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標簽 > 納米器件
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大規(guī)模集成電路的散熱大致上可以分為兩個(或者三個)步驟,如圖1(a)所示。第一步是單個晶體管產(chǎn)生的熱量被傳導通過封裝外殼。
具有高居里溫度和強磁晶各向異性的雙極性VSi?As?和VGe?As?單層的預測
浙江工業(yè)大學王垚老師課題組(第一作者:張金森)采用密度泛函理論和鴻之微Device Studio軟件預測出雙極性VSi2As4和VGe2As4單層具有高...
Nanoskim是基于Slater-Koster緊束縛勢場的量子輸運仿真軟件,可以從原子層級來構(gòu)建納米器件。
2023-03-14 標簽:納米器件 1270 0
氫空位簇對鍺烷電子結(jié)構(gòu)的調(diào)控以及鍺烷中分子摻雜的影響
2013年, Bianco等通過CaGe2拓撲化學剝離的方法,首次在實驗上合成了具有較高熱穩(wěn)定性和抗氧化性的單層鍺烷。
什么是FIB?FIB有哪些應用?如何修改線路做FIB?FIB怎么做失效分析?
什么是FIB?FIB有哪些應用?如何修改線路做FIB?FIB怎么做失效分析?FIB還能生長PAD?FIB案例有些? FIB是Focused Ion Be...
EPFL研究人員已經(jīng)開發(fā)出一種比當今最快的晶體管運行速度快十倍的器件。新設(shè)備的運行速度也比目前計算機中的晶體管快100倍左右。
據(jù)瑞士洛桑聯(lián)邦理工學院(EPFL)官網(wǎng)近日報道,該校研究團隊開發(fā)出一款比現(xiàn)今最快速的晶體管快10倍的納米器件。
EPFL研究員開發(fā)出了一種比現(xiàn)今最快的晶體管運行速度快十倍器件,并且新設(shè)備在運行速度上也比當前計算機中的晶體管快100倍左右。
對外延BiFeO3薄膜中不同類型疇壁的動力學特征進行了觀測和統(tǒng)計學分析
南京大學呂笑梅教授課題組和美國羅格斯大學、中國科學院深圳先進技術(shù)研究院、美國華盛頓大學等多個單位合作,利用基于原子力顯微鏡的三維電疇表征方法,對外延Bi...
Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.7-5.8內(nèi)容
上一期的教程給大家介紹了Device Studio支持的文件類型及結(jié)構(gòu)建模5.4-5.6的內(nèi)容,本期繼續(xù)介紹Device Studio結(jié)構(gòu)建模5.7-5...
泰晶科技“微納米器件科技創(chuàng)新戰(zhàn)略團隊”入選雙創(chuàng)戰(zhàn)略團隊
全球通訊頻控器件領(lǐng)導者 歷經(jīng)數(shù)月資格審查,集中評審,路演答辯,專家組實地考察,5月6號湖北省科技廳公示2020年度“雙創(chuàng)戰(zhàn)略團隊”入選名單,全省60個團...
淺談最新DNA機器人設(shè)計技術(shù)詳細內(nèi)容
只用短短數(shù)分鐘而不是數(shù)天時間就能完成“DNA機器人”設(shè)計,現(xiàn)在科學家在這一領(lǐng)域邁出了巨大一步。
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