淺析碳化硅功率器件：原理、應用與未來發展前景

隨著能源效率和環保要求的日益提高，電力電子系統正在向著更高效、更緊湊的方向發展。

2024-02-28 標簽：晶體管硅二極管功率器件 1400 0

繼電器光耦的工作原理與應用探討

繼電器光耦主要由發光二極管（LED）和光敏三極管（或光敏電阻）兩部分組成。發光二極管作為輸入端，當輸入電流通過時，會發出特定波長的光。

2024-02-27 標簽：繼電器發光二極管光耦 838 0

碳化硅功率器件的工作原理和性能優勢

隨著全球能源結構的轉變和可再生能源的普及，電力電子技術在現代社會中的作用日益凸顯。作為電力電子技術的關鍵元件，功率器件的性能直接影響著能源轉換和使用的效...

2024-02-25 標簽：晶體管功率器件碳化硅 1411 0

晶體制備技術：碳化硅襯底成本降低的關鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標簽：SiC半導體器件碳化硅 1108 0

TaC涂層石墨件的應用與研發難點都有哪些呢？

以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的第三代寬禁帶半導體材料具有優異的光電轉換和微波信號傳輸能力，能滿足高頻、高溫、大功率和抗輻射電子器件的需求。

2024-02-20 標簽：新能源汽車半導體光電轉換 4751 0

全碳化硅直流充電設備技術研究案例

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結構方案,

2024-02-20 標簽：新能源汽車功率器件碳化硅 757 0

具有低導通電阻的GaN-on-SiC肖特基勢壘二極管設計

北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極管（SBD）的性能

2024-02-19 標簽：SBDSiCGaN 1988 0

深度解讀第三代半導體—碳化硅

碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導體材料，是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。

2024-01-24 標簽：二極管MOSFET半導體 4128 0

碳化硅晶片的化學機械拋光技術研究

為實現碳化硅晶片的高效低損傷拋光，提高碳化硅拋光的成品率，降低加工成本，對現有的碳化硅化學機械拋光 技術進行了總結和研究。針對碳化硅典型的晶型結構及其微...

2024-01-24 標簽：SiC晶片碳化硅 3106 0

一文詳解MEMS高溫壓力傳感器

高溫壓力傳感器廣泛應用于工業、航空航天等領域，用來監測航空發動機、重型燃氣輪機、燃煤燃氣鍋爐等動力設備燃燒室內的壓力，耐高溫和高可靠性是對其最基本的要求。

2024-01-23 標簽：多晶硅mems壓力傳感器 5759 0

碳化硅的激光切割技術介紹

晶片切割是半導體器件制造的關鍵步驟，切割方式和質量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產成本，同時對器件制造也有重大影響。碳化硅作為第三代半導體材料...

2024-01-23 標簽：半導體晶片激光切割技術 6447 0

SiC碳化硅MOSFET的應用及性能優勢

碳化硅是第三代半導體產業發展的重要基礎材料，碳化硅功率器件以其優異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能，能夠有效滿足電力電子系統的高效率、小型化和輕量化要求。

2024-01-20 標簽：新能源汽車MOSFET晶體管 1535 0

100kW碳化硅三相并網逆變器設計

摘要：隨著人們環保意識的不斷提高，傳統的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能源逐漸引起人們的關注。而并網逆變器作為新能源與電網連...

2024-01-19 標簽：逆變器IGBT晶體管 2783 0

碳化硅晶片為什么存在C面和Si面

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本結構單元為 Si-C 四面體。

2024-01-18 標簽：半導體SiC晶片 2419 0