開關電源芯片U6113設計助力EMI系統(tǒng)性能優(yōu)化

開關電源芯片把開關電源所需要的控制邏輯都集成在芯片中，作用當然是來簡化電路設計、提高可靠性的。

2024-04-07 標簽：MOSFET控制器穩(wěn)壓器 1119 0

MOSFET漏極導通特性與開關過程簡析

本文就MOSFET的開關過程進行相關介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關內容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關斷的過...

2023-12-04 標簽：三極管MOSFET可變電阻 2190 0

在半導體開關中使用共源共柵拓撲消除米勒效應

在半導體開關中使用共源共柵拓撲消除米勒效應

2023-12-07 標簽：SiC共源共柵米勒電容 783 0

關于MOS管、IGBT米勒平臺的分析

米勒平臺的形成與其材料、制造工藝息息相關，當GE之間電壓大于閾值點的時候，管子的CE電壓開始下降，但是下降的速度十分緩慢

2023-11-03 標簽：MOS管IGBT驅動電流 1.0萬 0

改善射頻ACLR的幾種方法

射頻設計的同學可能都會接觸到一個很關鍵的詞，就是ACLR，什么是ACLR?

2023-10-10 標簽：濾波器SAW射頻設計 5508 0

詳解運放的頻率補償方法

使開環(huán)增益下降到0dB時所對應的總相移小于180度。（2）或總相移達到180度時所對應的開環(huán)增益小于0dB。

2023-09-25 標簽：運放頻率補償米勒電容 4981 0

如何使用米勒電容對運算放大器補償？

米勒電容（Miller capacitance）通常用于運算放大器頻率補償?shù)姆椒ㄖ小?/p>

2023-09-18 標簽：電容器電壓放大器運算放大器 4522 0

SiC MOSFET使用溝槽柵真的有必要嗎？

MOSFET全稱金屬-氧化物半導體場效應晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)。

2023-08-24 標簽：MOSFET場效應晶體管體二極管 736 0

IGBT模塊短路的性能有哪些？寄生導通現(xiàn)象有哪些？

IGBT模塊短路特性強烈地依賴于具體應用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅動電路及短路回路阻抗。

2023-08-04 標簽：分壓器IGBT短路 2689 0

搞懂MOS管的米勒效應

通過了解MOS管的的開關過程，以及MOS米勒電容的影響，來改進MOS管設計。

2023-07-21 標簽：MOS管MOS米勒電容 8895 0

全面認識MOS管，一篇文章就夠了

今天勢必要來一篇文章，徹底掌握mos管！

2023-06-13 標簽：場效應管MOS管FET 2.2萬 2

介紹MOSFET動態(tài)性能相關的參數(shù)

柵極電荷是指為導通MOSFET而注入到柵極電極的電荷量，有時也稱為總柵極電荷?？倴艠O電荷包括 Qgs 和 Qgd。Q gs表示柵極-源的電荷量，Qgd ...

2023-05-29 標簽：MOSFET示波器MOS管 9691 0

IGBT中米勒效應的影響和處理方法

之前我們在介紹MOS和IGBT的文章中也有提到米勒電容和米勒效應的概念，在IGBT的導通過程分析的文章中我們也簡單提到過米勒平臺

2023-05-25 標簽：三極管MOSFETMOS管 9788 0

米勒電容如何限制高頻放大？

由于存在物理學定律，電阻、電容和電感將繼續(xù)成為挑戰(zhàn)。我們對此無能為力，所以自熱離子真空管問世以來，電子設計人員就學會了通過開發(fā)巧妙的電路拓撲來解決這些問題。

2023-05-22 標簽：MOSFET驅動器FET 1319 0

MOS管的米勒電容及CCS電流源模型

在器件的手冊中，會給出MOS管的寄生參數(shù)，其中輸入電容Ciss就是從輸入回路，即端口G和S看進去的電容，MOS管導通時的GS電容，是Cgd和Cds的并聯(lián)。

2023-01-19 標簽：MOS管晶體管CCS 1.7萬 1