AURIX? TC3xx NVM是非易失性存儲器學習筆記

TC3xx芯片最多有6個內核，每個核有自己的私有的Memory以及共有的Memory。

2023-06-19 標簽：FlaShRAMSWAP 9594 0

非易失性存儲器的特點及應用介紹

　隨著消費者要求新產品定期增加功能或提高應用靈活性，開發人員對修改系統應用功能的快捷性和簡便性要求越來越高。從存儲器角度看，這預示著可能需要用性能更高、...

2012-08-20 標簽：存儲器非易失性存儲器 7003 0

SAP HANA 和非易失性存儲優勢分析

SAP HANA 也對介質的特點做了仔細的考量，結合 Main 內存的訪問特點（例如 容量大、讀多寫少等），很自然的，先把 DCPMM 當做字節尋址的持...

2022-06-10 標簽：DRAM非易失性存儲器 5895 0

更小的非易失性存儲器特性分析

目前主流的基于浮柵閃存技術的非易失性存儲器（NVM）技術有望成為未來幾年的參考技術。但是，閃存本身固有的技術和物理局限性使其很難再縮小技術節點。在這種環...

2017-12-18 標簽：非易失性存儲器 5592 0

NVM和PCM在 MCU關鍵特性的作用和影響

為了充分利用這些架構，NVM 中的代碼必須足夠快以最小化等待狀態。NVM 中的數據也應該快速以提高系統性能。

2022-06-02 標簽：相變存儲器NOR閃存非易失性存儲器 5442 0

NOR FLASH的結構和特性及原理圖

與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機訪問性能。

2024-02-19 標簽：閃存存儲芯片非易失性存儲器 5186 0

系統安全基石IP-OTPC（一）什么是OTP

MTP: Multiple-Time Programmable，可以多次編程

2023-11-15 標簽：寄存器OTP電源管理芯片 4754 0

如何使用現成的串行EPROM仿真解決編碼方案

本文解釋了如何使用現成的串行 EEPROM 的 EPROM 仿真模式以及不尋常的編碼方案來解決問題。 動機 出于保修原因，有時需要對某些事件進行計數和記...

2021-06-17 標簽：存儲器EEPROM觸發器 4121 0

CAN總線關閉故障診斷

　Can-Bus總線技術是“控制器局域網總線技術（Controller Area Network-BUS）”的簡稱，它具有極強的抗干擾和糾錯能力，最早被...

2023-07-26 標簽：微控制器驅動器CAN總線 3738 0

什么是FRAM？關于鐵電存儲器FRAM的特性介紹

FRAM具有其他傳統內存產品所不具備的四個突出特性。特點是：“非易失性”、“高讀寫耐久性”、“寫入速度快”和“低功耗”。

2023-12-15 標簽：閃存EEPROMfram 3691 0

基于域或區域的 ECU 架構

與 NOR 或 NAND 閃存不同，PCM 的工作原理是基于鍺銻碲 （GST） 合金的電阻率變化。這種合金根據快速的溫度變化改變電阻率，而電阻率決定了位...

2022-04-16 標簽：mcu非易失性存儲器 3576 0

MSPM0L1306開發板教程- NVM(FLASH)

MSPMPL系列中的NVM（Non Volatile Memory）非易失性存儲，也就是我們常說的FLASH。

2023-07-08 標簽：寄存器FlaShNVM 3474 1

數字電位器代替機械電位器的作用

對于某些應用，數字電位器需要非易失性存儲功能。兩種器件類型（易失性和非易失性存儲器）在市場上都已確立。

2021-05-15 標簽：數字電位器數模轉換器非易失性存儲器 3418 0

數字電位器如何解決電路調節問題

電位器還能繼續使用的原因之一是，它們的設置在電源復位時不會丟失；不過數字電位器已經消除了這一缺陷。

2022-07-28 標簽：微控制器運算放大器數字電位器 3350 0