖特基二極...

2020-11-17 標(biāo)簽：肖特基二極管碳化硅 6650 0

SiC如何實現(xiàn)比硅更好的熱管理？SiC在電子領(lǐng)域有哪些應(yīng)用？

碳化硅（SiC）是由硅（Si）和碳（C）組成的半導(dǎo)體化合物，屬于寬帶隙（WBG）系列材料。它的物理鍵非常牢固，使半導(dǎo)體具有很高的機械，化學(xué)和熱穩(wěn)定性。寬...

2021-03-18 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件 SiC 8268 0

基于SiC或GaN的功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計

工程師對電磁干擾，并行化和布局非常熟悉，但是當(dāng)從基于硅的芯片過渡到碳化硅或?qū)拵镀骷r，需要多加注意。芯片顯示，基于硅（Si）的半導(dǎo)體比寬帶隙（WBG...

2021-04-06 標(biāo)簽：電磁干擾 SiC 氮化鎵 3810 0

基于無芯變壓器技術(shù)的柵極驅(qū)動器

功率器件在工業(yè)和汽車系統(tǒng)的設(shè)計中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發(fā)無核片上變壓器，以實現(xiàn)穩(wěn)健...

2021-04-12 標(biāo)簽：變壓器 MOSFET 碳化硅 2649 0

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開源電子原型平臺。包含硬件（各種型號的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
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從背景上看，28nm誕生于2008年那場金融危機之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運營資金壓力，將更多的資源集中到相對投入到芯片設(shè)計當(dāng)中
FinFET

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FinFET全稱叫鰭式場效應(yīng)晶體管，是一種新的互補式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚鰭的相似性。這種設(shè)計可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長。
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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見的企業(yè)，我們是敢于開拓的創(chuàng)新者。作為一個業(yè)務(wù)運營覆蓋 35 個國家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過35個國家、服務(wù)全球各地超過10萬家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過10萬種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因為與典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時間往往是個問題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通常可以先在本地存儲數(shù)據(jù)，無線鏈路可用時再行處理。
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廣州金升陽科技有限公司，成立于1998年7月，是國內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動作，與周邊的裝置或環(huán)境互動，而無需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個可擴展處理平臺Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計算性能水平。
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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。
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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測樣品的在外加激勵電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號，通常會對探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵信號，通過鎖相放大器對PFM信號進(jìn)行提取。

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