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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物，莫桑石。
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本文介紹了一種新穎的測量電路，以測量用于測量SiC MOSFET的實時或實際結溫。可以看出，出于訂購和處理數據或電流傳感器的目的，不需要本質上復雜的任何算法。
功率器件在工業和汽車系統的設計中起著決定性的作用。為了滿足這些應用的特定要求并縮短上市時間，ROHM使用專有的微制造工藝來開發無核片上變壓器，以實現穩健...
由于SiC具有高導熱性，因此它比其他半導體材料更快地散發熱量。因此，SiC器件可以在極高的功率水平下運行，并且仍然可以散發器件產生的大量多余熱量。
與碳化硅 （SiC）FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 （GaN） 場效應晶體管 （FET） 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換...
電動汽車的激增將功率半導體性能的邊界推向了新的高度。傳統上，硅功率器件已用于控制汽車中的各種功率電子系統，例如用于主逆變器電機，泵，HVAC壓縮機，制動...
基于GaN晶體管的500W電機驅動方案 GaN和汽車究竟是什么關系
電機是全球耗電大戶，盡管電壓很高，硅仍然是主流。不過，GaN 和 SiC 都在向高效率變頻驅動的電機驅動系統進軍。但這個市場非常保守，適應新技術的速度很...
隨著云計算的概念越來越流行，數據量越來越大，數據中心每天都在改進，最終開始以更快的速度增長。它們已成為最大和最快的能源消耗來源，而 UPS（不間斷電源）...
2021-06-14 標簽：整流器碳化硅SiC MOSFET 3123 0
碳化硅半導體 一、碳化硅材料的特性 SiC（碳化硅）是由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導體。與 Si 相比，SiC 具有十倍的介電擊穿場強、三倍的帶...
對于可再生能源設備，如太陽能逆變器和儲能設備，我們的碳化硅器件具有極低的RDS（on）特性，可將散熱量保持在最低水平。
碳化硅二極管具有非常快速的恢復時間，這可提高開關速率，并減小磁性元件和其它無源元件的尺寸，從而使最終產品具有更高的功率密度。
電池供電的便攜設備越來越多，在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個趨勢還取決于高能量儲存技術的發展，例如鋰離子（Li-ion）電池和超級電容器。 這些...
用于功率轉換器和逆變器的半橋配置中的硬切換是用于有效功率轉換的常用技術，特別是在較高功率水平下。隨著碳化硅（SiC）技術使開關速度提高，電源兩端短路導致...
碳化硅功率器件的研發始于20世紀90年代，目前已成為新型功率半導體器件研究開發的主流。業界普遍認為碳化硅功率器件是一種真正的創新技術，有助于對抗全球氣候...
碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs、GaP、InP等）之后發展起來的第三代半導體材料。
作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET日益引起工業界，特別是電氣工程師的重視。之所以電氣工程師如此重視這兩種功率半導體，是因為...
SiC器件的市場份額預計將在未來幾年加速增長，主要推動因素是運輸行業的電氣化。SiC管芯將成為車載充電器和動力傳動牽引系統等應用的模塊中的基本構件。
三相1200V/450A SiC MOSFET電動汽車智能功率模塊
該智能功率模塊是為高熱環境的穩定性應用而設計的，額定的 最高結溫為 175℃。柵極驅動器本身具備在最高環境工作溫度為 125℃的情況下、長時間工作的增強...
兩種元件都已經利用雙脈波測試，從動態的角度加以分析。兩者的比較是以應用為基礎，例如600 V匯流排直流電壓，開啟和關閉的dv/dt均設定為5 V/ns。
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