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第三代半導(dǎo)體

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第三代半導(dǎo)體主要是材料的變化。半導(dǎo)體材料是制作晶體管、集成電路、電電電子器件、光電子器件的重要材料，發(fā)展經(jīng)歷了三個(gè)階段。

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第三代半導(dǎo)體資訊

功率半導(dǎo)體廠商揚(yáng)杰科技上榜央視“CCTV品牌強(qiáng)國工程”

揚(yáng)杰科技憑借在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)先技術(shù)與品牌影響力，作為江蘇省半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿企業(yè)，成功入選中央廣播電視總臺(tái)“CCTV品牌強(qiáng)國工程”，于央視CCTV-1、...

2025-05-27 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 617 0

安世半導(dǎo)體氮化鎵器件助力浩思動(dòng)力2025上海車展核心技術(shù)首秀

安世半導(dǎo)體近日宣布，旗下先進(jìn)的氮化鎵(GaN)器件成功應(yīng)用于浩思動(dòng)力(Horse Powertrain)首款超級(jí)集成動(dòng)力系統(tǒng)—Gemini小型增程器的發(fā)...

2025-04-29 標(biāo)簽：氮化鎵安世半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1294 0

意法半導(dǎo)體：推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略，引領(lǐng)行業(yè)規(guī)模化發(fā)展

???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個(gè)領(lǐng)域取得了顯著進(jìn)步，并經(jīng)...

2025-04-10 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 SiC 第三代半導(dǎo)體 1336 0

兆易創(chuàng)新與納微半導(dǎo)體達(dá)成戰(zhàn)略合作高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導(dǎo)體正式達(dá)成戰(zhàn)略合作！雙方將強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進(jìn)的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵...

2025-04-08 標(biāo)簽：mcu 功率半導(dǎo)體兆易創(chuàng)新 1442 0

第三代功率半導(dǎo)體廠商納微半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號(hào)

? 日前，廣東領(lǐng)益智造股份有限公司（簡稱“領(lǐng)益智造”）2025年供應(yīng)商大會(huì)于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。納微達(dá)斯（無錫）半導(dǎo)體有限公司（簡稱“納微半導(dǎo)體”...

2025-03-14 標(biāo)簽：功率半導(dǎo)體納微半導(dǎo)體第三代半導(dǎo)體 1579 0

破產(chǎn)、并購、產(chǎn)能擴(kuò)張減速——盤點(diǎn)2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）剛剛過去的2024年里，第三代半導(dǎo)體迎來了更大規(guī)模的應(yīng)用，在清潔能源、新能源汽車市場進(jìn)一步滲透的同時(shí)，數(shù)據(jù)中心電源、機(jī)器人...

2025-01-05 標(biāo)簽：氮化鎵碳化硅第三代半導(dǎo)體 1.1萬 0

第三代半導(dǎo)體對(duì)防震基座需求前景?

隨著科技的發(fā)展，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于快速擴(kuò)張階段。在全球范圍內(nèi)，各國都在加大對(duì)第三代半導(dǎo)體的投入，建設(shè)了眾多新的晶圓廠和生產(chǎn)線。如中國，多地都有相關(guān)大...

2024-12-27 標(biāo)簽：基座碳化硅第三代半導(dǎo)體 512 0

第三代半導(dǎo)體防震基座的技術(shù)難點(diǎn)有哪些？

高性能材料研發(fā)：需要具備更高阻尼性能、更低自然頻率、更好的耐腐蝕性和耐高溫性的特殊材料，如先進(jìn)的復(fù)合材料、特種合金等。目前部分高性能材料依賴進(jìn)口，限制了...

2024-12-27 標(biāo)簽：基座半導(dǎo)體設(shè)備第三代半導(dǎo)體 524 0

第三代半導(dǎo)體氮化鎵(GaN)基礎(chǔ)知識(shí)

第三代半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）。它以其卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，在科技界掀起了一陣熱潮。 ? 今天我要和你們聊一聊半導(dǎo)體領(lǐng)域的一顆“新星”——第三代半導(dǎo)...

2024-11-27 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 第三代半導(dǎo)體 1596 0

康佳進(jìn)軍第三代半導(dǎo)體封測

11月8日，據(jù)鹽城網(wǎng)消息，康佳芯云半導(dǎo)體科技(鹽城)有限公司（下文簡稱“康佳芯云”）負(fù)責(zé)人在接受采訪時(shí)表示，公司正在推動(dòng)對(duì)第三代半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)，并...

2024-11-12 標(biāo)簽：康佳封測第三代半導(dǎo)體 566 0

第1波嘉賓劇透！六大院士專家精彩分享：AEMIC第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù)創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展

第2屆第三代半導(dǎo)體及先進(jìn)封裝技術(shù) 創(chuàng)新大會(huì)暨先進(jìn)半導(dǎo)體展 ? “芯”材料? 新領(lǐng)航?? 11月6-8日，深圳國際會(huì)展中心（寶安） ? ? 主辦單位中國...

2024-09-10 標(biāo)簽：第三代半導(dǎo)體 464 0

去庫存效果怎樣？9家大廠中報(bào)，看功率半導(dǎo)體市場年底走勢

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）最近，多家本土功率半導(dǎo)體廠商公布了2024上半年業(yè)績。去年乘著工業(yè)和電動(dòng)汽車市場的強(qiáng)勁需求，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域尤其是SiC...

2024-09-02 標(biāo)簽：IGBT 士蘭微功率器件 6190 0

半導(dǎo)體行業(yè)回暖，萬年芯深耕高端封裝

2024年，近七成半導(dǎo)體公司經(jīng)營業(yè)績回暖，在第三代半導(dǎo)體行業(yè)復(fù)蘇浪潮中，封測技術(shù)作為后摩爾時(shí)代的關(guān)鍵技術(shù)環(huán)節(jié)，作用愈發(fā)凸顯。萬年芯憑借其在封裝測試領(lǐng)域夯...

2024-08-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體封裝測試碳化硅 751 0

萬年芯：三代半企業(yè)提速，碳化硅跑步進(jìn)入8英寸時(shí)代

英飛凌于近期宣布，其位于馬來西亞的新晶圓廠正式進(jìn)入第一階段建設(shè)，該晶圓廠將成為全球最大、最具競爭力的8英寸碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體晶圓廠。無獨(dú)有偶，安...

2024-08-16 標(biāo)簽：晶圓碳化硅第三代半導(dǎo)體 890 0

萬年芯：“國家隊(duì)”出手！各國角逐碳化硅/氮化鎵三代半產(chǎn)業(yè)

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料被認(rèn)為是當(dāng)今電子電力產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要推動(dòng)力，已在新能源汽車、光儲(chǔ)充、智能電網(wǎng)、5G通信、微波射頻、消費(fèi)電子等領(lǐng)域展...

2024-08-10 標(biāo)簽：SiC 碳化硅第三代半導(dǎo)體 818 0

國產(chǎn)第三代半導(dǎo)體原廠上市即遭大廠訴訟，產(chǎn)業(yè)前景如何解讀？

電子發(fā)燒友網(wǎng)（文/梁浩斌）最近國內(nèi)的首個(gè)第三代半導(dǎo)體芯片原廠提出了在港交所IPO上市的申請，不出意外的話將會(huì)獲得成功上市。這對(duì)于國內(nèi)眾多三代半的功率器件...

2024-08-05 標(biāo)簽：氮化鎵 GaN 第三代半導(dǎo)體 4374 0

替代Trench MOSFET？國產(chǎn)SGT MOSFET產(chǎn)品井噴

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）近幾年第三代半導(dǎo)體在功率器件上發(fā)光發(fā)熱，低壓消費(fèi)應(yīng)用上GaN器件統(tǒng)治充電頭市場，新能源汽車高壓平臺(tái)上SiC器件逐漸成為標(biāo)配...

2024-08-02 標(biāo)簽：MOSFET 功率器件第三代半導(dǎo)體 9165 0

SiC和GaN加速上車！2029年第三代半導(dǎo)體全球規(guī)模如何？Yole專家揭秘

近日，在慕尼黑上海電子展的論壇上，Yole Group化合物半導(dǎo)體資深分析師邱柏順從行業(yè)分析的角度向現(xiàn)場工程師和觀眾分享了全球碳化硅與氮化鎵市場最新發(fā)展...

2024-07-19 標(biāo)簽：SiC GaN 第三代半導(dǎo)體 6844 0

光伏微逆、數(shù)據(jù)中心先行，GaN OBC也在加快進(jìn)度

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）去年12月，英飛凌公布了自己的OBC產(chǎn)品戰(zhàn)略路線，未來將采用SiC和GaN等第三代半導(dǎo)體來提高OBC功率密度，其中GaN會(huì)...

2024-07-17 標(biāo)簽：光伏數(shù)據(jù)中心 GaN 4508 0

在混合電源設(shè)計(jì)上，Si、SiC、GaN如何各司其職？

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2024-07-08 標(biāo)簽：電源 SiC GaN 4089 0

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電子發(fā)燒友網(wǎng)于2006年10月成立，是一個(gè)以電子技術(shù)知識(shí)為核心，以工程師為主導(dǎo)的平臺(tái)。致立于為中國電子工程師的電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)等做出最大貢獻(xiàn)，促進(jìn)中國電子科技的穩(wěn)步發(fā)展。
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京瓷株式會(huì)社成立于1959年4月1日。川村誠為現(xiàn)任代表取締役社長。資本金為1，157億332萬日元。截至2006年3月31日為止的年度銷售額達(dá)到1，181，489百萬日元，集團(tuán)公司包括關(guān)聯(lián)公司在內(nèi)共計(jì)183家，員工61，468名。
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6G網(wǎng)絡(luò)將是一個(gè)地面無線與衛(wèi)星通信集成的全連接世界。6G，即第六代移動(dòng)通信標(biāo)準(zhǔn)，也被稱為第六代移動(dòng)通信技術(shù)。主要促進(jìn)的就是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展。截至2019年11月，6G仍在開發(fā)階段。6G的傳輸能力可能比5G提升100倍，網(wǎng)絡(luò)延遲也可能從毫秒降到微秒級(jí)。
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WiFi6主要使用了OFDMA、MU-MIMO等技術(shù)，MU-MIMO（多用戶多入多出）技術(shù)允許路由器同時(shí)與多個(gè)設(shè)備通信，而不是依次進(jìn)行通信。MU-MIMO允許路由器一次與四個(gè)設(shè)備通信，WiFi6將允許與多達(dá)8個(gè)設(shè)備通信。WiFi6還利用其他技術(shù)，如OFDMA（正交頻分多址）和發(fā)射波束成形，兩者的作用分別提高效率和網(wǎng)絡(luò)容量。WiFi6最高速率可達(dá)9.6Gbps。
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　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。

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