雪崩擊穿知識(shí)

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  MOSFET單脈沖雪崩擊穿能量的失效模式

  單脈沖雪崩擊穿能量(Energy during avalanche for single pulse)，即 EAS。指的

  2025-05-15 標(biāo)簽： MOSFET 電感 雪崩擊穿 1097 0

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  面對(duì)MOS管小電流發(fā)熱，該如何解決？

  Source、Drain、Gate分別對(duì)應(yīng)場(chǎng)效應(yīng)管的三極：源極S、漏極D、柵極G（這里不講柵極GOX擊穿，只針對(duì)漏極電壓

  2025-02-11 標(biāo)簽： MOS管 雪崩擊穿 小電流 412 0

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  功率器件雪崩擊穿的工作原理和失效機(jī)理

  雪崩耐量是功率器件性能評(píng)估的關(guān)鍵指標(biāo)，那么什么是雪崩耐量呢？即向半導(dǎo)體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時(shí),電場(chǎng)衰減電流的流

  2024-08-15 標(biāo)簽： MOSFET 雪崩擊穿 功率器件 3265 0

• 什么是PN結(jié)的反向擊穿？PN結(jié)的反向擊穿有哪幾種？

  PN結(jié)的反向擊穿是半導(dǎo)體物理學(xué)中的一個(gè)重要概念，它指的是在PN結(jié)處于反向偏置狀態(tài)時(shí)，當(dāng)外加的反向電壓增加到一定程度時(shí)，P

  2024-07-25 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 PN結(jié) 雪崩擊穿 8811 0

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  一文詳解齊納擊穿和雪崩擊穿

  圖1給出了PN二極管的伏安特性，包括擊穿區(qū)域。因此，當(dāng)PN二極管高度反向偏置時(shí)，結(jié)可能會(huì)擊穿，即它呈現(xiàn)極小的電阻，導(dǎo)致電

  2024-05-05 標(biāo)簽： 二極管 雪崩擊穿 10703 0

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  TVS瞬態(tài)電壓抑制器關(guān)鍵參數(shù)都有哪些？

  TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬態(tài)電壓抑制器，又稱(chēng)雪崩擊穿二極管。

  2024-02-26 標(biāo)簽： 二極管 TVS 雪崩擊穿 1953 0

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  MOSFET雪崩擊穿圖解 MOSFET避免雪崩失效的方法

  當(dāng)功率器件承受的雪崩耐量超過(guò)極限后，芯片最終會(huì)損壞，然而單脈沖雪崩與重復(fù)雪崩的失效機(jī)理并不相同。

  2024-02-25 標(biāo)簽： MOSFET 雪崩擊穿 功率器件 5968 0

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  一文詳解雪崩擊穿與齊納擊穿

  材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。

  2024-02-25 標(biāo)簽： PN結(jié) 雪崩擊穿 載流子 7098 0

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  什么是雪崩擊穿？電除塵器中的電子雪崩現(xiàn)象

  材料摻雜濃度較低的PN結(jié)中，當(dāng)PN結(jié)反向電壓增加時(shí)，空間電荷區(qū)中的電場(chǎng)隨著增強(qiáng)。

  2024-02-25 標(biāo)簽： 示波器 雪崩擊穿 單脈沖 2081 0

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  什么是雪崩擊穿 雪崩失效電流路徑示意圖

  雪崩擊穿（Avalanche Breakdown）是半導(dǎo)體器件中一個(gè)關(guān)鍵的物理現(xiàn)象，特別是在PN結(jié)二極管和各種類(lèi)型的功率

  2024-02-23 標(biāo)簽： 電流 半導(dǎo)體 雪崩擊穿 4505 0

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