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標簽 > 閾值電壓
閾值電壓 （Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉折區的中點對應的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時具有不同的參數。如描述場發射的特性時，電流達到10mA時的電壓被稱為閾值電壓。
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合科泰推出一款采用SOT-23封裝的P溝道MOS管IRLML6402
PMOS是指N型襯底、P溝道，靠空穴的流動運送電流的MOS管，因為PMOS是N型硅襯底，多數載流子是電子，少數載流子是空穴，源漏區的摻雜類型是P型，所以...
在現代電子設備中，金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）是一種至關重要的半導體器件。
比較器是一種電子器件，用于比較兩個輸入信號的大小，并根據比較結果輸出一個邏輯信號。比較器通常由兩個輸入端、一個輸出端和一個閾值電壓組成。
如今整個電路系統，性能要求越來越高，功耗要求越來越低，其設計也越來越復雜，在目前復雜系統設計中會存在各個元器件之間的工作電壓不一致的情況;
MOSFET發生EOS的失效模式有哪些？如何區分是什么原因失效的？
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種廣泛應用于電子設備中的半導體器件，其主要功能是控制電流的流動。
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）或 IGFET（絕緣柵場效應晶體管）是一種場效應晶體管，它在柵極和主體之間利用絕緣體（如 SiO2）。如今，...
轉移特性曲線：固定VDS值，MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。
現在我們把時間變量圖片加入，進行電荷總量圖片的瞬態分析。當柵極電壓低于閾值電壓，IGBT內部存儲的電荷開始衰減，衰減過程是因為載流子壽命有限而自然復合
在穩態部分的分析中，我們詳細地推演了電子電流、空穴電流、總電流以及各電壓構成部分與多余載流子濃度分布之間的關系，即一維空間的物理關系。
氧化硅等絕緣層是MOS器件的重要組成部分，在高能粒子的輻射下，絕緣層中激發的電子空穴對會對絕緣層的特性造成影響。
分析完閾值電壓的機制后，下面我們重點分析一下MOS器件的電壓、電流與閾值電壓之間的關系。
硬件面試中有遇到過這樣的事嗎？通常讓你畫一個增強型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
大家好，今天聊一下IGBT驅動中的**參考電位**問題。我們都知道IGBT的驅動參考電平都是基于 **器件自身的發射極** ，當柵極相對于發射極電位 *...
我們學習了如何使用 Micropython 和 ESP32 實現 GPIO 輸入輸出功能。然而，這種方式存在一個問題：代碼需要不斷地檢測 IO 輸入口的...
如果模擬IC工程師你經常用.18um以上的工藝，那么你很可能從來沒有關注過WPE以及LOD（Length Of Diffusion）效應。
以N管為例（P管類似），當Vg逐漸升高，p襯底中的空穴被向下的電場趕離柵區留下負離子以鏡像柵上的電荷。
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