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標簽 > 碳化硅
金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。
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貼片壓敏電阻的最大耐壓值可以因不同型號、規格及生產工藝而有所差異。一般來說,貼片壓敏電阻的壓敏電壓范圍可以從較低的幾伏到較高的幾百伏甚至上千伏。具體來說...
二極管反向恢復的頻率響應是一個涉及二極管在高頻操作條件下性能的重要概念。它主要描述了二極管在經歷從正向導通狀態到反向偏置狀態(或相反過程)時,其電流和電...
三相全橋SiC MOSFET模塊,為車載空調壓縮機提供創新解決方案
1200V三相全橋碳化硅模塊。這款模塊采用緊湊型頂部散熱塑封結構,以其高效能、高功率密度和優秀的散熱性能,展現了碳化硅材料在高壓、高頻、低損耗方面的優勢...
隨著電力電子技術的飛速發展,傳統的硅基功率器件因其物理特性的限制,已經逐漸難以滿足日益增長的高性能、高效率、高可靠性的應用需求。在這一背景下,碳化硅(S...
隨著全球能源結構的轉型和電力電子技術的飛速發展,碳化硅(SiC)功率器件作為新一代半導體材料,正逐漸成為電力電子領域的璀璨明星。其獨特的物理和化學屬性,...
SiC(碳化硅)功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件,它是繼硅(Si)和氮化鎵(GaN)之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優異...
SiC(碳化硅)二極管在大功率電源上的應用,正逐漸成為電力電子領域的一項重要技術革新。其憑借高能效、高功率密度、高溫穩定性以及優越的電氣特性,在多個大功...
SiC二極管,全稱SiC碳化硅勢壘二極管,也被稱為SiC碳化硅肖特基二極管(SiC SBD),是碳化硅(SiC)功率器件的一種,屬于第三代半導體材料的應...
氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)都是當前半導體材料領域的佼佼者,它們各自具有獨特的優勢,應用領域也有所不同。以下是對兩者優勢的比較: 氮化鎵(GaN)...
引言 碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是兩種具有重要應用前景的第三代半導體材料。它們具有高熱導率、高電子遷移率、高擊穿場強等優異的物理化學性質,被廣泛...
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