浮思特|如何通過設計SiC功率模塊優(yōu)化電動汽車電機驅動熱管理效率?

提高電機驅動系統(tǒng)的功率密度是提升電動汽車性能的關鍵。特斯拉已經(jīng)使用的碳化硅(SiC)功率模塊，有可能將功率密度提高一倍。SiC器件具有高溫電阻性、低損耗...

2024-12-09 標簽：電動汽車SiC碳化硅 789 0

碳化硅MOSFET柵極氧化層缺陷的檢測技術

碳化硅材料在功率器件中的優(yōu)勢碳化硅（SiC）作為第三代化合物半導體材料，相較于傳統(tǒng)硅基器件，展現(xiàn)出了卓越的性能。SiC具有高禁帶寬度、高熱導率、高的擊穿...

2024-12-06 標簽：MOSFET檢測碳化硅 1353 0

SiC功率器件的特點和優(yōu)勢

SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的重要技術，其相較于傳統(tǒng)的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)。Wol...

2024-12-05 標簽：晶體管功率器件SiC 1133 0

第三代寬禁帶半導體:碳化硅和氮化鎵介紹

? 第三代寬禁帶功率半導體在高溫、高頻、高耐壓等方面的優(yōu)勢，且它們在電力電子系統(tǒng)和電動汽車等領域中有著重要應用。本文對其進行簡單介紹。 以碳化硅（SiC...

2024-12-05 標簽：半導體氮化鎵碳化硅 1295 0

模塊封裝的關鍵工藝

區(qū)別于分立器件模塊的制造有一些特別的關鍵工藝技術，如銀燒結、粗銅線鍵合、端子焊接等。

2024-12-04 標簽：封裝分立器件碳化硅 671 0

SiC半導體產(chǎn)品如何實現(xiàn)高質量和高可靠性

從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產(chǎn)品是我們生活中無數(shù)電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產(chǎn)品和電動汽車(EV)，它們...

2024-11-30 標簽：二極管MOSFET半導體 848 0

基本半導體Pcore?2 E2B工業(yè)級碳化硅半橋模塊解析

隨著可再生能源、電動汽車等領域現(xiàn)代電力應用的發(fā)展，硅的局限性變得越來越明顯。以碳化硅為代表的寬禁帶半導體材料具有適合高壓、大功率應用的優(yōu)良特性，在650...

2024-11-26 標簽：半導體碳化硅半橋模塊 839 0

超短脈沖激光輔助碳化硅晶圓切片

? 當今科技迅速發(fā)展，超短脈沖激光技術作為一項重要的特種加工技術，引起了廣泛關注。超短脈沖激光以其極短的脈沖寬度和高能量密度，在微納加工領域備受矚目。在...

2024-11-25 標簽：晶圓脈沖激光碳化硅 753 0

電隔離柵極驅動器的隔離能力評估

電隔離式 (GI) 柵極驅動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球對電力...

2024-11-11 標簽：半導體安森美SiC 793 0

車載充電器材料選擇比較

車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉換為適合電池充電的直流電，從而實現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的...

2024-11-07 標簽：電動汽車IGBT碳化硅 921 0

晶圓封裝過程缺陷解析

在半導體制造流程中，晶圓測試是確保產(chǎn)品質量和性能的關鍵環(huán)節(jié)。與此同時封裝過程中的缺陷對半導體器件的性能和可靠性具有重要影響，本文就上述兩個方面進行介紹。

2024-11-04 標簽：半導體晶圓碳化硅 913 0

SiC的發(fā)展歷程和涂層制備方法

SiC的歷史可以追溯到1891年，由愛德華·古德里奇·艾奇遜（Edward Goodrich Acheson）在嘗試合成人造金剛石的過程中偶然發(fā)現(xiàn)。艾奇...

2024-10-23 標簽：半導體晶體SiC 1709 0

碳化硅生產(chǎn)難點是什么

第一代半導體材料以傳統(tǒng)的硅（Si）和鍺（Ge）為代表，是集成電路制造的基礎，廣泛應用于低壓、低頻、低功率的晶體管和探測器中，90%以上的半導體產(chǎn)品 是用...

2024-10-16 標簽：集成電路半導體SiC 1109 0

SiC MOSFET模塊封裝技術及驅動設計

碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅SiC MOSFET作為一種新型寬禁帶半導體器件，具有導通電阻低，開關損耗小的特...

2024-10-16 標簽：MOSFET半導體封裝技術 4960 0

基于多堆疊直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法

摘要：碳化硅(SiC)功率模塊在電動汽車驅動系統(tǒng)中起著至關重要的作用。為了提高功率模塊的性能、減小體積、提高生產(chǎn)效率，本文提出了一種基于多堆疊直接鍵合銅...

2024-10-16 標簽：封裝SiC功率模塊 1387 0

SiC功率器件中的溝槽結構測量

汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統(tǒng)硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率...

2024-10-16 標簽：MOSFET功率器件SiC 749 0

SiC MOSFET溝道遷移率提升工藝介紹

過去三十年，碳化硅功率半導體行業(yè)取得了長足的進步，但在降低缺陷方面依然面臨著重大挑戰(zhàn)。其主要問題是——碳化硅與柵氧化層之間的界面處存在著大量的缺陷。在N...

2024-10-16 標簽：MOSFET半導體晶圓 1605 0

原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應用

本文小編分享一篇文章，本文介紹的是原子層鍍膜在功率器件行業(yè)的應用，本文介紹了原子層鍍膜技術在碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件中的應用，并介紹了原子層鍍膜技...

2024-10-15 標簽：功率器件氮化鎵鍍膜 763 0

光伏板碳化硅二極管怎么選

選擇光伏板碳化硅二極管需考慮以下因素。

2024-09-29 標簽：二極管光伏系統(tǒng)碳化硅 907 0